本技術(shù)涉及射頻，尤其涉及一種功率放大芯片及射頻前端模組。

背景技術(shù)：

1、背景技術(shù)中，功率放大芯片設(shè)置有晶體管陣列以及與晶體管陣列對(duì)應(yīng)的金屬構(gòu)件，該金屬構(gòu)件將功率放大芯片內(nèi)部的金屬化層延伸到外圍，例如將電信號(hào)從位于功率放大芯片內(nèi)部的晶體管導(dǎo)出至功率放大芯片上的其他元器件單元或電路基板上的元器件單元，并且，功率放大芯片與電路基板之間通過(guò)該金屬構(gòu)件相互連接。隨著晶體管陣列的尺寸增加，金屬構(gòu)件的尺寸隨之增加，導(dǎo)致芯片封裝時(shí)金屬構(gòu)件的應(yīng)力分布不均，甚至?xí)?dǎo)致金屬構(gòu)件由于部分位置受力過(guò)大而容易開(kāi)裂，不利于功率放大芯片中電路性能和可靠性的提高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、鑒于以上問(wèn)題，本技術(shù)實(shí)施例提供一種功率放大芯片及射頻前端模組，以解決上述金屬構(gòu)件封裝時(shí)由于應(yīng)力分布不均勻?qū)е陆饘贅?gòu)件容易開(kāi)裂的技術(shù)問(wèn)題。

2、第一方面，本技術(shù)實(shí)施例提供一種功率放大芯片，包括：

3、至少兩個(gè)晶體管單元，每一所述晶體管單元包括依次排列的多個(gè)晶體管，所述多個(gè)晶體管中的至少兩個(gè)被配置為放大晶體管且至少一個(gè)被配置為第一偏置晶體管，其中所述放大晶體管用于對(duì)輸入的射頻信號(hào)進(jìn)行放大，所述第一偏置晶體管用于為所述放大晶體管提供偏置信號(hào)；

4、與至少兩個(gè)所述晶體管單元一一對(duì)應(yīng)設(shè)置的金屬構(gòu)件，所述金屬構(gòu)件至少與所述晶體管單元中各所述放大晶體管的第一端電連接。

5、可選地，所述功率放大芯片集成有功率放大電路和偏置電路，所述功率放大電路包括所述放大晶體管，所述偏置電路包括所述第一偏置晶體管，所述偏置電路連接于所述放大晶體管的控制端以向所述放大晶體管輸出所述偏置信號(hào)；

6、其中，所述放大晶體管的第一端通過(guò)對(duì)應(yīng)的所述金屬構(gòu)件接地，所述放大晶體管的第二端用于輸出放大后的所述射頻信號(hào)。

7、可選地，所述第一偏置晶體管位于兩個(gè)相鄰的所述放大晶體管之間；或者，所述晶體管單元中的各所述放大晶體管位于所述第一偏置晶體管的同一側(cè)；或者，所述晶體管單元中所述第一偏置晶體管的數(shù)量為兩個(gè)，各所述放大晶體管位于兩個(gè)所述第一偏置晶體管之間。

8、可選地，所述偏置信號(hào)包括偏置電流，所述偏置電路包括第一偏置單元和第二偏置單元，所述第一偏置單元至少包括所述第一偏置晶體管，所述第一偏置晶體管被配置為向所述第二偏置單元輸出跟隨于所述晶體管單元的溫度的控制電流；

9、所述第二偏置單元與所述放大晶體管的控制端連接，用于根據(jù)所述控制電流生成所述偏置電流，并將所述偏置電流輸出至所述放大晶體管。

10、可選地，所述第一偏置單元還包括第二偏置晶體管，所述第二偏置晶體管的第一端與每個(gè)所述第一偏置晶體管的第二端連接，所述第二偏置晶體管的第二端與所述第二偏置單元連接。

11、可選地，所述第二偏置單元包括第三偏置晶體管，所述第三偏置晶體管的控制端與所述第二偏置晶體管的第二端連接，所述第三偏置晶體管的第一端與所述放大晶體管的控制端連接，所述第三偏置晶體管的第二端用于輸入電源電壓。

12、可選地，所述第二偏置單元包括與所述晶體管單元一一對(duì)應(yīng)設(shè)置的多個(gè)第三偏置晶體管，所述第三偏置晶體管的控制端與所述第二偏置晶體管的第二端連接，所述第三偏置晶體管的第一端與對(duì)應(yīng)的所述晶體管單元中的各所述放大晶體管的控制端連接，所述第三偏置晶體管的第二端用于輸入電源電壓。

13、可選地，所述晶體管單元的數(shù)量為兩個(gè)，分別為第一晶體管單元和第二晶體管單元；所述第一偏置單元至少包括所述第一晶體管單元中的所述第一偏置晶體管以及所述第二晶體管單元中的所述第一偏置晶體管；所述第二偏置單元分別連接于所述第一晶體管單元中的各所述放大晶體管和所述第二晶體管單元中的各所述放大晶體管。

14、可選地，所述功率放大芯片集成有與所述晶體管單元一一對(duì)應(yīng)設(shè)置的多個(gè)偏置電路，每個(gè)所述偏置電路包括第一偏置單元和第二偏置單元，所述第一偏置單元至少包括所述第一偏置晶體管，所述第一偏置晶體管位于對(duì)應(yīng)的所述晶體管單元內(nèi)或位于其他晶體管單元內(nèi)，所述第一偏置晶體管被配置為向所述第二偏置單元輸出跟隨于其所在的所述晶體管單元的溫度的控制電流；

15、所述第二偏置單元與對(duì)應(yīng)的所述晶體管單元中的各所述放大晶體管的控制端連接，用于根據(jù)所述控制電流生成偏置電流，并將所述偏置電流輸出至所述放大晶體管。

16、可選地，所述晶體管單元的數(shù)量為至少兩個(gè)，包括第一晶體管單元和第二晶體管單元；所述偏置電路設(shè)置有至少兩個(gè)，包括第一偏置電路和第二偏置電路，所述第一偏置電路與所述第一晶體管單元對(duì)應(yīng)且用于向所述第一晶體管單元中的所述放大晶體管輸出所述偏置電流，所述第二偏置電路與所述第二晶體管單元對(duì)應(yīng)且用于向所述第二晶體管單元中的所述放大晶體管輸出所述偏置電流；

17、其中，所述第一偏置電路的所述第一偏置晶體管位于所述第一晶體管單元內(nèi)；所述第二偏置電路的所述第一偏置晶體管位于所述第二晶體管單元內(nèi)。

18、可選地，所述晶體管單元的數(shù)量為至少兩個(gè)，包括第一晶體管單元和第二晶體管單元；所述偏置電路設(shè)置有至少兩個(gè)，包括第一偏置電路和第二偏置電路，所述第一偏置電路與所述第一晶體管單元對(duì)應(yīng)且用于向所述第一晶體管單元中的所述放大晶體管輸出所述偏置電流，所述第二偏置電路與與所述第二晶體管單元對(duì)應(yīng)且用于向所述第二晶體管單元中的所述放大晶體管輸出所述偏置電流；

19、其中，所述第一偏置電路的所述第一偏置晶體管位于所述第二晶體管單元內(nèi)；所述第二偏置電路的所述第一偏置晶體管位于所述第一晶體管單元內(nèi)。

20、可選地，每個(gè)所述偏置電路還包括與所述第一偏置晶體管對(duì)應(yīng)設(shè)置的第二偏置晶體管，所述第二偏置晶體管的第一端與所述第一偏置晶體管的第二端連接，所述第二偏置晶體管的第二端與所述第二偏置單元連接。

21、可選地，所述放大晶體管為異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管，所述放大晶體管的控制端為基極，所述放大晶體管的第一端為發(fā)射極，所述放大晶體管的第二端為集電極。

22、可選地，所述第一偏置晶體管為異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管，所述第一偏置晶體管的控制端為基極，所述第一偏置晶體管的第一端為發(fā)射極，所述第一偏置晶體管的第二端為集電極，所述第一偏置晶體管的基極與集電極連接；

23、或者，所述第一偏置晶體管為二極管，所述第一偏置晶體管的第一端為負(fù)極，所述第一偏置晶體管的第二端為正極。

24、可選地，所述第一偏置晶體管的第一端通過(guò)對(duì)應(yīng)的所述金屬構(gòu)件接地。

25、可選地，所述第二偏置晶體管為異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管，所述第二偏置晶體管的控制端為基極，所述第二偏置晶體管的第一端為發(fā)射極，所述第二偏置晶體管的第二端為集電極，所述第二偏置晶體管的基極與集電極連接；

26、或者，所述第二偏置晶體管為二極管，所述第二偏置晶體管的第一端為負(fù)極，所述第二偏置晶體管的第二端為正極。

27、可選地，所述金屬構(gòu)件沿第一方向在所述功率放大芯片上的投影與所述晶體管單元的設(shè)置區(qū)域具有重疊區(qū)域，所述第一方向?yàn)樗龉β史糯笮酒暮穸确较颉?/p>

28、可選地，所述晶體管單元的設(shè)置區(qū)域位于所述金屬構(gòu)件沿所述第一方向在所述功率放大芯片上的投影內(nèi)。

29、第二方面，本技術(shù)實(shí)施例提供一種射頻前端模組，包括電路基板以及設(shè)于所述電路基板上的上述的功率放大芯片；所述功率放大芯片設(shè)有金屬構(gòu)件的一面與所述電路基板相對(duì)，所述金屬構(gòu)件連接于所述電路基板，以將所述功率放大芯片倒裝設(shè)置于所述電路基板上。

30、本技術(shù)實(shí)施例提供的功率放大芯片及射頻前端模組，包括至少兩個(gè)晶體管單元以及與至少兩個(gè)晶體管單元一一對(duì)應(yīng)設(shè)置的金屬構(gòu)件，每一晶體管單元的多個(gè)晶體管中的至少兩個(gè)被配置為放大晶體管且至少一個(gè)被配置為第一偏置晶體管；通過(guò)設(shè)置至少兩個(gè)晶體管單元，能夠減小晶體管單元對(duì)應(yīng)的金屬構(gòu)件的尺寸，使金屬構(gòu)件的應(yīng)力分布均勻，從而提高功率放大芯片中電路性能和可靠性；通過(guò)在晶體管單元中設(shè)置至少一個(gè)第一偏置晶體管，利用第一偏置晶體管跟蹤對(duì)應(yīng)晶體管單元的溫度并根據(jù)該溫度為放大晶體管提供偏置信號(hào)，能夠改善晶體管的熱均勻性，有利于提高功率放大芯片的線性度及有利于降低功率放大芯片的誤差矢量幅值。

31、本技術(shù)的這些方面或其他方面在以下實(shí)施例的描述中會(huì)更加簡(jiǎn)明易懂。