本發(fā)明涉及pcb板加工，尤其涉及一種pcb板上的通孔的制造方法。

背景技術(shù)：

1、在印刷電路板(簡(jiǎn)稱pcb板)的制造加工過(guò)程中，pcb板上的通孔是一個(gè)非常重要的組成部分。通孔是pcb板上兩個(gè)不同層之間的電氣連接點(diǎn)，制造通孔的一種方法是使用化學(xué)法的濕法腐蝕，然而，這種化學(xué)法存在缺少控制性、腐蝕劑殘留等問(wèn)題，導(dǎo)致pcb板的質(zhì)量較差。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明實(shí)施例的目的在于，提供一種pcb板上的通孔的制造方法，能夠解決化學(xué)法存在的缺少控制性、腐蝕劑殘留等問(wèn)題，提高加工精度和加工質(zhì)量，從而提高pcb板的質(zhì)量。

2、為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種pcb板上的通孔的制造方法，包括：

3、在pcb板的襯底的表面形成氮化硅膜層；

4、在所述氮化硅膜層的表面形成光刻膠覆蓋層；

5、對(duì)所述光刻膠覆蓋層的表面進(jìn)行加工，形成具有預(yù)設(shè)圖案形狀的掩膜層；

6、根據(jù)所述掩膜層上的預(yù)設(shè)圖案形狀，對(duì)所述氮化硅膜層進(jìn)行離子刻蝕，以在所述pcb板上形成通孔。

7、進(jìn)一步地，所述氮化硅膜層的厚度為100nm。

8、進(jìn)一步地，所述光刻膠覆蓋層的厚度為200nm。

9、進(jìn)一步地，所述離子刻蝕的工藝參數(shù)包括：氬氣流量為50sccm，離子束能量為500ev，離子束電流為5ma，壓力為5mtorr，刻蝕時(shí)間為3min。

10、進(jìn)一步地，所述通孔的直徑為500nm。

11、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種pcb板上的通孔的制造方法，首先，在pcb板的襯底的表面形成氮化硅膜層；接著，在氮化硅膜層的表面形成光刻膠覆蓋層；然后，對(duì)光刻膠覆蓋層的表面進(jìn)行加工，形成具有預(yù)設(shè)圖案形狀的掩膜層；最后，根據(jù)掩膜層上的預(yù)設(shè)圖案形狀，對(duì)氮化硅膜層進(jìn)行離子刻蝕，以在pcb板上形成通孔。本發(fā)明實(shí)施例能夠解決化學(xué)法存在的缺少控制性、腐蝕劑殘留等問(wèn)題，提高加工精度和加工質(zhì)量，從而提高pcb板的質(zhì)量。

技術(shù)特征：

1.一種pcb板上的通孔的制造方法，其特征在于，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的pcb板上的通孔的制造方法，其特征在于，所述氮化硅膜層的厚度為100nm。

3.如權(quán)利要求1所述的pcb板上的通孔的制造方法，其特征在于，所述光刻膠覆蓋層的厚度為200nm。

4.如權(quán)利要求1所述的pcb板上的通孔的制造方法，其特征在于，所述離子刻蝕的工藝參數(shù)包括：氬氣流量為50sccm，離子束能量為500ev，離子束電流為5ma，壓力為5mtorr，刻蝕時(shí)間為3min。

5.如權(quán)利要求1所述的pcb板上的通孔的制造方法，其特征在于，所述通孔的直徑為500nm。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種PCB板上的通孔的制造方法，包括：在PCB板的襯底的表面形成氮化硅膜層；在所述氮化硅膜層的表面形成光刻膠覆蓋層；對(duì)所述光刻膠覆蓋層的表面進(jìn)行加工，形成具有預(yù)設(shè)圖案形狀的掩膜層；根據(jù)所述掩膜層上的預(yù)設(shè)圖案形狀，對(duì)所述氮化硅膜層進(jìn)行離子刻蝕，以在所述PCB板上形成通孔。采用本發(fā)明的技術(shù)方案能夠解決化學(xué)法存在的缺少控制性、腐蝕劑殘留等問(wèn)題，提高加工精度和加工質(zhì)量，從而提高PCB板的質(zhì)量。

技術(shù)研發(fā)人員：施木生
受保護(hù)的技術(shù)使用者：東莞新科技術(shù)研究開發(fā)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/4/28