1.一種用于探測電磁輻射的光電探測器，所述光電探測器包括
2.根據權利要求1所述的光電探測器，其中，所述p摻雜接觸區和所述n摻雜接觸區包括si，并且所述光敏區包括ge。
3.根據前述權利要求中至少一項所述的光電探測器，其中，所述光敏區和所述sin波導之間的所述公共上界面基本上是平面的或沿著所述垂直堆疊方向凹入彎曲。
4.根據前述權利要求中至少一項所述的光電探測器，其中，所述sin波導沿著所述橫向堆疊方向的橫向寬度對應于所述光敏區的橫向寬度，或者大于所述光敏區的橫向寬度。
5.根據前述權利要求中至少一項所述的光電探測器，其中，所述sin波導沿著所述橫向堆疊方向的橫向寬度在兩側超過所述光敏區的橫向寬度至少20nm。
6.根據前述權利要求中至少一項所述的光電探測器，其中，
7.根據權利要求6所述的光電探測器，其中，所述橫向突出的p摻雜邊緣部分和/或所述橫向突出的n摻雜邊緣部分沿所述垂直堆疊方向的高度等于或小于所述光敏區沿所述垂直堆疊方向的高度。
8.根據前述權利要求中至少一項所述的光電探測器，包括si波導，所述si波導包括si并且沿著所述堆疊方向布置在所述光電二極管下方，從而與所述光電二極管形成公共下界面，在所述公共下界面處，所述si波導與所述光敏區的至少一部分直接接觸，其中優選地，所述si波導沿所述橫向堆疊方向具有等于或大于所述光電二極管的橫向寬度的寬度。
9.根據前述權利要求中至少一項所述的光電探測器，其中，所述光敏區包括光學活性的活性材料層和用于保護所述活性材料層的蓋帽層，所述蓋帽層沿著所述垂直堆疊方向布置在所述活性材料層的頂部，其中，所述蓋帽層形成所述公共上界面，在所述公共上界面處，所述光敏區與所述sin波導直接接觸。
10.一種光子集成電路或電子光子電路，包括根據前述權利要求中的至少一項所述的光電探測器。
11.一種用于制造光電探測器的方法，所述方法包括以下步驟：
12.根據權利要求11所述的方法，其中，制造所述光電二極管包括
13.根據權利要求11或12所述的方法，其中，提供所述光探測器中間產品包括：
14.根據權利要求11至13中至少一項所述的方法，其中，制造所述sin波導包括：
15.根據權利要求1至9中至少一項所述的光電探測器用于探測0.8?μm至1.65?μm波長范圍內的電磁輻射的用途。