本公開涉及發光器件領域，特別涉及一種發光二極管及其制備方法。

背景技術：

1、發光二極管(light?emitting?diode，led)是一種能發光的半導體器件。

2、相關技術提供了一種發光二極管，發光二極管結構包括外延結構、透明導電層、介質膜層、金屬反射層。透明導電層位于外延結構上，介質膜層位于透明導電層上，介質膜層通過刻蝕形成通孔，金屬反射層通過通孔與透明導電層連接。

3、在相關技術中，在對介質膜層進行開孔時，容易過刻蝕，損傷透明導電層，使得透明導電層過薄，透明導電層過薄會導致電流擴展能力下降，發光二極管可靠性降低。

技術實現思路

1、本公開實施例提供了一種發光二極管及其制備方法，能夠明顯改善刻蝕介質膜層通孔時出現過刻蝕的問題。同時，進行一次性刻蝕，提高了第二絕緣反射子層有效反射面積，反射率提高。所述技術方案如下：

2、一方面，提供了一種發光二極管，所述發光二極管包括：外延結構、復合透明導電層、介質膜層和金屬反射層；

3、所述復合透明導電層包括第一透明導電子層和第二透明導電子層，所述第二透明導電子層包括多個導電單元；

4、所述第一透明導電子層位于所述外延結構表面，所述多個導電單元間隔排布在所述第一透明導電子層表面，所述介質膜層覆蓋所述第一透明導電子層，所述介質膜層具有與所述多個導電單元對應的通孔，所述通孔的底部位于所述導電單元表面，所述金屬反射層覆蓋所述介質膜層且與所述通孔內的所述第二透明導電子層電連接。

5、可選地，所述第一透明導電子層的厚度為70～300埃，所述第二透明導電子層的厚度為50～200埃。

6、可選地，所述導電單元和所述通孔在所述外延結構表面的投影為兩個同心的圓形，所述導電單元的投影面積大于所述通孔的投影面積。

7、可選地，所述介質膜層包括依次層疊的第一絕緣反射子層和第二絕緣反射子層；

8、所述第一絕緣反射子層和所述第二絕緣反射子層均具有所述通孔。

9、可選地，所述第一絕緣反射子層為sio2層，所述第二絕緣反射子層為dbr層，所述dbr層為sio2和ti3o5周期交替構成的疊層。

10、可選地，所述第二絕緣反射子層中sio2和ti3o5交替的周期為5～13個周期。

11、可選地，所述介質膜層的所述通孔側壁為斜坡。

12、可選地，所述通孔的開口的寬度h為30～80μm2。

13、另一方面，提供了一種發光二極管制備方法，所述方法包括：

14、制作外延結構；

15、在所述外延結構表面制作復合透明導電層，所述復合透明導電層包括第一透明導電子層和第二透明導電子層，所述第二透明導電子層包括多個導電單元，所述第一透明導電子層位于所述外延結構表面，所述多個導電單元間隔排布在所述第一透明導電子層表面；

16、在所述復合透明導電層上制作介質膜層，所述介質膜層覆蓋所述第一透明導電子層，所述介質膜層具有與所述多個導電單元對應的通孔，所述通孔的底部位于所述導電單元表面；

17、制作金屬反射層，所述金屬反射層覆蓋所述介質膜層且與所述通孔內的所述第二透明導電子層電連接。

18、可選地，在所述外延結構表面制作復合透明導電層，包括：

19、在所述外延結構表面制作第一透明導電薄膜，得到所述第一透明導電子層；

20、在所述第一透明導電子層表面制作第二透明導電薄膜；

21、對所述第二透明導電薄膜進行圖形化處理，得到所述多個導電單元作為所述第二透明導電子層。

22、可選地，所述介質膜層包括依次層疊的第一絕緣反射子層和第二絕緣反射子層；

23、在所述復合透明導電層上制作介質膜層，包括：

24、使用pecvd設備制作所述第一絕緣反射子層，所述第一絕緣反射子層為sio2層；

25、使用光學鍍膜機制作所述第二絕緣反射子層，所述第二絕緣反射子層為dbr層，所述dbr層為sio2和ti3o5周期交替構成的疊層；

26、采用一道圖形化工藝在所述第一絕緣反射子層和所述第二絕緣反射子層上制作所述通孔。

27、可選地，使用光學鍍膜機制作所述第二絕緣反射子層，包括：

28、使用光學鍍膜機交替制作sio2層和ti3o5層，交替的周期為5～13個周期。

29、本公開實施例提供的技術方案帶來的有益效果是：

30、在本公開實施例中，發光二極管中采用復合透明導電層，復合透明導電層包括第一透明導電子層和第二透明導電子層，其中第二透明導電子層包括多個導電單元，多個導電單元間隔排布在第一透明導電子層表面，介質膜層具有與多個導電單元對應的通孔，所述通孔的底部位于導電單元表面。這種結構設計在，對介質膜層進行開孔時，即使過刻蝕也是刻蝕在導電單元上，不影響第一透明導電子層，避免了在制作介質膜層的通孔時過刻蝕，使得透明導電層過薄，導致電流擴展能力下降的問題，提高了發光二極管的可靠性。

技術特征：

1.一種發光二極管，其特征在于，所述發光二極管包括：外延結構(10)、復合透明導電層(105)、介質膜層(106)和金屬反射層(107)；

2.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述第一透明導電子層(1051)的厚度為70～300埃，所述第二透明導電子層(1052)的厚度為50～200埃。

3.根據權利要求1或2所述的發光二極管，其特征在于，所述導電單元(1053)和所述通孔(118)在所述外延結構(10)表面的投影為兩個同心的圓形，所述導電單元(1053)的投影面積大于所述通孔(118)的投影面積。

4.根據權利要求1或2所述的發光二極管，其特征在于，所述介質膜層(106)包括依次層疊的第一絕緣反射子層(1061)和第二絕緣反射子層(1062)；

5.根據權利要求4所述的發光二極管，其特征在于，所述第一絕緣反射子層(1061)為sio2層，所述第二絕緣反射子層(1062)為dbr層，所述dbr層為sio2和ti3o5周期交替構成的疊層。

6.根據權利要求5所述的發光二極管，其特征在于，所述第二絕緣反射子層(1062)中sio2和ti3o5交替的周期為5～13個周期。

7.根據權利要求1或2所述的發光二極管，其特征在于，所述介質膜層(106)的所述通孔(118)側壁為斜坡。

8.根據權利要求7所述的發光二極管，其特征在于，所述通孔(118)的開口的寬度h為30～80μm2。

9.一種發光二極管制備方法，其特征在于，所述方法包括：

10.根據權利要求9所述的發光二極管制備方法，其特征在于，在所述外延結構表面制作復合透明導電層，包括：

技術總結
本公開提供了一種發光二極管及其制備方法。發光二極管包括：外延結構、復合透明導電層、介質膜層和金屬反射層；復合透明導電層包括第一透明導電子層和第二透明導電子層，第二透明導電子層包括多個導電單元；第一透明導電子層位于外延結構表面，多個導電單元間隔排布在第一透明導電子層表面，介質膜層覆蓋第一透明導電子層，介質膜層具有與多個導電單元對應的通孔，通孔的底部位于導電單元表面，金屬反射層覆蓋介質膜層且與通孔內的第二透明導電子層電連接。復合透明導電層包括第一透明導電子層和第二透明導電子層，避免了在制作介質膜層的通孔時過刻蝕，使得透明導電層過薄，導致電流擴展能力下降，提高了發光二極管的可靠性。

技術研發人員：崔偉豪,田艷紅,劉小亮,任茹蓁,王薇,林振華
受保護的技術使用者：京東方華燦光電（浙江）有限公司
技術研發日：
技術公布日：2025/4/24