一個或多個實施例涉及一種顯示設備和制造顯示設備的方法。

背景技術：

1、顯示設備可視化地顯示數(shù)據(jù)。一種顯示設備可以包括劃分為顯示區(qū)域和外圍區(qū)域的基底。在顯示區(qū)域中，可以形成彼此絕緣的掃描線和數(shù)據(jù)線。可以在顯示區(qū)域中包括多個像素。此外，顯示區(qū)域可以包括分別對應于多個像素的薄膜晶體管和分別電連接到薄膜晶體管的像素電極。此外，顯示區(qū)域可以包括多個像素共用的對電極。外圍區(qū)域可以包括配置為將電信號傳輸?shù)斤@示區(qū)域、掃描驅動器、數(shù)據(jù)驅動器、控制器和焊盤單元的各種布線線路。

2、顯示設備的使用已經(jīng)多樣化。因此，已經(jīng)嘗試了各種設計來改善顯示設備的質量。

技術實現(xiàn)思路

1、一個或多個實施例提供了一種能夠以改善的分辨率顯示具備優(yōu)異的質量的圖像的顯示設備。本文中闡述的實施例是示例，并且本公開的范圍不限于此。

2、附加的方面將部分地在下面的描述中闡述，并且部分從描述中將是明顯的，或者可以通過本公開所呈現(xiàn)的實施例的實踐獲知。

3、根據(jù)一個或多個實施例，一種顯示設備包括：基底，包括發(fā)射區(qū)域和感測區(qū)域；發(fā)光元件，在所述基底上并且與所述發(fā)射區(qū)域重疊；下堤層，具有限定所述發(fā)射區(qū)域的下開口，所述下堤層包括第一導電層和在所述第一導電層上的第二導電層；光接收元件，在所述下堤層上并且與所述感測區(qū)域重疊；和上堤層，包括限定所述感測區(qū)域的上開口，其中，所述發(fā)光元件和所述光接收元件位于不同的層處。

4、所述發(fā)光元件可以包括：像素電極，在所述發(fā)射區(qū)域中；發(fā)射層，在所述下堤層的所述下開口中并且與所述像素電極重疊；和對電極，在所述下堤層的所述下開口中并且與所述發(fā)射層重疊。

5、所述光接收元件可以包括：感測電極，在所述感測區(qū)域中；有源層，在所述上堤層的所述上開口中并且與所述感測電極重疊；和感測對電極，在所述有源層以及所述基底的整個表面上。

6、所述發(fā)光元件和所述上堤層彼此重疊，并且所述光接收元件和所述下堤層彼此重疊。

7、所述第二導電層可以包括從所述第二導電層的底表面和所述第一導電層的側表面彼此接觸的點朝向所述下開口延伸的尖端。

8、所述下堤層還可以包括在多個所述下開口之中的彼此相鄰地布置的下開口之間的溝槽。

9、所述下堤層可以包括彼此間隔開的第一部分和第二部分，且所述溝槽介于所述第一部分和所述第二部分之間，其中，所述第一部分和所述第二部分可以彼此電斷開。

10、所述第二部分可以包括所述下堤層的面向所述下開口的側面，并且所述第一部分可以位于多個所述第二部分之中的面向所述多個下開口之中的不同的下開口的第二部分之間。

11、所述第二部分在平面圖中可以在所述第一部分周圍，并且所述第一部分可以具有島狀形狀。

12、所述第一部分可以電連接到所述光接收元件，并且所述第二部分可以電連接到所述發(fā)光元件。

13、所述發(fā)光元件的對電極可以直接接觸所述第二部分的面向所述下開口的側表面。

14、所述顯示設備還可以包括電連接到所述發(fā)光元件的發(fā)射驅動電路以及電連接到所述光接收元件的感測驅動電路，其中，所述發(fā)射驅動電路和所述感測驅動電路可以彼此獨立地被驅動。

15、所述感測驅動電路和所述光接收元件可以經(jīng)由所述第一部分彼此電連接。

16、所述顯示設備還可以包括在所述感測驅動電路和所述下堤層之間的橋接電極，其中，所述第一部分的所述第一導電層的下表面可以與所述橋接電極接觸，并且所述第一部分的所述第二導電層的上表面可以與所述光接收元件的感測電極接觸。

17、所述橋接電極可以與所述發(fā)光元件的像素電極位于同一層處，并且所述橋接電極可以與所述像素電極包括相同的材料。

18、所述顯示設備還可以包括覆蓋所述發(fā)光元件的下封裝層和覆蓋所述光接收元件的上封裝層，其中，所述下封裝層和所述上封裝層可以位于不同的層處。

19、所述下封裝層可以封裝所述發(fā)光元件，并且可以包括彼此間隔開的多個封裝層單元。

20、所述多個封裝層單元中的每一者可以包括：第一下無機封裝層，在所述發(fā)光元件上并延伸以覆蓋所述下開口；下有機封裝層，在所述第一下無機封裝層上并填充所述下開口；和第二下無機封裝層，在所述下有機封裝層上。

21、所述第一下無機封裝層和所述第二下無機封裝層在所述下堤層上可以彼此接觸。

22、所述上封裝層可以包括：第一上無機封裝層，在所述光接收元件上并延伸以覆蓋所述上開口；上有機封裝層，在所述第一上無機封裝層上；和第二上無機封裝層，在所述上有機封裝層上。

23、所述第一上無機封裝層和所述第二上無機封裝層可以彼此間隔開，且所述上有機封裝層介于所述第一上無機封裝層和所述第二上無機封裝層之間。

24、所述第一上無機封裝層可以遍及所述基底的整個表面整體地形成為一體。

25、所述第一上無機封裝層可以封裝多個所述光接收元件中的每一者，并且多個所述第一上無機封裝層可以彼此間隔開。

26、所述上有機封裝層可以包括多個氣腔，其中，所述多個氣腔可以與所述光接收元件重疊。

27、根據(jù)一個或多個實施例，一種制造顯示設備的方法包括：在基底上形成像素電極；在所述像素電極上形成下堤層，所述下堤層包括第一導電層和在所述第一導電層上的第二導電層；在所述下堤層中形成與所述像素電極重疊的下開口；在所述下堤層的所述下開口中形成與所述像素電極重疊的發(fā)射層；在所述下堤層的所述下開口中形成與所述發(fā)射層重疊的對電極；在所述下堤層上形成感測電極；在所述感測電極上形成上堤層；在所述上堤層中形成與所述感測電極重疊的上開口；形成布置在所述上堤層的所述上開口中并且與所述感測電極重疊的有源層；以及在所述上堤層和所述有源層上形成感測對電極。

28、所述方法還可以包括在所述下堤層中在多個所述下開口之中的彼此相鄰地布置的下開口之間形成溝槽，其中，所述溝槽可以與所述下開口經(jīng)由相同的蝕刻工藝來形成。

29、所述下堤層可以包括彼此間隔開的第一部分和第二部分，且所述溝槽介于所述第一部分和所述第二部分之間，其中，所述第一部分可以與所述感測電極接觸，并且所述第二部分可以與所述對電極接觸。

30、所述方法還可以包括在所述形成所述對電極和所述形成所述感測電極之間形成下封裝層，其中，所述形成所述下封裝層可以包括：在所述對電極和所述下堤層上形成第一下無機封裝層；在所述第一下無機封裝層上形成下有機封裝層以填充所述下開口；以及在所述下有機封裝層上形成第二下無機封裝層。

31、所述方法還可以包括：在所述形成所述下有機封裝層和所述形成所述第二下無機封裝層之間，蝕刻所述第一下無機封裝層的在所述下堤層上的部分；以及在所述形成所述第二下無機封裝層和所述形成所述感測電極之間，蝕刻所述第二下無機封裝層的在所述下堤層上的部分。

32、所述感測電極可以穿過通過蝕刻所述第一下無機封裝層和所述第二下無機封裝層中的每一者的一部分而形成的接觸孔電連接到所述下堤層。

33、所述方法還可以包括：在所述形成所述感測對電極之后，形成上封裝層，其中，所述形成所述上封裝層可以包括：在所述感測對電極上遍及所述基底的整個表面形成第一上無機封裝層；在所述第一上無機封裝層上形成上有機封裝層，所述上有機封裝層填充所述上開口并且在所述上堤層上；以及在所述上有機封裝層上形成第二上無機封裝層。

34、所述方法還可以包括：在所述形成所述上有機封裝層和所述形成所述第二上無機封裝層之間，在所述上有機封裝層中形成多個氣腔，其中，所述多個氣腔與所述感測電極重疊。

35、所述方法還可以包括：在所述形成所述像素電極之前，形成電連接到包括所述像素電極、所述發(fā)射層和所述對電極的發(fā)光元件的發(fā)射驅動電路；以及形成電連接到包括所述感測電極、所述有源層和所述感測對電極的光接收元件的感測驅動電路。

36、所述方法還可以包括在所述感測驅動電路和所述下堤層之間形成橋接電極，其中，所述橋接電極可以與所述像素電極經(jīng)由相同的沉積工藝形成。

37、所述感測驅動電路可以經(jīng)由所述橋接電極和所述下堤層電連接到所述感測電極。