專利名稱：陣列基板、陣列基板制備方法及顯示器件的制作方法
技術領域：
本發明涉及液晶顯示技術領域，特別涉及一種陣列基板、陣列基板制備方法及顯示器件。
背景技術：
對于液晶顯示器件，由于提供液晶顯示的光源經折射和反射后輸出時已有一定的方向性，在超出一定范圍觀看時會產生色彩失真現象，因而可視角度是評價液晶顯示器件性能的重要參數。可視角度是指用戶可以從不同的方向清晰地觀察屏幕上所有內容的角度。液晶顯示器件的可視角度包括水平可視角度和垂直可視角度兩個指標，最大可視角度越大，可正常觀看液晶顯示器件圖像的范圍越大。傳統技術中液晶顯示器件的最大可視角度通常為120°，一直是制約液晶顯示器件顯示效果的瓶頸。
為實現液晶顯示器件的寬視角顯示，現有技術中首先出現了 IPS (In-Plane-Switching,平面方向轉換)技術，IPS面板中的電極結構如圖I所示，IPS面板最大的特點就是它的像素電極3和公共電極4這兩類電極都在形成TFT (Thin Film Transistor,薄膜晶體管)基板的下基板I的同一個面上,形成CF (Color Filter,彩膜)基板的上基板2上沒有制作電極，而不像其他液晶模式的電極是在TFT基板的上下兩面立體排列。但由于電極在同一平面上，不管在何種狀態下液晶分子始終都與屏幕平行，會使開口率降低，減少透光率，所以當IPS應用在大尺寸液晶顯示器件(如液晶電視等)上時會需要更多的背光燈，增加背光模組的結構復雜度以及液晶顯示器件的成本。發明內容
(一)要解決的技術問題
本發明要解決的技術問題是如何提高液晶顯示器件的開口率、透光率、響應速度， 以及降低其成本。
(二)技術方案
為解決上述技術問題，本發明具體采用如下方案進行
首先，本發明提供一種陣列基板，包括形成在基板上的TFT和設置在基板上的像素區域，所述像素區域對應設置有柵絕緣層，所述柵絕緣層的一側表面上交替排列設置第一像素電極和第一公共電極，所述柵絕緣層的另一側表面上交替排列設置第二公共電極和第二像素電極，位于不同面上的所述第一像素電極和第二公共電極上下對應設置，位于不同面上的所述第一公共電極和第二像素電極上下對應設置；其中，像素電極與公共電極極性相反。
其中，所述柵絕緣層兩端邊緣處分別設置有像素電極連接線和公共電極連接線。
其中，所述像素電極連接線和所述公共電極連接線上分別設有過孔，設置在所述柵絕緣層不同面上且極性相同的像素電極通過過孔相導通，設置在所述柵絕緣層不同面上且極性相同的公共電極通過過孔相導通。
其中，所述柵絕緣層同一面上的像素電極和公共電極的面積相等，其中一面上電極的面積大于另一面上電極的面積。
其中，面積較小的電極對應設置在面積較大的電極的中部。
本發明還提供了一種陣列基板制備方法，包括以下過程
在基板上形成TFT以及像素區域，所述像素區域對應形成有柵絕緣層，其中，所述柵絕緣層的一側表面上交替排列形成第一像素電極和第一公共電極，所述柵絕緣層的另一側表面上交替排列形成第二公共電極和第二像素電極，位于不同面上的所述第一像素電極和第二公共電極上下對應設置，位于不同面上的所述第一公共電極和第二像素電極上下對應設置；其中，像素電極與公共電極極性相反。
其中，在所述柵絕緣層兩端邊緣處分別形成有像素電極連接線和公共電極連接線，所述像素電極連接線和所述公共電極連接線上分別設有過孔，所述柵絕緣層不同面上且極性相同的像素電極通過過孔相導通，所述柵絕緣層不同面上且極性相同的公共電極通過過孔相導通。
其中，所述柵絕緣層同一面上的像素電極和公共電極的面積相等，其中一面上電極的面積大于另一面上電極的面積。
其中，面積較小的電極對應設置在面積較大的電極的中部。
本發明進一步提供了一種顯示器件，所述顯示器件包括上述陣列基板或上述陣列基板制備方法所制備的陣列基板。
(三)有益效果
本發明中，通過在陣列基板柵絕緣層兩側表面上分別設置交替排列的像素電極和公共電極，并使像素電極和公共電極極性相反，且兩面上像素電極和公共電極上下對應，實現該電極結構在加電壓的情況下既有邊緣場又有平面電場，可以直接使用現有的IPS模式中的驅動方式來進行驅動，不會增加驅動電路的復雜度，并且所形成的顯示器件響應速度快，成本低，在不增加設計難度的情況下提高了開口率和透光率。


圖I為現有技術中IPS模式電極結構的示意圖2為本發明實施例中陣列基板所采用的電極結構的截面示意圖3為本發明實施例中陣列基板所采用的電極結構的平面示意圖。
具體實施方式
下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發明的一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。
實施例I
本實施例提供了一種陣列基板，該陣列基板包括形成在基板上的TFT和設置在基板上的像素區域，所述像素區域對應設置有柵絕緣層，其中陣列基板所采用的電極結構如圖2和圖3所示，具體為，所述柵絕緣層的一側表面上交替排列設置第一像素電極3-1和第一公共電極4-1，所述柵絕緣層的另一側表面上交替排列設置第二公共電極4-2和第二像素電極3-2，位于不同面上的所述第一像素電極3-1和第二公共電極4-2上下對應設置，位于不同面上的所述第一公共電極4-1和第二像素電極3-2上下對應設置；其中，像素電極與公共電極極性相反。在圖2所示優選的實施例中，像素電極極性為+、公共電極極性為-;當然，本領域相關技術人員也能理解，采用與圖2完全相反的設置也同樣適用于本發明中。
采用上述方式，由于像素電極和公共電極交替排列且極性相反，因而在加電時位于同一面的相鄰電極之間可以形成平面電場；又由于在兩面都對應形成有極性相反的電極，因而在加電時兩面的對應電極間又能獲得邊緣場，從而使得本發明的電極結構在具備 IPS模式的優點的前提下，能夠通過同一平面內像素間電極產生邊緣電場，使電極間以及電極正上方的取向液晶分子都能在(平行于基板)平面方向發生旋轉轉換，從而提高液晶層的開口率和透光效率。
進一步參見圖3的平面圖，本實施例中的電極結構還包括分別設置在所述柵絕緣層兩端邊緣處的像素電極連接線6和公共電極連接線7。其中，所述像素電極連接線6和所述公共電極連接線7上分別對應設有第一過孔8和第二過孔9，設置在所述柵絕緣層的不同面上且極性相同的像素電極(第一像素電極3-1和第二像素電極3-2)通過所述第一過孔8與像素電極連接線6相連接，不同面上的公共電極(第一公共電極4-1和第二公共電極 4-2)通過第二過孔9與公共電極連接線7相連接。
優選地，本發明中的像素電極和公共電極均為條狀電極。更優選地，設置在柵絕緣層同一面上的像素電極和公共電極的面積相等，且其中一面上的電極的面積大于另一面上的電極的面積。面積較小的電極對應設置(即投影位置有重疊，但兩者之間被絕緣層隔開) 在面積較大的電極的中部。
通過上述各實施方式中的設置，本發明的電極結構在加電壓的情況下形成的電場既有邊緣場又有平面電場，屬于FFS模式和IPS模式的組合，因而可以直接使用現有的驅動方式來進行驅動，即只需要像普通的顯示模式一樣的單TFT單像素電極驅動即可，從而降低了驅動的實現復雜度，在不增加設計難度的情況下提高了透光率，成本得到了降低。
實施例2
本實施例提供了一種陣列基板制備方法，該制備方法針對實施例2中的陣列基板來實施，具體地，該制備方法包括以下過程
在基板上形成TFT以及像素區域，所述像素區域對應形成有柵絕緣層，其中，所述柵絕緣層的一側表面上交替排列形成第一像素電極和第一公共電極，所述柵絕緣層的另一側表面上交替排列形成第二公共電極和第二像素電極，位于不同面上的所述第一像素電極和第二公共電極上下對應設置，位于不同面上的所述第一公共電極和第二像素電極上下對應設置；其中，像素電極與公共電極極性相反。
根據實施例I中電極結構的設置，在所述柵絕緣層兩端邊緣處分別形成有像素電極連接線和公共電極連接線，所述像素電極連接線和所述公共電極連接線上分別設有過孔，所述柵絕緣層不同面上且極性相同的像素電極通過過孔相導通，所述柵絕緣層不同面上且極性相同的公共電極通過過孔相導通。進一步地，所述柵絕緣層同一面上的像素電極和公共電極的面積相等，其中一面上電極的面積大于另一面上電極的面積；面積較小的電極對應設置在面積較大的電極的中部。5
實施例3
本實施例提供了一種顯示器件，其包括實施例I中所述的陣列基板或實施例2中所制備的陣列基板，所述顯示器件可以為液晶面板、電子紙、OLED面板、液晶電視、液晶顯示器、數碼相框、手機、平板電腦等具有任何顯示功能的產品或部件。
由上述實施例可知，本發明通過在陣列基板柵絕緣層兩側表面上分別設置交替排列的像素電極和公共電極，并使像素電極和公共電極極性相反，且兩面上像素電極和公共電極上下對應，實現該電極結構在加電壓的情況下既有邊緣場又有平面電場，可以直接使用現有的IPS模式中的驅動方式來進行驅動，不會增加驅動電路的復雜度，并且所形成的顯示器件響應速度快，成本低，在不增加設計難度的情況下提高了開口率和透光率。
以上實施方式僅用于說明本發明，而并非對本發明的限制，有關技術領域的普通技術人員，在不脫離本發明的精神和范圍的情況下，還可以做出各種變化和變型，因此所有等同的技術方案也屬于本發明的范疇，本發明的實際保護范圍應由權利要求限定。
權利要求
1.一種陣列基板，包括形成在基板上的TFT和設置在基板上的像素區域，所述像素區域對應設置有柵絕緣層，其特征在于，所述柵絕緣層的ー側表面上交替排列設置第一像素電極和第一公共電極，所述柵絕緣層的另ー側表面上交替排列設置第二公共電極和第二像素電極，位于不同面上的所述第一像素電極和第二公共電極上下對應設置，位于不同面上的所述第一公共電極和第二像素電極上下對應設置；其中，像素電極與公共電極極性相反。
2.根據權利要求I所述的陣列基板，其特征在于，所述柵絕緣層兩端邊緣處分別設置有像素電極連接線和公共電極連接線。
3.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述像素電極連接線和所述公共電極連接線上分別設有過孔，設置在所述柵絕緣層不同面上且極性相同的像素電極通過過孔相導通，設置在所述柵絕緣層不同面上且極性相同的公共電極通過過孔相導通。
4.根據權利要求I所述的陣列基板，其特征在于，所述柵絕緣層同一面上的像素電極和公共電極的面積相等，其中一面上電極的面積大于另一面上電極的面積。
5.根據權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，面積較小的電極對應設置在面積較大的電極的中部。
6.一種陣列基板制備方法，其特征在于，包括以下過程 在基板上形成TFT以及像素區域，所述像素區域對應形成有柵絕緣層，其中，所述柵絕緣層的ー側表面上交替排列形成第一像素電極和第一公共電極，所述柵絕緣層的另ー側表面上交替排列形成第二公共電極和第二像素電極，位于不同面上的所述第一像素電極和第ニ公共電極上下對應設置，位于不同面上的所述第一公共電極和第二像素電極上下對應設置；其中，像素電極與公共電極極性相反。
7.根據權利要求6所述的陣列基板制備方法，其特征在于，在所述柵絕緣層兩端邊緣處分別形成有像素電極連接線和公共電極連接線，所述像素電極連接線和所述公共電極連接線上分別設有過孔，所述柵絕緣層不同面上且極性相同的像素電極通過過孔相導通，所述柵絕緣層不同面上且極性相同的公共電極通過過孔相導通。
8.根據權利要求6所述的陣列基板制備方法，其特征在于，所述柵絕緣層同一面上的像素電極和公共電極的面積相等，其中一面上電極的面積大于另一面上電極的面積。
9.根據權利要求8所述的陣列基板制備方法，其特征在于，面積較小的電極對應設置在面積較大的電極的中部。
10.一種顯示器件，其特征在于，所述顯示器件包括權利要求1-5任ー項所述陣列基板或權利要求6-9任ー項所述陣列基板制備方法所制備的陣列基板。
全文摘要
本發明涉及顯示技術領域，公開了一種陣列基板、陣列基板制備方法及顯示器件。所述陣列基板包括形成在基板上的TFT和設置在基板上的像素區域，像素區域對應設置有柵絕緣層，柵絕緣層的一側表面上交替排列設置第一像素電極和第一公共電極，柵絕緣層的另一側表面上交替排列設置第二公共電極和第二像素電極，位于不同面上的第一像素電極和第二公共電極上下對應設置，位于不同面上的第一公共電極和第二像素電極上下對應設置；其中，像素電極與公共電極極性相反。本發明實現電極結構在加電壓的情況下既有邊緣場又有平面電場，可以直接使用IPS驅動方式來進行驅動，降低了驅動的實現復雜度，響應速度快，成本低，在不增加設計難度的情況下提高了透光率。
文檔編號G02F1/1362GK102981320SQ20121045465
公開日2013年3月20日 申請日期2012年11月13日 優先權日2012年11月13日
發明者秦廣奎, 柳在健 申請人:京東方科技集團股份有限公司