本公開涉及一種圖像傳感器，更具體地，涉及一種包括接地區的圖像傳感器。

背景技術：

1、圖像傳感器是將光學圖像轉換成電信號的半導體器件。圖像傳感器可以分為電荷耦合器件(ccd)型和互補金屬氧化物半導體(cmos)型。cmos型圖像傳感器可以被稱為cmos圖像傳感器(cis)。cis可以包括多個二維布置的像素。每個像素包括光電二極管(pd)。光電二極管用于將入射光轉換成電信號。

技術實現思路

1、一個或更多個實施方式提供一種能夠實現清晰的圖像質量的圖像傳感器。

2、根據實施方式的一方面，一種圖像傳感器包括：基板，包括多個像素，所述多個像素的每個包括左子像素和右子像素；在所述多個像素的每個上在基板中的阱區，阱區將左子像素和右子像素彼此連接；像素分離部，將所述多個像素彼此分離并在左子像素和右子像素之間在基板中延伸；在左子像素上的左傳輸晶體管和第一邏輯晶體管；在右子像素上的右傳輸晶體管和第二邏輯晶體管；以及接地區，在左子像素和右子像素中的一個上在基板中，并且與阱區接觸。接地區與所述多個像素的每個的角相鄰。

3、根據實施方式的一方面，一種圖像傳感器，包括：包括多個像素組的基板，所述多個像素組的每個包括呈2×2布置的多個像素，所述多個像素的每個包括左子像素和右子像素；在所述多個像素的每個上在基板中的阱區，阱區將左子像素和右子像素彼此連接；像素分離部，將所述多個像素彼此分離并在左子像素和右子像素之間在基板中延伸；在左子像素上的左傳輸晶體管和左有源區；在右子像素上的右傳輸晶體管和右有源區；接地區，在左子像素和右子像素其中的一個上在基板中，并且與阱區接觸；以及接地線，在所述多個像素組之間在基板上方延伸。在所述多個像素的每個上，接地區與接地線相鄰。

4、根據實施方式的一方面，一種圖像傳感器，包括：基板，具有彼此相反的第一表面和第二表面，基板包括多個像素組，所述多個像素組的每個包括布置成2×2矩陣的多個像素，并且所述多個像素的每個包括左子像素和右子像素；第一濾色器，在第一表面上覆蓋所述多個像素組中的一個；第二濾色器，在第一表面上覆蓋所述多個像素組中的另一個；第三濾色器，在第一表面上覆蓋所述多個像素組中的又一個；多個微透鏡，分別提供在第一濾色器、第二濾色器和第三濾色器上并覆蓋所述多個像素的每個；阱區，在所述多個像素的每個上在基板中，阱區將左子像素和右子像素彼此連接；像素分離部，將所述多個像素彼此分離并在左子像素和右子像素之間延伸；器件隔離部，在基板中與第二表面相鄰，器件隔離部將左子像素上的左有源區與右子像素上的右有源區分開；左光電轉換區，在所述多個像素的每個的左子像素上在基板中；右光電轉換區，在所述多個像素的每個的右子像素上在基板中；左傳輸晶體管，在所述多個像素的每個的左子像素上在第二表面上；右傳輸晶體管，在所述多個像素的每個的右子像素上在第二表面上；以及接地區，在左子像素和右子像素中的一個上在基板中并與阱區接觸。接地區被提供為多個，并且所述多個接地區與所述多個像素組的每個的角相鄰。

技術特征：

1.一種圖像傳感器，包括：

2.根據權利要求1所述的圖像傳感器，還包括在所述多個像素的每個上的所述左子像素和所述右子像素上的微透鏡。

3.根據權利要求1所述的圖像傳感器，還包括在所述多個像素的每個的中心上在所述基板中的器件隔離部。

4.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其中所述左傳輸晶體管在第一方向上與所述第一邏輯晶體管間隔開，

5.根據權利要求1所述的圖像傳感器，還包括在所述基板中的器件隔離部，

6.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其中所述左傳輸晶體管和所述右傳輸晶體管的柵電極的每個包括延伸到所述基板中的至少一個突出部。

7.一種圖像傳感器，包括：

8.根據權利要求7所述的圖像傳感器，還包括：

9.根據權利要求7所述的圖像傳感器，其中所述左傳輸晶體管在第一方向上與所述左有源區間隔開，

10.根據權利要求7所述的圖像傳感器，其中所述多個像素組的每個包括第一像素、第二像素、第三像素和第四像素，

11.根據權利要求10所述的圖像傳感器，還包括：

12.根據權利要求11所述的圖像傳感器，其中所述第一復位柵電極、所述第二復位柵電極和所述第三復位柵電極中的一個在所述第一方向上具有第一寬度，

13.根據權利要求10所述的圖像傳感器，其中所述多個像素組包括呈2×2布置的第一像素組、第二像素組、第三像素組和第四像素組，

14.根據權利要求13所述的圖像傳感器，其中所述多個第一接地區與所述接地線間隔開相同的距離。

15.根據權利要求13所述的圖像傳感器，還包括：

16.根據權利要求13所述的圖像傳感器，還包括在所述基板上并與所述多個第一接地區接觸的接地圖案，

17.根據權利要求16所述的圖像傳感器，其中，當在俯視圖中觀察時，所述接地圖案具有八邊形形狀或十字形狀。

18.根據權利要求16所述的圖像傳感器，還包括在所述多個像素中的一個的所述左有源區上的第一復位柵電極，

19.根據權利要求16所述的圖像傳感器，其中所述接地圖案的一部分在所述第一像素組的所述第四像素的所述左有源區上方以及在所述第三像素組的所述第二像素的所述左有源區上方延伸，以及

20.一種圖像傳感器，包括：

技術總結
提供了一種圖像傳感器。該圖像傳感器包括：基板，包括多個像素，所述多個像素的每個包括左子像素和右子像素；在所述多個像素的每個上在基板中的阱區，阱區將左子像素和右子像素彼此連接；像素分離部，將所述多個像素彼此分離并在左子像素和右子像素之間在基板中延伸；在左子像素上的左傳輸晶體管和第一邏輯晶體管；在右子像素上的右傳輸晶體管和第二邏輯晶體管；以及接地區，在左子像素和右子像素中的一個上在基板中，并且與阱區接觸。接地區與所述多個像素的每個的角相鄰。

技術研發人員：藤田雅人,鄭勝基
受保護的技術使用者：三星電子株式會社
技術研發日：
技術公布日：2025/4/28