本申請涉及腦機接口，尤其涉及一種植入電極及腦機接口裝置。

背景技術：

1、腦機接口已經成為未來發展的重要方向，在現有的腦機接口裝置中，通常是將電極植入到大腦皮層，電極采用光刺激或電刺激的方式，電刺激主要用于神經的修復和再生，區域的受損細胞恢復神經功能，但存在刺激特異性不足的問題。光刺激主要用于精準刺激靶細胞，達到定向治療的目的，但存在刺激范圍小且效率低的問題。因此目前的植入電極的功能較為單一。

技術實現思路

1、有鑒于此，本申請的目的在于提出一種植入電極及腦機接口裝置，集成了光刺激和電刺激功能，有利于兼顧大范圍細胞和單個細胞的刺激治療需求。

2、基于上述目的，本申請提供了一種植入電極，其包括植入部和非植入部，所述非植入部位于所述植入部的一端；

3、所述植入部包括發光單元層和第一金屬層；

4、所述非植入部包括控制模塊；

5、所述植入電極還包括：

6、第一引線，所述第一引線連接所述第一金屬層和所述控制模塊，用于接收所述控制模塊上的第一電信號，所述第一電信號用于驅動所述第一金屬層產生電刺激信號；

7、第二引線，所述第二引線連接所述發光單元層和所述控制模塊，用于接收所述控制模塊上的第二電信號，所述第二電信號用于驅動所述發光單元層產生光刺激信號。

8、在其中一種實施方式中，所述植入部包括第一襯底，所述發光單元層和所述第一金屬層設置于所述第一襯底的同一側或者相對側；

9、所述發光單元層包括多個子像素；

10、優選地，多個所述子像素矩陣排布；

11、優選地，所述子像素包括陽極、陰極和發光材料，所述發光材料設置在所述陽極與所述陰極之間，所述陽極位于所述發光材料靠近所述第一襯底的一側。

12、在其中一種實施方式中，所述植入電極包括第二金屬層，所述第二金屬層與所述發光單元層電性連接，且位于所述發光單元層背離出光面的一側；所述第二金屬層與所述第一金屬層同層制備；

13、優選地，所述第二引線部分位于所述第二金屬層。

14、在其中一種實施方式中，所述第一金屬層在所述發光單元層上的正投影與所述子像素無重疊；

15、優選地，所述第一金屬層在所述發光單元層上的正投影位于相鄰的所述子像素之間；

16、優選地，所述植入部包括植入端，所述植入端位于所述植入部遠離所述非植入部的一端，所述第一金屬層位于所述植入端。

17、在其中一種實施方式中，所述第一金屬層位于所述第一襯底遠離所述發光單元層的一側；

18、優選地，所述第一襯底與所述發光單元層之間設有第一隔絕層和/或第一緩沖層；

19、優選地，所述第一金屬層與所述第一襯底之間設有第二隔絕層和/或第二緩沖層。

20、在其中一種實施方式中，所述第一金屬層位于所述發光單元層遠離所述第一襯底的一側；

21、優選地，所述植入部還包括封裝層，所述封裝層位于所述發光單元層遠離所述第一襯底的一側，所述第一金屬層位于所述封裝層遠離所述第一襯底的一側；

22、優選地，所述第一金屬層在所述發光單元層上的正投影覆蓋所述子像素；

23、優選地，所述第一金屬層的材料包括氧化銦錫。

24、在其中一種實施方式中，所述第一金屬層包括用于產生所述電刺激信號的電極點，所述電極點與所述第一引線連接；

25、優選地，所述第一金屬層包括多個所述電極點；

26、優選地，多個所述電極點沿所述植入部的延伸方向排列，所述第一引線與所述電極點一一對應連接。

27、在其中一種實施方式中，所述非植入部還包括電極外層，所述電極外層位于所述植入部與所述控制模塊之間；

28、所述電極外層包括第三金屬層，所述第一引線包括第一非植入段，所述第二引線包括第二非植入段，所述第一非植入段和所述第二非植入段位于所述第三金屬層；

29、優選地，所述第三金屬層與所述第一金屬層同層制備；

30、優選地，所述電極外層還包括第二襯底和第二支撐膜層，所述第二襯底位于所述第二支撐膜層和所述第三金屬層之間。

31、在其中一種實施方式中，所述控制模塊包括柔性印制電路板，所述柔性印制電路板包括邦定引腳，所述第一引線和所述第二引線分別與所述邦定引腳連接；

32、優選地，所述邦定引腳的延伸方向與所述發光單元層所在的平面垂直。

33、基于同樣的發明構思，本申請還提供了一種腦機接口裝置，其包括上述任一項所述的植入電極。

34、與現有技術相比，本申請提供的植入電極，通過第一金屬層產生電刺激信號，發光單元層產生光刺激信號，形成光電刺激電極，集成光刺激功能和電刺激功能，能夠結合光刺激電極和電刺激電極各自的優勢，針對大范圍的細胞通過電刺激信號進行恢復，若單個細胞未恢復功能，則可以通過光刺激信號進行精準刺激治療，解決了大范圍細胞和單個細胞刺激治療需求難以兼顧的問題，可提升治療效果。

技術特征：

1.一種植入電極，其特征在于，包括植入部和非植入部，所述非植入部位于所述植入部的一端；

2.根據權利要求1所述的植入電極，其特征在于，

3.根據權利要求1所述的植入電極，其特征在于，所述植入電極包括第二金屬層，所述第二金屬層與所述發光單元層電性連接，且位于所述發光單元層背離出光面的一側；所述第二金屬層與所述第一金屬層同層制備；

4.根據權利要求2所述的植入電極，其特征在于，

5.根據權利要求2所述的植入電極，其特征在于，

6.根據權利要求2所述的植入電極，其特征在于，

7.根據權利要求1所述的植入電極，其特征在于，

8.根據權利要求1所述的植入電極，其特征在于，

9.根據權利要求1所述的植入電極，其特征在于，

10.一種腦機接口裝置，其特征在于，包括權利要求1-9任一項所述的植入電極。

技術總結
本申請提供一種植入電極及腦機接口裝置，植入電極包括植入部和非植入部，非植入部位于植入部的一端；植入部包括發光單元層和第一金屬層；非植入部包括控制模塊；植入電極還包括：第一引線，第一引線連接第一金屬層和控制模塊，用于接收控制模塊上的第一電信號，第一電信號用于驅動第一金屬層產生電刺激信號；第二引線，第二引線連接發光單元層和控制模塊，用于接收控制模塊上的第二電信號，第二電信號用于驅動發光單元層產生光刺激信號。本申請提供的植入電極，通過第一金屬層產生電刺激信號，發光單元層產生光刺激信號，解決了大范圍細胞和單個細胞刺激治療需求難以兼顧的問題。

技術研發人員：樓均輝,高洪
受保護的技術使用者：昆山國顯光電有限公司
技術研發日：
技術公布日：2025/4/24