技術(shù)總結(jié)
一種反射式等離子體納米結(jié)構(gòu)光開關(guān)及其制備方法，包括用于改變?nèi)肷涔馄穹较虻钠裾{(diào)制器件和等離子體納米結(jié)構(gòu)，該等離子體納米結(jié)構(gòu)包括底層的金屬薄膜、中間層的電介質(zhì)薄膜和分布在電介質(zhì)薄膜上表面的若干金屬納米環(huán)，且金屬納米環(huán)對(duì)稱分布并形成周期排布的金屬納米環(huán)陣列。本發(fā)明利用由金屬薄膜、電介質(zhì)薄膜和金屬納米環(huán)陣列形成的等離子體納米結(jié)構(gòu)，當(dāng)入射光以不同偏振方向照射到該等離子體納米結(jié)構(gòu)時(shí)，幾乎能夠被全部反射或全部吸收，從而形成對(duì)入射光的“開”或“關(guān)”狀態(tài)的控制，相比較于透射式光開關(guān)的消光比低的問題，本發(fā)明具有更大的消光比系數(shù)，而且制備方法簡(jiǎn)單，易于集成。

技術(shù)研發(fā)人員：何金娜;萬明理;孫小軍;張曉朋;李勇;周豐群
受保護(hù)的技術(shù)使用者：平頂山學(xué)院
文檔號(hào)碼：201611151305
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.14
技術(shù)公布日：2017.05.31