對基板進行烤焙處理的裝置及方法
【專利摘要】本發明公開了一種對基板進行烤焙處理的裝置及方法，該裝置包括：加熱基板(1)；和用于支撐待加工基板(3)的支撐件(2)，所述支撐件(2)位于加熱基板(1)和待加工基板(3)之間，且所述支撐件(2)相對于加熱基板(1)可移動從而調整與待加工基板(3)的接觸位置。該裝置能使基板受熱更均勻從而提高基板的合格率。
【專利說明】對基板進行烤焙處理的裝置及方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及液晶顯示器【技術領域】，具體涉及一種對液晶顯示器的玻璃基板進行烤焙處理的裝置及方法，尤其是用于改善高溫爐內玻璃基板受熱不均的問題。
【背景技術】[0002]液晶基板的生產制造過程中需要對玻璃基板上的PI (Polyimide，聚酰亞胺)液進行預烤焙(Prebake)。烤焙的方式一般是采用紅外線輻射玻璃基板，將玻璃基板加熱到一定溫度，使PI液中的溶劑蒸發，提高PI的濃度。在上述烤焙的過程中，一般會使用頂針或支撐針來支撐玻璃基板，但是由于頂針或支撐針的材質不是完全絕熱的，因此與玻璃基板上與頂針或支撐針接觸的區域跟非接觸區域(玻璃基板上沒有與頂針或支撐針接觸的區域)相比，存在導熱速率的差別，從而使得玻璃基板受熱不均，造成玻璃基板上出現斑點(Mura)缺陷，降低了玻璃基板的合格率。
[0003]如圖4~圖6所示，為一種現有技術的對基板進行烤焙處理的裝置。參照圖4和圖5，現有技術的對玻璃基板進行烤焙處理的裝置包括加熱基板(Hot Plate) I’和頂針(LiftPin)2’，加熱基板I’上開有用于頂針2’穿出的孔，頂針2’經該孔穿過加熱基板I’并支撐待加熱的玻璃基板3’。該現有技術存在以下缺陷:參照圖6，在加熱時，熱氣流(Hot Air)經頂針穿出孔噴至顯示區(Chip AA區)3.1’的背面，使得對應頂針穿出孔的顯示區處(對應玻璃基板3’上的橢圓區域)與其它區域之間存在溫差或受熱不均勻。參照圖5，從而造成玻璃基板3’的顯示區3.1’上出現銷斑點(Pin Mura)缺陷,所述銷斑點(Pin Mura)缺陷與頂針2’在玻璃基板3’上的支撐位置相對應，影響了玻璃基板的質量和合格率。

【發明內容】

[0004]本發明所要解決的一個技術問題是，提供一種對玻璃基板進行烤焙處理的裝置，該裝置能使基板受熱更均勻從而提高基板的合格率。
[0005]本發明的技術解決方案是，提供一種具有以下結構的對玻璃基板進行烤焙處理的裝置，包括:加熱基板；和用于支撐待加工基板的支撐件，所述支撐件位于加熱基板和待加工基板之間，且所述支撐件相對于加熱基板可移動從而調整與待加工基板的接觸位置。
[0006]與現有技術相比，本發明的對基板進行烤焙處理的裝置具有以下優點。由于本發明中用于支撐待加工基板(例如待加熱的玻璃基板)支撐件可相對加熱基板移動，從而可根據待加工基板或待加熱工件(例如玻璃基板)的具體結構來調整支撐件與待加工基板的接觸位置。尤其是將支撐件調節待加工基板的非顯示區，如待加工基板的邊沿區和/或顯示區之間的間隔區，從而避免對所述工件的損壞以及避免由于支撐件頂在顯示區而造成的受熱不均勻的情況，達到改善現有技術中的待加工基板的顯示區受熱狀況，減少或避免斑點缺陷。而且，由于不需要在加熱基板上設置頂針通孔，使得基板受熱更均勻，避免銷斑點的形成，從而達到提聞基板的合格率的目的。
[0007]作為本發明的對基板進行烤焙處理的裝置的一種改進，所述支撐件包括多個長條狀的基部，每個所述長條狀的基部朝向加熱基板的一面設有多個間隔排列的、用于支撐待加工基板的頂針。所述多個長條狀的基部可相對待加工基板(如玻璃基板)前后左右移動，從而找到頂針與待加工基板(如玻璃基板)的最佳接觸位置。 [0008]作為本發明的對基板進行烤焙處理的裝置的一種優選，所述長條狀的基部的寬度不大于待加工基板分割出的兩排顯示區之間的間隔區的寬度。長條狀的基部不會阻擋加熱基板對待加工基板(如玻璃基板)顯示區的加熱，從而使得待加工基板(如玻璃基板)受熱更均勻。
[0009]作為本發明的對基板進行烤焙處理的裝置的另一種優選，所述長條狀的基部的長度大于待加工基板的長度。方便長條狀的基部的移動。
[0010]作為本發明的對基板進行烤焙處理的裝置的另一種改進，所述支撐件包括一整塊板構成的基部，所述基部朝向加熱基板的一面設有多個間隔排列、用于支撐待加工基板的頂針。一整塊板構成的基部在移動時比較方便，從而通過移動基部來尋找到頂針與待加工基板(如玻璃基板)的最佳接觸位置。
[0011]作為本發明的對基板進行烤焙處理的裝置的還有一種優選，所述基部的長度和寬度均不小于加熱基板的長度和寬度。所述一整塊板構成的基部位于加熱基板與對待加工基板(如玻璃基板)之間，當基部的長度和寬度均不小于加熱基板的長度和寬度時，加熱時待加工基板(如玻璃基板)受到基部的影響是均衡的，從而避免待加工基板(如玻璃基板)受熱不均勻的狀況出現。
[0012]本發明所要解決的另一個技術問題是，提供一種能使基板受熱更均勻的對玻璃基板進行烤焙處理的方法。
[0013]針對該技術問題，本發明的技術解決方案是，提供一種對基板進行烤焙處理的方法，該方法采用本發明的對基板進行烤焙處理的裝置，包括步驟:
[0014]將支撐件兩端放置在用于烤焙待加工基板的烤爐內，并由烤爐兩側的支撐機構支撐；
[0015]將待加工基板固定在烤爐內；
[0016]移動支撐件使其支撐在待加工基板的非顯示區；
[0017]通過加熱基板對待加工基板進行加熱。
[0018]該方法通過移動支撐件使其支撐在待加工基板的非顯示區，從而避免在加熱時因支撐件支撐在待加工基板(如玻璃基板)的顯示區而造成顯示區的受熱不均勻現象，改善顯示區的受熱狀況，使得待加工基板(如玻璃基板)尤其是顯示區的受熱更均勻。
[0019]作為本發明的對基板進行烤焙處理的方法的一種優選，所述非顯示區是指除顯示區以外的待加工基板上的區域。
[0020]作為本發明的對基板進行烤焙處理的方法的另一種優選，所述非顯示區包括間隔區和/或邊沿區。非顯示區即頂針與待加工基板(如玻璃基板)的最佳接觸位置，根據待加工基板(如玻璃基板)的不同形狀選擇最佳接觸區域。
[0021]作為本發明的對基板進行烤焙處理的方法的還有一種優選，所述烤爐內的溫度為120°C~240°C。根據不同材質或屬性的待加工基板(如玻璃基板)，選擇合適的加熱溫度。
【專利附圖】

【附圖說明】[0022]圖1所示是本發明的對基板進行烤焙處理的裝置的結構示意圖。
[0023]圖2所示是圖1中的一種實施例的俯視結構示意圖。
[0024]圖3所示是圖1中的另一種實施例的俯視結構示意圖。
[0025]圖4所示是一種現有技術的對基板進行烤焙處理的裝置的結構示意圖。
[0026]圖5所示是圖4的一種實施例的俯視結構示意圖。
[0027]圖6所示是圖4中的玻璃基板受熱狀況的示意圖。
[0028]圖1~圖3中:1、加熱基板，2、支撐件，2.1、基部，2.2、頂針，3、待加工基板，3.1、顯示區，3.2、間隔區，3.3、邊沿區。
[0029]圖4~圖6中:1’、加熱基板，2’、頂針，3’、玻璃基板，3.1’、顯示區。
【具體實施方式】
[0030]下面結合附圖和具體實施例對本發明作進一步說明。
[0031]如圖1所示為本發明的對基板進行烤焙處理的裝置的結構示意圖。該裝置包括:
[0032]加熱基板I ;和
[0033]用于支撐待加工基板3的支撐件2，所述支撐件2位于加熱基板I和待加工基板3之間，且所述支撐件2相對于加熱基板I可移動從而調整與待加工基板3的接觸位置。
[0034]在本發明的的具體實施例中，所述待加工基板3為玻璃基板，但本發明不限于玻璃基板，待加工基板3包括所有可用于液晶顯示器的待加工基板。
[0035]在圖2和圖3中，分別顯示了兩種具體實施例。
[0036]如圖2所示,所述待加熱的玻璃基板分為12個顯示區3.1,所述12個顯示區3.1分為四排和兩列。所述支撐件2包括五個可前后左右移動的長條狀的基部2.1，每個所述長條狀的基部2.1朝向加熱基板I的一面設有多個間隔排列的、用于支撐待加工基板3的頂針2.2。其中，兩個帶有頂針2.2的長條狀基部2.1位于前后側的邊沿區3.3，另外的三個帶有頂針2.2的長條狀基部2.1頂在相鄰排的顯示區3.1之間的間隔區3.2。
[0037]如圖3所示，所述玻璃基板分為6個顯示區3.1，呈三排兩列分布。可移動的支撐件包括四個長條狀的基部2.1，每個長條狀的基部2.1上均設有若干個頂針2.2，所述頂針
2.2分別頂在玻璃基板的前后側的邊沿區3.3和相鄰排的顯示區3.1之間的間隔區3.2。
[0038]優選地，所述長條狀的基部2.1的寬度不大于待加工基板3分割出的兩排顯示區
3.1之間的間隔區3.2的寬度。也就是說，如圖2和圖3所示，優選為基部2.1的寬度小于相鄰排的顯示區3.1之間的間隔區3.2的寬度。在圖2和圖3中，所述寬度指圖示的上下位置。所述的前后也指的是寬度方向。
[0039]優選地，所述長條狀的基部2.1的長度大于待加工基板3的長度。
[0040]在一個未示出的實施例中，所述支撐件2包括一整塊板構成的基部2.1，所述基部
2.1朝向加熱基板I的一面設有多個間隔排列、用于支撐待加工基板3的頂針2.2。
[0041]優選地，所述基部2.1的長度和寬度均不小于加熱基板I的長度和寬度。
[0042]本發明還公開了一種對基板進行烤焙處理的方法，采用本發明的對基板進行烤焙處理的裝置，包括步驟:
[0043]將支撐件2兩端放置在用于烤焙待加工基板3的烤爐內，并由烤爐兩側的支撐機構支撐；[0044]將待加工基板3固定在烤爐內；
[0045]移動支撐件2使其支撐在待加工基板3的非顯示區；
[0046]通過加熱基板I對待加工基板3進行加熱。
[0047]所述非顯示區是指除顯示區3.1以外的待加工基板3上的區域。
[0048]所述非顯示區包括間隔區3.2和/或邊沿區3.3。
[0049]所述烤爐內的溫度為120°C~240°C。
[0050]雖然已經結合具體實施例對本發明進行了描述，然而可以理解，在不脫離本發明的范圍的情況下，可以對其進行各種改進或替換。尤其是，只要不存在結構上的沖突，各實施例中的特征均可相互結合起來，所形成的組合式特征仍屬于本發明的范圍內。本發明并不局限于文中公開的特定實施例，而是包括落入權利要求的范圍內的所有技術方案。
【權利要求】
1.一種對基板進行烤焙處理的裝置，包括: 加熱基板(I);和 用于支撐待加工基板⑶的支撐件(2)，所述支撐件(2)位于加熱基板⑴和待加工基板(3)之間，且所述支撐件(2)相對于加熱基板(I)可移動從而調整與待加工基板(3)的接觸位置。
2.根據權利要求1所述的對基板進行烤焙處理的裝置，其特征在于，所述支撐件(2)包括多個長條狀的基部(2.1)，每個所述長條狀的基部(2.1)朝向加熱基板(I)的一面設有多個間隔排列的、用于支撐待加工基板⑶的頂針(2.2)。
3.根據權利要求2所述的對基板進行烤焙處理的裝置，其特征在于，所述長條狀的基部(2.1)的寬度不大于待加工基板(3)分割出的兩排顯示區(3.1)之間的間隔區(3.2)的覽度。
4.根據權利要求3所述的對基板進行烤焙處理的裝置，其特征在于，所述長條狀的基部(2.1)的長度大于待加工基板(3)的長度。
5.根據權利要求1所述的對基板進行烤焙處理的裝置，其特征在于，所述支撐件(2)包括一整塊板構成的基部(2.1)，所述基部(2.1)朝向加熱基板(I)的一面設有多個間隔排列、用于支撐待加工基板(3)的頂針(2.2)。
6.根據權利要求5所述的對基板進行烤焙處理的裝置，其特征在于，所述基部(2.1)的長度和寬度均不小于加熱基板(I)的長度和寬度。.
7.一種對基板進行烤焙處理的方法，其特征在于，采用權利要求1~6中任一項所述的裝置，包括步驟: 將支撐件(2)兩端放置在用于烤焙待加工基板(3)的烤爐內，并由烤爐兩側的支撐機構支撐； 將待加工基板(3)固定在烤爐內； 移動支撐件(2)使其支撐在待加工基板(3)的非顯示區； 通過加熱基板(I)對待加工基板(3)進行加熱。
8.根據權利要求7所述的對基板進行烤焙處理的方法，其特征在于，所述非顯示區是指除顯示區(3.1)以外的待加工基板(3)上的區域。
9.根據權利要求8所述的對基板進行烤焙處理的方法，其特征在于，所述非顯示區包括間隔區(3.2)和/或邊沿區(3.3)。
10.根據權利要求7所述的對基板進行烤焙處理的方法，其特征在于，所述烤爐內的溫度為 120°C~240°C。
【文檔編號】C03B32/00GK103466927SQ201310408421
【公開日】2013年12月25日 申請日期:2013年9月9日 優先權日:2013年9月9日
【發明者】孫世英 申請人:深圳市華星光電技術有限公司