本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種顯示面板的陣列基板及顯示裝置。

背景技術(shù)：

隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，液晶顯示器(liquidcrystaldisplay，lcd)等平面顯示裝置因具有高畫質(zhì)、省電、機(jī)身薄及應(yīng)用范圍廣等優(yōu)點(diǎn)，而被廣泛的應(yīng)用于手機(jī)、電視、個(gè)人數(shù)字助理、數(shù)字相機(jī)、筆記本電腦、臺(tái)式計(jì)算機(jī)等各種消費(fèi)性電子產(chǎn)品，成為顯示裝置中的主流。

現(xiàn)有市場上的最常用扭曲向列型(tn)液晶顯示面板，給其通電后，液晶分子在電場的作用下發(fā)生扭曲，即通過控制液晶分子的排列控制光的通過。向列型(tn)液晶顯示面板包括彩膜基板、陣列基板、夾于彩膜基板與陣列基板之間的液晶盒。彩膜基板上設(shè)有透明公共電極，陣列基板上設(shè)有像素電極，透明公共電極與像素電極之間產(chǎn)生驅(qū)使液晶分子扭曲的電場。

具體地，陣列基板包括基板和設(shè)置在基板上的柵極、金屬公共電極、像素電極，柵極和金屬公共電通過同一道光照制程形成在基板上，像素電極設(shè)置于柵極和金屬公共電極的上方，且像素電極與柵極之間形成第一存儲(chǔ)電容，像素電極與金屬公共電極之間形成第二存儲(chǔ)電容。由于柵極與像素電極之間形成第一存儲(chǔ)電容，因此柵極走線的寬度較大，柵極不透光，造成像素開口率降低。而且，金屬公共電極不透光，同樣會(huì)降低像素開口率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于，提供了一種顯示面板的陣列基板，省去了利用金屬制作公共電極的電極走線，有利于提高開口率，節(jié)省功耗。

本發(fā)明解決其技術(shù)問題是采用以下的技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。

一種顯示面板的陣列基板，包括基板和設(shè)置在基板上的柵極、有源層、源極、漏極以及與漏極連接的像素電極，陣列基板還包括透明電極，透明電極設(shè)置于像素電極的下方，且透明電極與像素電極之間形成存儲(chǔ)電容。

在本發(fā)明的較佳實(shí)施例中，上述陣列基板還包括柵極絕緣層、第一絕緣層和第二絕緣層，柵極絕緣層設(shè)置在基板上，并覆蓋柵極，有源層設(shè)置在柵極絕緣層上，源極和漏極設(shè)置在有源層上，第一絕緣層設(shè)置在柵極絕緣層、有源層、源極和漏極上，透明電極設(shè)置在第一絕緣層上，第二絕緣層設(shè)置在第一絕緣層上，并覆蓋透明電極，像素電極設(shè)置在第二絕緣層上。

在本發(fā)明的較佳實(shí)施例中，上述第一絕緣層和第二絕緣層上設(shè)有露出漏極的通孔，像素電極穿過通孔并與漏極連接。

在本發(fā)明的較佳實(shí)施例中，上述陣列基板還包括數(shù)據(jù)電極，數(shù)據(jù)電極設(shè)置在柵極絕緣層上，并位于透明電極的下方。

在本發(fā)明的較佳實(shí)施例中，上述像素電極部分覆蓋柵極和數(shù)據(jù)電極。

在本發(fā)明的較佳實(shí)施例中，上述透明電極為連續(xù)的面狀結(jié)構(gòu)。

在本發(fā)明的較佳實(shí)施例中，上述透明電極包括開孔區(qū)和非開孔區(qū)，開孔區(qū)內(nèi)設(shè)置有多個(gè)貫穿透明電極的開口。

在本發(fā)明的較佳實(shí)施例中，上述透明電極由氧化銦錫制成。

本發(fā)明的目的在于，提供了一種顯示裝置，省去了利用金屬制作公共電極的電極走線，有利于提高開口率，節(jié)省功耗。

一種顯示裝置，包括上述的顯示面板的陣列基板。

在本發(fā)明的較佳實(shí)施例中，上述顯示裝置還包括彩膜基板和液晶盒，該液晶盒設(shè)置于該彩膜基板與該陣列基板之間，該彩膜基板上設(shè)有公共電極。

本發(fā)明的顯示面板的陣列基板包括基板和設(shè)置在基板上的柵極、有源層、源極、漏極以及與漏極連接的像素電極，陣列基板還包括透明電極，透明電極設(shè)置于像素電極的下方，且透明電極與像素電極之間形成存儲(chǔ)電容。本發(fā)明的陣列基板的像素電極與透明電極之間形成存儲(chǔ)電容，替換了現(xiàn)有像素電極與不透明金屬公共電極形成的存儲(chǔ)電容，在aa區(qū)內(nèi)可以部分省去利用金屬制作公共電極的電極走線，有利于提高開口率，節(jié)省功耗。而且，本發(fā)明的陣列基板的像素電極與透明電極之間形成存儲(chǔ)電容替換了現(xiàn)有像素電極與不透明金屬柵極形成的存儲(chǔ)電容，可減小柵極走線在像素區(qū)域的寬度，有利于提高開口率，節(jié)省功耗。

上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實(shí)施例，并配合附圖，詳細(xì)說明。

附圖說明

圖1是本發(fā)明第一實(shí)施例的顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是本發(fā)明第二實(shí)施例的顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3是本發(fā)明第二實(shí)施例的透明電極的平面結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對依據(jù)本發(fā)明提出的顯示面板的陣列基板和顯示裝置的具體實(shí)施方式、結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細(xì)說明如下:

有關(guān)本發(fā)明的前述及其它技術(shù)內(nèi)容、特點(diǎn)及功效，在以下配合參考圖式的較佳實(shí)施例的詳細(xì)說明中將可清楚呈現(xiàn)。通過具體實(shí)施方式的說明，當(dāng)可對本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定目的所采取的技術(shù)手段及功效得以更加深入且具體的了解，然而所附圖式僅是提供參考與說明之用，并非用來對本發(fā)明加以限制。

圖1是本發(fā)明第一實(shí)施例的顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，本發(fā)明的顯示裝置10的液晶顯示模式為扭曲項(xiàng)列型(twistednematic；tn)顯示模式。在本實(shí)施例中，顯示裝置10包括彩膜基板12、液晶盒14和陣列基板16，液晶盒14設(shè)置于彩膜基板12與陣列基板16之間。

彩膜基板12包括玻璃板122、黑矩陣123、色阻層124和公共電極125，黑矩陣123和色阻層124設(shè)置在玻璃板122上，公共電極125設(shè)置在黑矩陣123和色阻層124上。在本實(shí)施例中，公共電極125由氧化銦錫(ito)材料制成。

液晶盒14內(nèi)具有向列型(nematic)液晶。在本實(shí)施例中，液晶盒14的兩側(cè)設(shè)置有90°的扭曲(twisted)配向結(jié)構(gòu)。

陣列基板16包括基板17以及依次設(shè)置在基板17上的柵極161、柵極絕緣層163、數(shù)據(jù)電極162、有源層164、源極165a、漏極165b、第一絕緣層166、透明電極167、第二絕緣層168和像素電極169。在本實(shí)施例中，陣列基板16為顯示面板的陣列基板。

具體地，基板17由透明的玻璃制成。

柵極161設(shè)置在基板17上。在本實(shí)施例中，柵極161的材料為鉬(mo)、鈦(ti)、鋁(al)、銅(cu)中的一種或多種的堆棧組合。

柵極絕緣層163設(shè)置在基板17上，并覆蓋柵極161。在本實(shí)施例中，柵極絕緣層163例如由氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)或符合材料制成。

數(shù)據(jù)電極162設(shè)置在柵極絕緣層163上。在本實(shí)施例中，數(shù)據(jù)電極162的材料為鉬(mo)、鈦(ti)、鋁(al)、銅(cu)中的一種或多種的堆棧組合。

有源層164設(shè)置在柵極絕緣層163上，并位于柵極161的上方。在本實(shí)施例中，有源層164由銦鎵鋅氧化物(igzo)或者其它半導(dǎo)體材料制成。

源極165a與漏極165b相互間隔設(shè)置，源極165a和漏極165b的一部分設(shè)置在柵極絕緣層163上，源極165a和漏極165b的另一部分設(shè)置在有源層164上。在本實(shí)施例中，源極165a和漏極165b由鉬(mo)、鈦(ti)、鋁(al)、銅(cu)中的一種或多種的堆棧組合，其中源極165a和漏極165b的材料優(yōu)選為銅。

第一絕緣層166設(shè)置在柵極絕緣層163、有源層164、源極165a和漏極165b上。

透明電極167設(shè)置在第一絕緣層166上，透明電極167位于數(shù)據(jù)電極162的上方。在本實(shí)施例中，透明電極167由氧化銦錫(ito)制成。

第二絕緣層168設(shè)置在第一絕緣層166上，并覆蓋透明電極167。

像素電極169設(shè)置在第二絕緣層168上，且像素電極169部分覆蓋柵極161和數(shù)據(jù)電極162。第一絕緣層166和第二絕緣層168上設(shè)有露出漏極165b的通孔，像素電極169穿過通孔并與漏極165b連接。像素電極169設(shè)置于透明電極167的上方，且透明電極167與像素電極169之間形成存儲(chǔ)電容。本發(fā)明的顯示裝置10通過陣列基板16的像素電極169與彩膜基板12的公共電極125之間產(chǎn)生驅(qū)使液晶分子扭轉(zhuǎn)的電場。在本實(shí)施例中，像素電極169由氧化銦錫(ito)制成。

本發(fā)明的陣列基板16的像素電極169下方專門制作了一層透明電極167，使像素電極169與透明電極167之間形成存儲(chǔ)電容，替換了現(xiàn)有像素電極與不透明金屬公共電極形成的存儲(chǔ)電容，省去了利用金屬制作公共電極的電極走線，有利于提高開口率，節(jié)省功耗。而且，像素電極169與透明電極167之間形成存儲(chǔ)電容替換了現(xiàn)有像素電極與不透明金屬柵極形成的存儲(chǔ)電容，可減小柵極走線在像素區(qū)域的寬度，有利于提高開口率，節(jié)省功耗。此外，透明電極167可以對部分?jǐn)?shù)據(jù)線電極162走線和柵極161走線進(jìn)行了屏蔽，像素電極169可部分覆蓋在數(shù)據(jù)電極162走線和柵極161走線上，很大程度增加了像素電極169對液晶的有效控制范圍。在本實(shí)施例中，透明電極167為連續(xù)的面狀結(jié)構(gòu)，即透明電極167上沒有設(shè)置槽或開口，可通過增加第一絕緣層166的厚度，進(jìn)而調(diào)整像素電極169與透明電極167形成的存儲(chǔ)電容大小，滿足不同顯示裝置10對不同存儲(chǔ)電容的需求。

圖2是本發(fā)明第二實(shí)施例的顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示，本實(shí)施例的顯示裝置10’與第一實(shí)施例的顯示裝置10的結(jié)構(gòu)大致相同，不同點(diǎn)在于陣列基板16’的局部結(jié)構(gòu)不同。

圖3是本發(fā)明第二實(shí)施例的透明電極167’的平面結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2和圖3所示，在本實(shí)施例中，陣列基板16’包括基板17以及設(shè)置在基板17上的柵極161、柵極絕緣層163、數(shù)據(jù)電極162、有源層164、源極165a、漏極165b、第一絕緣層166、透明電極167’、第二絕緣層168和像素電極169。在本實(shí)施例中，陣列基板16’為顯示面板的陣列基板。

具體地，基板17由透明的玻璃制成。

柵極161設(shè)置在基板17上。在本實(shí)施例中，柵極161的材料為鉬(mo)、鈦(ti)、鋁(al)、銅(cu)中的一種或多種的堆棧組合。

柵極絕緣層163設(shè)置在基板上，并覆蓋柵極161。在本實(shí)施例中，柵極絕緣層163例如由氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)或符合材料制成。

數(shù)據(jù)電極162設(shè)置在柵極絕緣層163上。在本實(shí)施例中，數(shù)據(jù)電極162的材料為鉬(mo)、鈦(ti)、鋁(al)、銅(cu)中的一種或多種的堆棧組合。

有源層164設(shè)置在柵極絕緣層163上，并位于柵極161的上方。在本實(shí)施例中，有源層164由銦鎵鋅氧化物(igzo)或者其它半導(dǎo)體材料制成。

源極165a與漏極165b相互間隔設(shè)置，源極165a和漏極165b的一部分設(shè)置在柵極絕緣層163上，源極165a和漏極165b的另一部分設(shè)置在有源層164上。在本實(shí)施例中，源極165a和漏極165b由鉬(mo)、鈦(ti)、鋁(al)、銅(cu)中的一種或多種的堆棧組合，其中源極165a和漏極165b的材料優(yōu)選為銅。

第一絕緣層166設(shè)置在柵極絕緣層163、有源層164、源極165a和漏極165b上。

透明電極167’設(shè)置在第一絕緣層166上。透明電極167’為不連續(xù)的面狀結(jié)構(gòu)，即透明電極167’上設(shè)有槽或開口，如圖3所示，透明電極167’包括開孔區(qū)101和非開孔區(qū)102，開孔區(qū)101內(nèi)設(shè)置有多個(gè)貫穿透明電極167的開口103，各開口103呈矩陣排列的分布在開孔區(qū)101內(nèi)，開口103的形狀可根據(jù)需求自由選擇。在本實(shí)施例中，透明電極167’可包括多個(gè)開孔區(qū)101，開孔區(qū)101的數(shù)量可根據(jù)實(shí)際需要自由選擇，例如透明電極167’上包括兩個(gè)開孔區(qū)101，每個(gè)開孔區(qū)101內(nèi)設(shè)置有多個(gè)貫穿透明電極167’的開口103，且非開孔區(qū)102位于兩個(gè)開孔區(qū)101之間。值得一提的是，每個(gè)開孔區(qū)101內(nèi)的開口103數(shù)量、開口103的形狀以及開口103排列位置可根據(jù)實(shí)際需要自由選擇。在本實(shí)施例中，透明電極167’由氧化銦錫(ito)制成。

第二絕緣層168設(shè)置在第一絕緣層166上，并覆蓋透明電極167。

像素電極169設(shè)置在第二絕緣層168上，且像素電極169部分覆蓋柵極161和數(shù)據(jù)電極162。第一絕緣層166和第二絕緣層168上設(shè)有露出漏極165b的通孔，像素電極169穿過通孔并與漏極165b連接。像素電極169設(shè)置于透明電極167’的上方，且透明電極167’與像素電極169之間形成存儲(chǔ)電容。本發(fā)明的顯示裝置10’通過陣列基板16’的像素電極169與彩膜基板12的公共電極125之間產(chǎn)生驅(qū)使液晶分子扭轉(zhuǎn)的電場。在本實(shí)施例中，像素電極169由氧化銦錫(ito)制成。

在本實(shí)施例中，透明電極167’為呈面狀，透明電極167’包括開孔區(qū)101和非開孔區(qū)102，開孔區(qū)101內(nèi)設(shè)置有多個(gè)貫穿透明電極167’的開口103，數(shù)據(jù)電極162位于非開孔區(qū)102的下方。因此，可通過增加或減少開孔區(qū)101內(nèi)的開口103數(shù)量，進(jìn)而調(diào)整像素電極169與透明電極167’形成的存儲(chǔ)電容大小，滿足不同顯示裝置10’對不同存儲(chǔ)電容的需求。

本發(fā)明的顯示面板的陣列基板16、16’包括基板和設(shè)置在基板上的柵極161、有源層164、源極165a、漏極165b以及與漏極165b連接的像素電極169，陣列基板16、16’還包括透明電極167、167’，透明電極167、167’設(shè)置于像素電極169的下方，且透明電極167、167’與像素電極169之間形成存儲(chǔ)電容。本發(fā)明的陣列基板16、16’的像素電極169與透明電極167、167’之間形成存儲(chǔ)電容，替換了現(xiàn)有像素電極與不透明金屬公共電極形成的存儲(chǔ)電容，省去了利用金屬制作公共電極的電極走線，有利于提高開口率，節(jié)省功耗。而且，本發(fā)明的陣列基板16、16’的像素電極169與透明電極167、167’之間形成存儲(chǔ)電容替換了現(xiàn)有像素電極與不透明金屬柵極形成的存儲(chǔ)電容，可減小柵極走線在像素區(qū)域的寬度，有利于提高開口率，節(jié)省功耗。

需要說明的是，本發(fā)明是以扭曲項(xiàng)列型(twistednematic；tn)顯示模式為例，對于擁有相似電極結(jié)構(gòu)的顯示模式也同樣適用，例如原始的va(verticalalignment)顯示模式等。

以上結(jié)合附圖詳細(xì)描述了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，但是本發(fā)明并不限于上述實(shí)施方式中的具體細(xì)節(jié)，在本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思范圍內(nèi)，可以對本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行多種簡單變型，這些簡單變型均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。在上述具體實(shí)施方式中所描述的各個(gè)具體技術(shù)特征，在不矛盾的情況下，可以通過任何合適的方式進(jìn)行組合。為了避免不必要的重復(fù)，本發(fā)明對各種可能的組合方式不再另行說明。