本公開涉及半導體封裝，尤其涉及一種封裝結構的制作方法。

背景技術：

1、隨著電子技術的發展與進步，電子產品的功能越來越強大，電子產品的外觀朝著短小輕薄的方向演進，促進了電子產品的封裝結構朝著高度集成化、小型化的方向發展，芯片等元器件嵌埋封裝應運而生。與此同時，電子元件的性能也朝著高頻高速高功率的方向發展，導致單位面積的熱流密度迅速遞增。眾所周知，隨著運行工作環境溫度的上升，電子元件的運行速度隨之降低，損耗隨之上升；同時，長時間在高溫環境下運行，電子產品的可靠性相對降低。若不能及時散發高頻高速高功率電子元件產生的熱量，電子產品的性能和可靠性將會受到嚴重影響。因此，在高頻高速高功率的大趨勢下，如何合理優化嵌埋封裝基板、封裝體的設計，提升嵌埋封裝結構的散熱性能，是當前一個重要的課題。

技術實現思路

1、有鑒于此，本公開的目的在于提出一種封裝結構的制作方法。

2、基于上述目的，本公開提供了一種封裝結構的制作方法，包括：

3、(a)提供一銅箔；

4、(b)在所述銅箔上電鍍形成空腔犧牲柱；

5、(c)壓合介質材料形成介質層，所述介質層暴露所述空腔犧牲柱的端面；

6、(d)在所述介質層上形成線路層；

7、(e)蝕刻去除所述空腔犧牲柱，形成貫穿空腔；

8、(f)在所述線路層上形成鍵合焊盤；

9、(g)將元器件的背面貼裝于所述貫穿空腔內的銅箔上，引線鍵合所述元器件的端子和所述鍵合焊盤。

10、在一些實施例中，所述端子的端面和所述鍵合焊盤的端面與所述銅箔之間的距離相同。

11、在一些實施例中，在步驟(f)之前還包括：在所述線路層上形成導通柱。

12、在一些實施例中，還包括：

13、(h)形成封裝層，所述封裝層暴露所述導通柱的端面。

14、在一些實施例中，還包括：

15、(i)在所述導通柱的端面形成焊錫層。

16、在一些實施例中，在步驟(b)之前還包括：在所述銅箔上形成保護層；其中，所述保護層位于所述空腔犧牲柱和所述銅箔之間。

17、在一些實施例中，所述保護層的材料包括鎳、鈦和錫中的一者或多者。

18、在一些實施例中，步驟(e)包括：

19、(e1)貼膜、曝光、顯影，形成暴露所述空腔犧牲柱的光阻層；

20、(e2)真空蝕刻所述空腔犧牲柱，形成貫穿空腔；

21、(e3)移除所述光阻層。

22、在一些實施例中，步驟(f)包括：

23、在所述線路層上形成表面處理層。

24、在一些實施例中，所述表面處理層采用鎳鈀金工藝形成。

25、從上面所述可以看出，本公開提供的一種封裝結構的制作方法，所述制作方法包括(a)提供一銅箔；(b)在所述銅箔上電鍍形成空腔犧牲柱；(c)壓合介質材料形成介質層，所述介質層暴露所述空腔犧牲柱的端面；(d)在所述介質層上形成線路層；(e)蝕刻去除所述空腔犧牲柱，形成貫穿空腔；(f)在所述線路層上形成鍵合焊盤；(g)將元器件的背面貼裝于所述貫穿空腔內的銅箔上，引線鍵合所述元器件的端子和所述鍵合焊盤。采用這樣的制作方法，元器件直接貼裝在銅箔上，銅箔成為大面積散熱器可以快速帶走元器件運行時產生的熱量，大大提升嵌埋封裝結構的散熱性能。

技術特征：

1.一種封裝結構的制作方法，其特征在于，包括：

2.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述端子的端面和所述鍵合焊盤的端面與所述銅箔之間的距離相同。

3.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，在步驟(f)之前還包括：在所述線路層上形成導通柱。

4.根據權利要求3所述的制作方法，其特征在于，還包括：

5.根據權利要求4所述的制作方法，其特征在于，還包括：

6.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，在步驟(b)之前還包括：在所述銅箔上形成保護層；其中，所述保護層位于所述空腔犧牲柱和所述銅箔之間。

7.根據權利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述保護層的材料包括鎳、鈦和錫中的一者或多者。

8.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，步驟(e)包括：

9.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，步驟(f)包括：

10.根據權利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述表面處理層采用鎳鈀金工藝形成。

技術總結
本公開提供一種封裝結構的制作方法。具體地，所述制作方法包括(a)提供一銅箔；(b)在所述銅箔上電鍍形成空腔犧牲柱；(c)壓合介質材料形成介質層，所述介質層暴露所述空腔犧牲柱的端面；(d)在所述介質層上形成線路層；(e)蝕刻去除所述空腔犧牲柱，形成貫穿空腔；(f)在所述線路層上形成鍵合焊盤；(g)將元器件的背面貼裝于所述貫穿空腔內的銅箔上，引線鍵合所述元器件的端子和所述鍵合焊盤。采用這樣的制作方法，元器件直接貼裝在銅箔上，銅箔成為大面積散熱器可以快速帶走元器件運行時產生的熱量，大大提升嵌埋封裝結構的散熱性能。

技術研發人員：陳先明,陳苑明,馮磊,黃本霞,曾勇志,何為,董艷林
受保護的技術使用者：電子科技大學
技術研發日：
技術公布日：2025/3/20