本發(fā)明涉及圖像傳感器及其制造方法。

背景技術：

1、圖像傳感器(或者固體拍攝元件)具有如下基板，即，形成有將光變換為與其強度對應的大小的電信號的多個光電二極管。作為圖像傳感器，存在如下結構，即，具有：彩色濾光片，其位于各種顏色用的光電二極管上；紅外線透過層，其位于紅外線用的光電二極管上；以及紅外線遮蔽層，其設置于上述彩色濾光片上(例如參照專利文獻1)。

2、專利文獻1記載的圖像傳感器，具有紅外線透過層的上表面比紅外線遮蔽層的上表面低的構造。在該文獻中，在基板上的各種顏色用光電二極管之上形成彩色濾光片，在作為其上層而形成紅外線遮蔽層之后，以將存在于基板上的紅外線用光電二極管的位置的凹部填埋的方式形成紅外線透過層，由此制造具有上述構造的圖像傳感器。

3、專利文獻1：日本特許第6317695號公報

技術實現思路

1、本發(fā)明的目的在于，提供能夠提高圖像傳感器針對紅外線的檢測精度的技術。

2、根據本發(fā)明的一個方面，提供一種圖像傳感器，其中，

3、所述圖像傳感器具有：

4、基板，其設置有多個光電二極管；

5、彩色濾光片，其包含分別設置于上述多個光電二極管的一部分之上的多個著色層，具有分別設置于上述多個光電二極管的另一部分的位置的多個第1貫通孔；

6、紅外線遮蔽層，其設置于上述彩色濾光片之上，將特定波長的紅外線遮蔽，使可見光透過，且具有與上述多個第1貫通孔分別連通的多個第2貫通孔；

7、多個紅外線透過層，它們將上述多個第1貫通孔的1個以及與該第1貫通孔連通的上述第2貫通孔分別填埋，將可見光遮蔽，使上述特定波長的紅外線透過；以及

8、多個微透鏡，它們將上述彩色濾光片、上述紅外線遮蔽層以及上述多個紅外線透過層夾入中間而分別與上述多個光電二極管相對，

9、上述多個第2貫通孔各自的側壁的整體與上述多個紅外線透過層的任一者的側面接觸，

10、上述紅外線遮蔽層的上表面在相對于上述多個紅外線透過層的邊界的位置具有最大高度hch，并且在遠離上述邊界的位置具有最小高度hcl，

11、上述多個紅外線透過層各自的上表面的最大高度hph大于上述最小高度hcl、且大于或等于上述最大高度hch。

12、根據本發(fā)明的其他方面，提供上述方面涉及的圖像傳感器，其中，上述多個紅外線透過層各自的上述上表面為凸狀。

13、根據本發(fā)明的另一其他方面，提供上述任一方面涉及的圖像傳感器，其中，在上述紅外線遮蔽層的上述上表面中，相對于上述多個第2貫通孔分別相鄰的多個第1區(qū)域與將上述多個第1區(qū)域夾入中間而相對于上述多個第2貫通孔分別相鄰的第2區(qū)域相比，高度更大。

14、根據本發(fā)明的又一其他方面，提供上述任一方面涉及的圖像傳感器，其中，上述多個著色層中的與上述多個紅外線透過層接觸的大于或等于1個著色層具有倒錐狀的剖面形狀。

15、根據本發(fā)明的又一其他方面，提供一種圖像傳感器的制造方法，其中，

16、所述圖像傳感器的制造方法包含如下步驟：

17、以如下方式形成包含多個著色層、且具有多個貫通孔的彩色濾光片，即，在設置于基板的多個光電二極管的一部分之上分別設置上述多個著色層，在上述多個光電二極管的另一部分的位置設置上述多個貫通孔；

18、以如下方式形成將可見光遮蔽、且使特定波長的紅外線透過的多個紅外線透過層，即，將上述多個貫通孔分別填埋且從上述多個貫通孔凸出；

19、以使得上述紅外線遮蔽層的上表面與上述多個紅外線透過層相比具有更小的高度的方式，在上述彩色濾光片之上形成將上述特定波長的紅外線遮蔽、且使可見光透過的紅外線遮蔽層；

20、對上述紅外線遮蔽層施加熱流；以及

21、此后以將上述彩色濾光片、上述紅外線遮蔽層以及上述多個紅外線透過層夾入中間而與上述多個光電二極管分別相對的方式，形成多個微透鏡。

22、根據本發(fā)明，提供一種能夠提高圖像傳感器針對紅外線的檢測精度的技術。

技術特征：

1.一種圖像傳感器，其中，

2.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其中，

3.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其中，

4.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其中，

5.一種圖像傳感器的制造方法，其中，

技術總結
提供能夠提高圖像傳感器針對紅外線的檢測精度的技術。圖像傳感器1A具有：基板2，其設置有多個光電二極管；彩色濾光片4，其包含多個著色層、且具有多個第1貫通孔；紅外線遮蔽層6，其設置于上述彩色濾光片之上，具有與上述多個第1貫通孔分別連通的多個第2貫通孔；多個紅外線透過層41，它們將上述多個第1貫通孔的1個以及與該第1貫通孔連通的上述第2貫通孔分別填埋；以及多個微透鏡51。關于上述圖像傳感器1A，上述多個第2貫通孔各自的側壁的整體與上述多個紅外線透過層41的任一個紅外線透過層的側面接觸，上述紅外線遮蔽層的上表面在相對于上述多個紅外線透過層41的邊界的位置具有最大高度H<subgt;CH</subgt;，并且在遠離上述邊界的位置具有最小高度H<subgt;CL</subgt;，上述多個紅外線透過層41各自的上表面的最大高度H<subgt;PH</subgt;大于上述最小高度H<subgt;CL</subgt;、且大于或等于上述最大高度H<subgt;CH</subgt;。

技術研發(fā)人員：坂川誠
受保護的技術使用者：凸版控股株式會社
技術研發(fā)日：
技術公布日：2025/3/10