本技術涉及晶圓相關設備，特別涉及一種適用于四英寸和六英寸晶圓的真空吸盤。

背景技術：

1、晶圓是指制作硅半導體電路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高純度的多晶硅溶解后摻入硅晶體晶種，然后慢慢拉出，形成圓柱形的單晶硅。硅晶棒在經過研磨，拋光，切片后，形成硅晶圓片，也就是晶圓。晶圓的轉運需要用上真空吸盤，現有的真空吸盤只能適應一種尺寸，為了滿足市場需求，以便于同時適應四英寸和六英寸晶圓，需要一種適用于四英寸和六英寸晶圓的真空吸盤。

技術實現思路

1、本實用新型的主要目的在于提供一種適用于四英寸和六英寸晶圓的真空吸盤，可以有效解決背景技術中的問題。

2、為實現上述目的，本實用新型采取的技術方案為：

3、一種適用于四英寸和六英寸晶圓的真空吸盤，包括柱體和吸盤殼體，所述柱體的底端固定安裝有滾動盤，所述吸盤殼體的頂部固定安裝有底腔，所述底腔的頂部設有凸起邊緣，所述滾動盤的外表面設有凹槽，所述凹槽與凸起邊緣適配，所述滾動盤的底部開設有內腔，所述滾動盤的底部靠近內腔處設有四個氣槽，所述吸盤殼體上貫穿開設有四個六英寸吸孔和四英寸吸孔，所述滾動盤底面均有密封墊，所述密封墊與底腔底面搭接，所述吸盤殼體的底部設有凸起紋路。

4、優選的，所述四個六英寸吸孔與氣槽位置對應。

5、優選的，四個所述四英寸吸孔與內腔位置對應。

6、優選的，所述柱體的一側壁開設有真空泵連接口，所述內腔中開設有貫穿孔，所述貫穿孔與真空泵連接口貫穿連通。

7、優選的，所述滾動盤的頂面四處均固定安裝有第二銘刻牌，四個所述第二銘刻牌與氣槽位置對應。

8、優選的，所述吸盤殼體的外表面等距固定安裝有四個第一銘刻牌，四個所述第一銘刻牌與六英寸吸孔位置對應。

9、與現有技術相比，本實用新型具有如下有益效果：通過轉動吸盤殼體使得第一銘刻牌與第二銘刻牌位置對應，從而實現氣槽與六英寸吸孔位置對應，此時開啟真空泵組件，可在六英寸吸孔和四英寸吸孔底部均產生吸附力，用于吸附六英寸晶圓，轉動吸盤殼體使得第一銘刻牌與第二銘刻牌錯位，底部氣槽與六英寸吸孔位置錯位，使得底部四個六英寸吸孔失去吸附力，內部四個四英寸吸孔仍然存在吸附力，從而實現對四英寸晶圓的吸附，轉換操作便捷。

技術特征：

1.一種適用于四英寸和六英寸晶圓的真空吸盤，包括柱體(1)和吸盤殼體(2)，其特征在于：所述柱體(1)的底端固定安裝有滾動盤(15)，所述吸盤殼體(2)的頂部固定安裝有底腔(13)，所述底腔(13)的頂部設有凸起邊緣(14)，所述滾動盤(15)的外表面設有凹槽(9)，所述凹槽(9)與凸起邊緣(14)適配，所述滾動盤(15)的底部開設有內腔(11)，所述滾動盤(15)的底部靠近內腔(11)處設有四個氣槽(12)，所述吸盤殼體(2)上貫穿開設有四個六英寸吸孔(6)和四英寸吸孔(7)，所述滾動盤(15)底面均有密封墊，所述密封墊與底腔(13)底面搭接，所述吸盤殼體(2)的底部設有凸起紋路(5)。

2.根據權利要求1所述的一種適用于四英寸和六英寸晶圓的真空吸盤，其特征在于：所述四個六英寸吸孔(6)與氣槽(12)位置對應。

3.根據權利要求1所述的一種適用于四英寸和六英寸晶圓的真空吸盤，其特征在于：四個所述四英寸吸孔(7)與內腔(11)位置對應。

4.根據權利要求1所述的一種適用于四英寸和六英寸晶圓的真空吸盤，其特征在于：所述柱體(1)的一側壁開設有真空泵連接口(4)，所述內腔(11)中開設有貫穿孔(10)，所述貫穿孔(10)與真空泵連接口(4)貫穿連通。

5.根據權利要求1所述的一種適用于四英寸和六英寸晶圓的真空吸盤，其特征在于：所述滾動盤(15)的頂面四處均固定安裝有第二銘刻牌(8)，四個所述第二銘刻牌(8)與氣槽(12)位置對應。

6.根據權利要求1所述的一種適用于四英寸和六英寸晶圓的真空吸盤，其特征在于：所述吸盤殼體(2)的外表面等距固定安裝有四個第一銘刻牌(3)，四個所述第一銘刻牌(3)與六英寸吸孔(6)位置對應。

技術總結
本技術公開了一種適用于四英寸和六英寸晶圓的真空吸盤，涉及晶圓相關設備技術領域，包括柱體和吸盤殼體，所述柱體的底端固定安裝有滾動盤，所述吸盤殼體的頂部固定安裝有底腔，所述底腔的頂部設有凸起邊緣，所述滾動盤的外表面設有凹槽。本技術通過轉動吸盤殼體使得第一銘刻牌與第二銘刻牌位置對應，從而實現氣槽與六英寸吸孔位置對應，此時開啟真空泵組件，可在六英寸吸孔和四英寸吸孔底部均產生吸附力，用于吸附六英寸晶圓，轉動吸盤殼體使得第一銘刻牌與第二銘刻牌錯位，底部氣槽與六英寸吸孔位置錯位，使得底部四個六英寸吸孔失去吸附力，內部四個四英寸吸孔仍然存在吸附力，從而實現對四英寸晶圓的吸附，轉換操作便捷。

技術研發人員：李增福,孟令毅
受保護的技術使用者：江蘇應材微機電科技有限公司
技術研發日：20240702
技術公布日：2025/4/28