本技術涉及倒裝芯片，具體涉及一種預熱底座和芯片基板預熱系統。

背景技術：

1、隨著手機攝像頭技術的不斷創新，攝像頭也從單攝到多攝，從低像素到高像素及向高倍數光學變焦的潛望鏡頭發展。隨之而來的是攝像頭制程工藝難度的增加，為了適應市場的發展，制程廠商需要不斷研發高端攝像頭的生產技術。倒裝芯片焊接技術，是將已經完成金球搭載的芯片，翻轉后超聲波焊接到陶瓷基板上的技術。此工藝能使攝像頭更薄，功能更強，可靠性更高，是目前攝像頭組裝的核心技術。在現行的倒裝芯片焊接過程中，陶瓷基板需要具有120℃以上最佳焊接溫度，在力、溫度、超聲波振動的共同作用下，將芯片焊接到基板上完成焊接作業。

2、目前，裝載陶瓷基板的金屬托盤在預熱平臺上加熱，金屬托盤將溫度傳遞給陶瓷基板。在此過程中，金屬托盤在預熱平臺上會快速升溫到140℃以上，這使得金屬托盤的磁性消失，導致金屬托盤的上下兩部分結構分開，陶瓷基板掉落在預熱平臺上，造成電容/ic破損，影響了產品良率以及生產效率。同時，陶瓷基板也無法預熱到足夠的溫度，使得陶瓷基板運輸到實裝平臺時的溫度低于最佳焊接溫度。

技術實現思路

1、有鑒于此，本實用新型實施例提供一種預熱底座和芯片基板預熱系統，使該預熱底座通過凸臺組與基板直接接觸加熱，使得基板可以快速升溫，且在傳輸到實裝平臺時能夠達到最佳焊接溫度，同時還可以避免對托盤接觸加熱溫度過高使托盤失磁分開而造成的基板掉落損壞，提高生產良率。

2、第一方面，本實用新型實施例提供了一種預熱底座，包括底座本體和至少一個凸臺組，所述凸臺組設置在所述底座本體上，所述凸臺組包括主凸起塊和至少一個輔凸起塊，所述輔凸起塊與所述主凸起塊之間形成避讓槽。

3、優選地，所述主凸起塊高度大于等于所述輔凸起塊高度。

4、優選地，所述主凸起塊及所述輔凸起塊的截面形狀包括圓角矩形。

5、優選地，所述輔凸起塊數量為兩個，對稱設置于所述主凸起塊的兩側。

6、優選地，所述底座本體上還設置有至少兩個定位柱，所述定位柱設置于所述底座本體上靠近邊緣位置。

7、優選地，所述預熱底座包括多個所述凸臺組，均勻間隔設置在所述底座本體上，且上一排/列的所述凸臺組位于下一排/列的兩個所述凸臺組之間。

8、第二方面，本實用新型實施例提供了一種芯片基板預熱系統，包括：

9、預熱底座；

10、托盤，包括至少一個用于放置基板的鏤空槽；

11、其中，所述凸臺組伸入所述鏤空槽內與所述基板底面接觸，所述托盤的底面與所述底座本體的頂面之間具有第一間隙，所述鏤空槽的內壁與所述凸臺組之間具有第二間隙。

12、優選地，所述托盤包括：

13、頂板，開設有至少一個頂板槽；

14、底板，通過磁性吸附連接在所述頂板的下方，所述底板開設有至少一個底板槽，所述頂板槽與所述底板槽一一對應貫通形成所述鏤空槽。

15、優選地，所述頂板槽水平截面面積大于所述底板槽水平截面面積，且所述頂板槽形狀與所述底板槽形狀在垂直截面上形成相對的階梯形。

16、優選地，所述凸臺組高度大于所述底板的厚度，所述底板槽的水平截面面積大于所述凸臺組的水平截面面積。

17、本實用新型實施例提供了一種預熱底座和芯片基板預熱系統，預熱底座包括底座本體和至少一個凸臺組，凸臺組設置在底座本體上，包括主凸起塊和至少一個輔凸起塊，輔凸起塊與主凸起塊之間形成避讓槽。預熱底座通過凸臺組與基板直接接觸加熱，使得基板能夠快速升溫，并使其在傳輸到實裝平臺時能夠達到最佳焊接溫度。同時，采用凸臺組與基板直接接觸的加熱方式，還可以避免對托盤接觸加熱溫度過高使托盤失磁分開而造成的基板掉落損壞，提高生產良率。

技術特征：

1.一種預熱底座，其特征在于，所述預熱底座(100)包括底座本體(110)和至少一個凸臺組(120)，所述凸臺組(120)設置在所述底座本體(110)上，所述凸臺組(120)包括主凸起塊(121)和至少一個輔凸起塊(122)，所述輔凸起塊(122)與所述主凸起塊(121)之間形成避讓槽(123)。

2.根據權利要求1所述的預熱底座，其特征在于，所述主凸起塊(121)高度大于等于所述輔凸起塊(122)高度。

3.根據權利要求1所述的預熱底座，其特征在于，所述主凸起塊(121)及所述輔凸起塊(122)的截面形狀包括圓角矩形。

4.根據權利要求1所述的預熱底座，其特征在于，所述輔凸起塊(122)數量為兩個，對稱設置于所述主凸起塊(121)的兩側。

5.根據權利要求1所述的預熱底座，其特征在于，所述底座本體(110)上還設置有至少兩個定位柱(130)，所述定位柱(130)設置于所述底座本體(110)上靠近邊緣位置。

6.根據權利要求1所述的預熱底座，其特征在于，所述預熱底座(100)包括多個所述凸臺組(120)，均勻間隔設置在所述底座本體(110)上，且上一排/列的所述凸臺組(120)位于下一排/列的兩個所述凸臺組(120)之間。

7.一種芯片基板預熱系統，其特征在于，所述芯片基板預熱系統包括：

8.根據權利要求7所述的芯片基板預熱系統，其特征在于，所述托盤(200)包括：

9.根據權利要求8所述的芯片基板預熱系統，其特征在于，所述頂板槽(231)水平截面面積大于所述底板槽(232)水平截面面積，且所述頂板槽(231)形狀與所述底板槽(232)形狀在垂直截面上形成相對的階梯形。

10.根據權利要求8所述的芯片基板預熱系統，其特征在于，所述凸臺組(120)高度大于所述底板(220)的厚度，所述底板槽(232)的水平截面面積大于所述凸臺組的水平截面面積。

技術總結
本技術實施例公開了一種預熱底座和芯片基板預熱系統。預熱底座包括底座本體和至少一個凸臺組，凸臺組設置在底座本體上，包括主凸起塊和至少一個輔凸起塊，輔凸起塊與主凸起塊之間形成避讓槽。該預熱底座通過凸臺組與基板直接接觸加熱，使得基板可以快速升溫，且在傳輸到實裝平臺時達到最佳焊接溫度，同時還可以避免對托盤接觸加熱溫度過高使托盤失磁分開而造成的基板掉落損壞。

技術研發人員：劉敏強,李健城,劉穎詩,秦廣宇,肖斌
受保護的技術使用者：東莞高偉光學電子有限公司
技術研發日：20240701
技術公布日：2025/4/28