專利名稱：薄膜的制法及共蒸鍍用蒸鍍材、薄膜、薄膜片及層疊片的制作方法
技術領域：
本發明涉及透明性、氣體遮斷性等各種特性優異的薄膜的制造方法、適合形成該薄膜的共蒸鍍用蒸鍍材、通過該方法得到的氧化物薄膜、具備該薄膜的薄膜片及層疊片。更詳細而言，涉及這些各種特性優異，尤其是適合作為液晶顯示器、有機EL顯示器、等離子顯示器或太陽能電池模塊等氣體遮斷性材料的薄膜的制造方法、適合形成該薄膜的共蒸鍍用蒸鍍材、通過該方法得到的氧化物薄膜、具備該薄膜的薄膜片及層疊片。
背景技術：
液晶顯示器、有機EL顯示器或太陽能電池等設備通常經不起濕氣，使其特性因吸濕而迅速地劣化，所以必須配備具有高防濕性、即防止氧氣或水蒸氣等滲透或浸入的氣體遮斷性的組件。例如，在太陽能電池的例子中，在與太陽能電池模塊的受光面的相反一側的背面設置有背板。該背板代表性的有在基材上包含具有高防濕性的氣體遮斷性材料和保護它們的部件等的背板。作為這種構成太陽能電池模塊的背板，例如公開有通過高強度的耐熱性、耐候性樹脂夾層防濕性金屬箔，另外在其一方設置玻璃質蒸鍍皮膜而成的太陽能電池模塊的背面保護用片材料(例如參考專利文獻I)。在該片材料中，使用鋁箔、鍍鋅鐵箔、鍍錫鐵箔等金屬箔作為氣體遮斷性材料。此外，公開有將層疊高防濕膜和高耐候膜并使其一體化而成的太陽能電池蓋板材料使用在背面側保護部件中的太陽能電池(例如參考專利文獻2)。在該太陽能電池蓋板材料中的高防濕膜中使用如下膜，即由CVD (化學蒸鍍)、PVD (反應蒸鍍)法等在PET膜等基材膜上形成防濕膜作為氣體遮斷性材料，所述防濕膜由二氧化硅、氧化鋁等無機氧化物的涂膜構成。并且，公開有具有基材膜和遮斷層，遮斷層為通過空心陰極型離子鍍成膜的無機氮化物薄膜或無機氮化氧化物薄膜的透明遮斷膜(例如參考專利文獻3)。并且，公開有在太陽能電池元件的表面設置阻止水蒸氣、氧氣、分解物或添加劑的I種以上的滲透的阻擋層的太陽能電池模塊(例如參考專利文獻4)。該太陽能電池模塊中使用通過由基于樹脂膜、遮斷性樹脂膜、無機氧化物的蒸鍍膜、硅化合物的水解的縮聚物構成的組合物的涂膜或者包括那些的2種以上的復合膜作為阻擋層。并且，公開有具備由呈無機氧化物層的塑料膜或塑料復合材構成的遮斷層的光伏模塊(例如參考專利文獻5)。在該無機氧化物層中，氧化鋁或氧化硅作為其涂層材料使用。并且，公開有由層疊體構成的太陽能電池用背面保護片，所述層疊體為在耐熱、耐候性塑料膜上設置無機氧化物薄膜層并在該薄膜層上層疊由相同樹脂構成的其他耐熱、耐候性塑料膜的層疊體(例如參考專利文獻6)。在該太陽能電池用背面保護片中使用由氧化硅或氧化鋁中的任一個形成的薄膜層作為無機氧化物薄膜層。 并且，公開有在具有透明性的基材膜上依次層疊摻雜3價以上的金屬或半導體而成的具有紫外線屏蔽特性的氧化鋅層和氣體遮斷性優異的金屬氧化物層而成的層疊體(例如參考專利文獻7)。作為該層疊體的金屬氧化物層，使用氧化硅、氧化鋁或氧化鎂。并且，公開有在高分子膜基材的至少單面通過氣相沉積法成膜由金屬或金屬氧化物構成的氣體遮斷層并在該氣體遮斷層上形成含有超微顆粒的樹脂層的具有抗紫外線性的透明性氣體遮斷復合膜材料(例如參考專利文獻8)。作為該透明性氣體遮斷復合膜材料的氣體遮斷層，使用由鋁構成的單層結構或多層機構或者由氧化鋁、氧化硅及氧化鎂的至少I種構成的單層結構或多層結構。專利文獻I :日本實用新型公告平2-44995號公報(實用新型登錄權利要求及5欄的第41 44行)專利文獻2 :日本專利公開2000-174296號公報(權利要求I、權利要求7及
段)專利文獻3 :日本專利公開2000-15737號公報(權利要求I)專利文獻4 :日本專利公開2001-217441號公報(權利要求1、3)專利文獻5 :日本專利公表2002-520820號公報(權利要求I及
段)專利文獻6 :日本專利公開2002-134771號公報(權利要求1、2)專利文獻7 :日本專利公開平7-256813號公報(權利要求1、3及

段)專利文獻8 :日本專利公開2000-6305號公報(權利要求1、7、8及
段)然而，上述專利文獻I所示的背面保護用片材料使用鋁箔等金屬箔作為氣體遮斷性材料，因此若將該片材料應用于太陽能電池模塊的背板上，則存在耐電壓性下降、電流泄漏之虞。并且，若使用金屬箔的片材料中金屬箔的厚度成為20 以下，則增加耐熱性、耐候性樹脂與金屬箔之間產生的針孔，氣體遮斷性顯著地下降。另一方面，若加厚金屬箔的厚度，則會產生制造成本上升之類的問題，并且，作為廢棄物需進行分類，或者因為光不滲透，而不能使用在太陽能電池的受光面，并且在電源端子用插孔周圍產生金屬箔毛刺，有電路短路的危險。此外，在上述專利文獻2 8中使用的二氧化硅、氧化鋁等無機氧化物，如果要得到較高的氣體遮斷性，則必須將膜的厚度確保為IOOnm以上，即使如此也不能說氣體遮斷性充分。

發明內容
本發明的目的在于提供一種能夠形成透明性及氣體遮斷性優異的薄膜的薄膜制造方法及薄膜形成用的共蒸鍍用蒸鍍材。本發明的另一目的在于提供透明性及氣體遮斷性優異的薄膜、具備該薄膜的薄膜片及層疊片。本發明的第I觀點、即薄膜的制造方法，其中，使用由第I氧化物構成的升華性蒸鍍材和由與該第I氧化物不同種類的第2氧化物構成的升華性蒸鍍材，利用通過真空成膜法同時蒸鍍的共蒸鍍法，在基材上形成由第I氧化物和第2氧化物構成的氧化物薄膜。本發明的第2觀點、即根據第I觀點的發明，進一步地，以形成的薄膜的堿度為0. 03以上的方式組合由第I氧化物構成的升華性蒸鍍材和由與該第I氧化物不同種類的第2氧化物構成的升華性蒸鍍材。、
本發明的第3觀點、即根據第I或第2觀點的發明，進一步地，以形成的薄膜的第I氧化物與第2氧化物的摩爾比率為5 85 95 15的方式組合由第I氧化物構成的升華性蒸鍍材和由與該第I氧化物不同種類的第2氧化物構成的升華性蒸鍍材。本發明的第4觀點、即根據第I至第3觀點的發明，進一步地，升華性蒸鍍材的第I氧化物及第2氧化物為選自Zn0、Ca0、Mg0、SnO2及CeO2中的至少I種。本發明的第5觀點、即根據第I至第4觀點的發明，進一步地，真空成膜法為電子束蒸鍍法、離子鍍法、反應性等離子體蒸鍍法 、電阻加熱法或感應加熱法中的任意一種。本發明的第6觀點、即根據第I至第5觀點的發明，進一步地，升華性蒸鍍材的第I氧化物顆粒及第2氧化物顆粒的平均粒徑分別為0. I 10 ii m。本發明的第7觀點、即共蒸鍍用蒸鍍材，其中，用于根據第I至第6觀點的制造方法，包括由第I氧化物構成的升華性蒸鍍材和由與該第I氧化物不同種類的第2氧化物構成的升華性蒸鍍材的組合。本發明的第8觀點、即根據第7觀點的發明，進一步地，升華性蒸鍍材的第I氧化物及第2氧化物為選自ZnO、CaO、MgO, SnO2及CeO2中的至少I種。本發明的第9觀點、即根據第7或第8觀點的發明，進一步地，升華性蒸鍍材的第I氧化物顆粒及第2氧化物顆粒的平均粒徑分別為0. I 10 ii m。本發明的第10觀點、即一種氧化物薄膜，通過根據第I至第6觀點的制造方法得至IJ，使用由第I氧化物構成的升華性蒸鍍材和由與該第I氧化物不同種類的第2氧化物構成的升華性蒸鍍材，利用通過真空成膜法同時蒸鍍的共蒸鍍法成膜，并由第I氧化物及第2氧化物構成。本發明的第11觀點、即一種薄膜片10，如圖I所示，通過根據第I至第6觀點的制造方法，在第I基材膜11上形成氧化物薄膜12而成，所述氧化物薄膜利用通過使用由第I氧化物構成的升華性蒸鍍材和由與該第I氧化物不同種類的第2氧化物構成的升華性蒸鍍材的真空成膜法同時蒸鍍的共蒸鍍法成膜，并由第I氧化物及第2氧化物構成。本發明的第12觀點、即根據第11觀點的發明，進一步地，真空成膜法為電子束蒸鍍法、離子鍍法、反應性等離子體蒸鍍法、電阻加熱法或感應加熱法中的任意一種。本發明的第13觀點、即根據第11或第12觀點的發明，進一步地，在溫度20°C、相對濕度50% RH的條件下放置I小時時的水蒸氣滲透率S為0. 3g/m2 天以下。本發明的第14觀點、即一種層疊片20，如圖I所示，在根據第11至第13的觀點的薄膜片10的薄膜12形成側，通過粘著層13層疊第2基材膜14而成。本發明的薄膜制造方法中，利用通過真空成膜法同時蒸鍍的共蒸鍍法控制的同時成膜，因此能夠利用在以往的方法中未能制作組成均勻的膜的材料組合，所以材料選擇范圍變寬，能夠制作多種多樣的組成的膜。并且，得到的薄膜的單層的遮斷性優異，因此可用較少的層疊數得到較高的遮斷性，因此能夠提高生產率，還能夠降低成本。并且，通過設為單層或較少層疊數的遮斷膜，總計的膜厚變薄，能夠減輕制造遮斷片時的破裂、翹曲等。將這種膜厚較薄的遮斷膜用于可折彎的太陽能電池時，提高耐彎曲性并提高太陽能電池的耐久性。此外，由于得到的薄膜的透明性優異，因此能夠在長波長區域內維持高滲透率。因此，將太陽能電池模塊設為樹脂制而非玻璃制時，作為受光面的遮斷性材料也有效，有助于提高太陽能電池的滲透率。并且，通過以形成的薄膜的堿度為0. 03以上的方式組合由第I氧化物構成的升華性蒸鍍材和由與該第I氧化物不同種類的第2氧化物構成的升華性蒸鍍材，由此能夠形成具有優異的透明性及氣體遮斷性的薄膜。并且，升華性蒸鍍材的第I氧化物顆粒的平均粒徑及第2氧化物顆粒的平均粒徑分別為0. I 10 y m，由此能夠形成蒸鍍效率良好且稠密的蒸鍍膜，所以能夠維持較高的氣體遮斷性并使其穩定化。本發明的共蒸鍍用蒸鍍材由于包括由第I氧化物構成的升華性蒸鍍材和由與第I氧化物不同種類的第2氧化物構成的升華性蒸鍍材的組合，因此能夠形成具有優異的透明性及氣體遮斷性的薄膜。并且升華性蒸鍍材的第I氧化物顆粒的平均粒徑及第2氧化物顆粒的平均粒徑分別為0. I IOy m，由此能夠形成蒸鍍效率良好且稠密的蒸鍍膜，所以能夠維持較高的氣體遮斷性并使其穩定化。本發明的薄膜為由第I氧化物及第2氧化物構成的氧化物薄膜，利用通過真空成膜法同時蒸鍍的共蒸鍍法成膜，因此具有優異的透明性及氣體遮斷性。
本發明的薄膜片具備由利用通過真空成膜法同時蒸鍍的共蒸鍍法成膜的第I氧化物和第2氧化物構成的氧化物薄膜，從而具有優異的透明性及氣體遮斷性。并且，具有在溫度20°C、相對濕度50% RH的條件下放置I小時時的水蒸氣滲透率S為0. 3g/m2 天以下之類的非常高且因時間的流逝引起的劣化較少的氣體遮斷性。另外，本發明的層疊片采用第2基材膜通過粘著層進一步層疊在上述薄膜片的薄膜形成側的結構。由此，第2基材膜能夠保護薄膜，因此能夠維持較高的氣體遮斷性并使其穩定化。


圖I是示意地表示本發明實施方式的薄膜片及層疊片的層疊結構的截面圖。圖2是示意地表示以往的薄膜片的截面結構的圖。圖3是示意地表示本發明實施方式的薄膜片的截面結構的圖。符號說明10-薄膜片，11-第I基材膜，12-薄膜，13-粘著層，14-第2基材膜，20-層疊片。
具體實施例方式接著，根據附圖對用于實施本發明的方式進行說明。本發明的薄膜的制造方法，其特征在于，使用由第I氧化物構成的升華性蒸鍍材和由與該第I氧化物不同種類的第2氧化物構成的升華性蒸鍍材，利用通過真空成膜法同時蒸鍍的共蒸鍍法，在基材上形成由第I氧化物和第2氧化物構成的氧化物薄膜。例如使用含有2種的氧化物的一體型蒸鍍材進行成膜時，即使為易升華的氧化物彼此的組合，也產生基于升華性氧化物的升華溫度或升華速度的差異，因此其結果存在難以制作組成均勻的膜之類的問題。本發明的制造方法中，利用通過真空成膜法同時蒸鍍的共蒸鍍法控制的同時成膜，因此還能夠利用在以往的方法中未能制作組成均勻的膜的材料組合，所以材料選擇范圍變寬，并能夠均勻地制作多種多樣的組成的薄膜。本發明中使用的升華性蒸鍍材是指在加熱蒸鍍材時蒸鍍材不熔融而發生元素升華的蒸鍍材。
升華性蒸鍍材的第I氧化物粉末及第2氧化物粉末為選自ZnO、CaO、MgO, SnO2及CeO2中的至少I種，這些氧化物粉末的氧化物純度為98%以上，優選為99. 5%以上。其中，將氧化物粉末中的氧化物純度限定在98%以上，是因為如果不到98%，則膜的致密性因雜質惡化，結果遮斷特性下降。另外，本說明書中的粉末的純度是指根據分光分析法(感應耦合等離子體發射光譜分析裝置日本Jarrell Ash公司制造ICAP-88)測定的純度。而且，該升華性蒸鍍材的第I氧化物顆粒的平均粒徑及第2氧化物顆粒的平均粒徑分別為0. I 10 i! m。并且，所形成的薄膜中的第I氧化物與第2氧化物的摩爾比率控制為5 85 95 15。并且，以所形成的薄膜的堿度為0. 03以上的方式組合由第I氧化物構成的升華性蒸鍍材和由第2氧化物構成的升華性蒸鍍材。使用如此微細化的第I氧化物顆粒及第2氧化物顆粒，利用通過真空成膜法同時蒸鍍的共蒸鍍法，能夠使控制成預定比例而所形成的薄膜顯現較高的氣體遮斷性。其技術理由可以推定為如下一般當為(I)僅有第I氧化物顆粒或僅有第2氧化 物顆粒的單一組成的薄膜、(2)雖包含第I氧化物顆粒及第2氧化物顆粒雙方但任意一方的含有比例較少的薄膜時，如圖2所示，在第I基材膜11上形成的氧化物薄膜32成為柱狀晶的結晶相對氣體的滲透方向平行地集合的結構。由于水蒸氣等氣體分子沿著平行地集合的晶界的界面前進，所以在平行地集合上述柱狀晶的結晶的結構的薄膜32中的遮斷性較低。另一方面，當以成為預定比例的方式含有已微細化的第I氧化物顆粒或第2氧化物顆粒時，如圖3所示，在第I基材膜11上形成的氧化物薄膜12成為形成為單一組成的膜的柱狀晶的一部分崩裂而接近非結晶狀態的致密的微細結構。由于在接近非結晶狀態的致密的微細結構中，水蒸氣等氣體分子需要長距離移動迷宮狀內部，所以在接近上述非結晶狀態的致密的微細結構的薄膜12中，提高遮斷性。這樣，結晶結構并不是柱狀晶，且成膜為適合防止水分等滲透或浸入的結構，從而提較高的氣體遮斷性。而且，也可以考慮為如下如果使含有的第I氧化物顆粒及第2氧化物顆粒的雙方微細化，則在通過蒸鍍法使薄膜成長時，能夠用少量的電子束或等離子體進行成膜，所以能夠形成致密的膜，由此提較高的氣體遮斷性。其中，第I氧化物顆粒及第2氧化物顆粒雙方的平均粒徑限定在上述范圍內是因為，如果各個平均粒徑不到下限值，則在蒸鍍材的制造工序中，粉末的凝聚變得明顯，阻礙混勻，如果各個平均粒徑超過上限值，則不能充分得到形成有助于提較高的氣體遮斷性的虛擬固容體的效果。另外，本說明書中，平均粒徑為依照激光衍射/散射法(MiCTotrack法)，利用日機裝公司制(FRA型)，使用六聚偏磷酸鈉作為分散劑，I次測定時間設為30秒來使3次測定的值平均化的粒徑。而且，將第I氧化物與第2氧化物的摩爾比率限定在上述范圍內是因為，若第I氧化物的摩爾比率不到5或者第2氧化物的摩爾比率不到15，則第I氧化物顆粒或第2氧化物顆粒的含有比例過于變小，接近單一組成，從而變得容易采用柱狀晶的結晶相對于氣體的滲透方向平行地集合的結構，因此無法形成具有致密的微細結構的薄膜。另外，將所形成的薄膜的堿度規定在0. 03以上是因為，如果不到0. 03時，薄膜變得難以采用接近柱狀晶的一部分崩裂的非結晶狀態的致密的微細結構。該“堿度”為由森永健次等人提出的，例如在他的著作“K. Morinaga, H. Yoshida And H. Takebe J. Am Cerm.Soc.，77，3113(1994)”中，利用如下所示的公式規定玻璃粉末的堿度。該摘錄如下所示。“氧化物MiO的Mi-O之間的鍵強度作為陽離子-氧離子之間的引力Ai,可通過如下公式得到。Ai = Zi Z02J (ri+r02J2 = Zi 2/ (r^l. 40)2Zi :陽離子的價數，氧離子為2Ri :陽離子的離子半徑(A ),氧離子為1.40A該Ai的倒數Bi (IAi)設為單組分氧化物MiO的供氧能力。Bi = I/Ai 若將該&歸一化為B_= 1、BSW2 = 0，則可以得到各單組分氧化物的Bi-指標。若通過陽離子分數向多組分體系擴張該各組成的Bi-指標，則能夠計算任意組成的玻璃氧化物的熔體的B-指標(=堿度)。B = E Iii BiIii :陽離子分數這樣規定的堿度為如上述表示供氧能力，值越大越容易供給氧，越容易引起與其他金屬氧化物的氧的授受。”本發明中，有關玻璃粉末的堿度的指標，將玻璃置換成氧化物來進行解釋，從而將氧化物混合物的堿度作為變成薄膜中接近非結晶狀態的致密的微細結構的容易度的指標來整理的指標。玻璃的情況是指熔融之類的概念，但是本發明中以在成膜時產生形成玻璃的機理的情況為基本。從蒸鍍材升華的元素成為離子狀態，在基板上以非平衡的狀態堆積元素。如果這時通過上述公式得到的薄膜的堿度為0.03以上，則膜以玻璃狀(非結晶)成長，并以非常致密的狀態有條理地排列元素。通過本發明的制造方法得到的薄膜，單層的遮斷性優異，因此可由較少的層疊數得到較高的遮斷性，所以能夠提高生產率，還能夠降低成本。并且通過設為單層或較少層疊數的遮斷膜，因此總計的膜厚變薄，能夠減輕制造遮斷片時的破裂，翹曲等。將這種膜厚較薄的遮斷膜用于可折彎的太陽能電池上時，提高耐彎曲性并提高太陽能電池的耐久性。并且，由于具有較高的氣體遮斷性，因此除了構成太陽能電池的背板的防濕膜等氣體遮斷性材料的用途之外，還能夠適合作為液晶顯示器、有機EL顯示器或照明用有機EL顯示器等氣體遮斷性材料利用。而且，該薄膜得到滲透率為85%以上的優異的透明性，因此能夠在長波長區域內，維持高滲透率。因此還適合作為要求較高的氣體遮斷性且要求透光之類的部件，例如在太陽能電池的受光面側或顯示器的圖像視覺側等中使用的氣體遮斷性材料等。接著，對本發明的薄膜片及層疊片一同說明該制造方法。如圖I所示，本發明的薄膜片10具有第I基材膜11及本發明的薄膜12，所述薄膜使用由上述第I氧化物構成的升華性蒸鍍材和由與該第I氧化物不同種類的第2氧化物構成的升華性蒸鍍材，利用通過真空成膜法同時蒸鍍的共蒸鍍法成膜。并且，本發明的層疊片20具有上述本發明的薄膜片10和通過粘著層13在該薄膜片10的薄膜形成側粘著的第2基材膜14。第I基材膜11和第2基材膜14優選具有耐得住長時間的高溫高濕度環境測試的機械強度或耐候性等。例如，可以舉出聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚芳酯、聚醚砜、三醋酸纖維素(TAC)、環狀烯烴(共)聚物等樹脂膜。這些樹脂膜也可以根據需要配合有阻燃劑、抗氧化劑、紫外線吸收劑及抗靜電劑等。第I基材膜11及第2基材膜14的厚度優選為5 300 ii m，進一步優選為10 150 Um0
使用由上述第I氧化物構成的升華性蒸鍍材和由與該第I氧化物不同種類的第2氧化物構成的升華性蒸鍍材，利用通過真空成膜法同時蒸鍍的共蒸鍍法在該第I基材膜11上蒸鍍形成作為氣體遮斷性材料的薄膜12。薄膜12的厚度優選在10 200nm范圍內。如果不到下限值，則很難得到作為氣體遮斷性材料的充分的氣體遮斷性，而且薄膜的耐久性易降低。另一方面，若超過上限值，則會浪費材料，而且根據厚度效應而變得容易產生因折彎等外力引起的龜裂。其中，薄膜12的厚度尤其優選在20 IOOnm范圍內。作為薄膜12的形成方法，優選為電子束蒸鍍法(Electron Beam Evaporation Method,以下稱為EB法)、離子鍍法、反應性等離子體蒸鍍法(Reactive Plasma Deposition Method,以下稱為RPD法)、電阻加熱法或感應加熱法等真空成膜法。另外，圖I中雖然沒有圖示，但是為了在第I基材膜11上提高與薄膜12的粘附強度，也可以根據需要設置包含丙烯酸多元醇、異氰酸酯、硅烷偶聯劑的底漆層或者在蒸鍍工序前利用等離子體等實施表面處理。 另一方面，在形成的薄膜12表面露出的狀態下，若在安裝片時，劃傷或磨損薄膜表面，則對氣體遮斷性帶來較大影響。因此，優選在薄膜12上設置未圖示的保護薄膜12表面的氣體遮斷性被膜等。該氣體遮斷性被膜能夠在薄膜12表面涂布例如混合具有烷氧基的硅化合物、鈦化合物、氧化鋯化合物、錫化合物或其水解物與具有氫氧根的水溶性高分子的溶液之后，加熱干燥而形成。該氣體遮斷性被膜不僅作為薄膜12的保護層發揮作用，還具有提較高的氣體遮斷性的效果。這樣形成的本發明的薄膜片10例如在溫度20°C、相對濕度50% RH的條件下放置I小時之后，在溫度40°C、相對濕度90% RH的條件下測定的水蒸氣滲透率S顯示為0. 3g/m2 天以下。另外，在本發明的層疊片20中，在上述本發明的薄膜片10的薄膜形成側、即薄膜12上或上述氣體遮斷性被膜上形成粘著層13，該粘著層13作為用于貼合形成有薄膜12的第I基材膜11和第2基材膜14的粘著劑發揮作用。因此，需要粘著強度不會經長時間而劣化、不產生脫層等且不會變黃等條件，例如可以舉出聚氨酯類、聚酯類、聚酯-聚氨酯類、聚碳酸酯類、聚環氧-胺類、熱熔類粘著劑等。粘著層13的層疊方法能夠以干式疊層法等眾所周知的方法層疊。通過在該粘著層13上粘著第2基材膜14并進行貼合來完成層疊片20。另外，如圖I所示，薄膜12和粘著層13未必限定于各自I層I層地層疊的層疊片，也可以設為交替層疊薄膜12和粘著層13、或者交替或不規則地層疊薄膜12、上述氣體遮斷性被膜等其他部件及粘著層13的2 10層的多層。由此，能夠進一步提較高的氣體遮斷性或耐候性。該層疊片20能夠適合作為太陽能電池模塊的背板、液晶顯示器或有機EL顯示器或照明用有機EL顯示器等用途來利用。[實施例]其次，對本發明的實施例與比較例一同進行詳細說明。<實施例1>分別準備平均粒徑為0. 8 ii m、純度為99. 8 %的高純度ZnO粉末作為升華性蒸鍍材的第I氧化物粉末，準備平均粒徑為0. 6 ii m、純度為99. 8%的高純度CaO粉末作為第2氧化物粉末。使用上述2種蒸鍍材，在厚度為75 y m的PET膜上，利用通過反應性等離子體蒸鍍法(RPD法)同時蒸鍍的共蒸鍍，控制膜中的含有率成為ZnO 5摩爾％、CaO 95摩爾％，成膜膜厚為IOOnm的薄膜，并形成薄膜片。將蒸鍍材中所含的ZnO顆粒及CaO顆粒的平均粒徑、薄膜中所含的ZnO、CaO的含有率及薄膜的堿度示于以下表I中。<實施例2>分別準備平均粒徑為0. 8 ii m、純度為99. 8%的高純度ZnO粉末作為升華性蒸鍍材的第I氧化物粉末，準備平均粒徑為0. 6 ii m、純度為99. 8%的高純度CaO粉末作為第2氧化物粉末。使用上述2種蒸鍍材，在厚度為75 y m的PET膜上，利用通過反應性等離子體蒸 鍍法(RH)法)同時蒸鍍的共蒸鍍，控制膜中的含有率成為Zn0:30摩爾％、Ca0:70摩爾％，成膜膜厚為IOOnm的薄膜，并形成薄膜片。將蒸鍍材中所含的ZnO顆粒及CaO顆粒的平均粒徑、薄膜中所含的ZnO、CaO的含有率及薄膜的堿度示于以下表I中。<實施例3>分別準備平均粒徑為0. 8 ii m、純度為99. 8 %的高純度ZnO粉末作為升華性蒸鍍材的第I氧化物粉末，準備平均粒徑為0. 6 ii m、純度為99. 8%的高純度CaO粉末作為第2氧化物粉末。使用上述2種蒸鍍材，在厚度為75 y m的PET膜上，利用通過反應性等離子體蒸鍍法(RH)法)同時蒸鍍的共蒸鍍，控制膜中的含有率成為Zn0:50摩爾％、Ca0:50摩爾％，成膜膜厚為IOOnm的薄膜，并形成薄膜片。將蒸鍍材中所含的ZnO顆粒及CaO顆粒的平均粒徑、薄膜中所含的ZnO、CaO的含有率及薄膜的堿度示于以下表I中。<實施例4>分別準備平均粒徑為0. 8 ii m、純度為99. 8 %的高純度ZnO粉末作為升華性蒸鍍材的第I氧化物粉末，準備平均粒徑為0. 6 ii m、純度為99. 8%的高純度CaO粉末作為第2氧化物粉末。使用上述2種蒸鍍材，在厚度為75 y m的PET膜上，利用通過反應性等離子體蒸鍍法(RH)法)同時蒸鍍的共蒸鍍，控制膜中的含有率成為ZnO :70摩爾％、CaO :30摩爾％，成膜膜厚為IOOnm的薄膜，并形成薄膜片。將蒸鍍材中所含的ZnO顆粒及CaO顆粒的平均粒徑、薄膜中所含的ZnO、CaO的含有率及薄膜的堿度示于以下表I中。<實施例5>分別準備平均粒徑為0. 8 ii m、純度為99. 8 %的高純度ZnO粉末作為升華性蒸鍍材的第I氧化物粉末，準備平均粒徑為0. 6 ii m、純度為99. 8%的高純度CaO粉末作為第2氧化物粉末。使用上述2種蒸鍍材，在厚度為75 y m的PET膜上，利用通過反應性等離子體蒸鍍法(RH)法)同時蒸鍍的共蒸鍍，控制膜中的含有率成為Zn0:85摩爾％工&0:15摩爾(％，成膜膜厚為IOOnm的薄膜，并形成薄膜片。將蒸鍍材中所含的ZnO顆粒及CaO顆粒的平均粒徑、薄膜中所含的ZnO、CaO的含有率及薄膜的堿度示于以下表I中。<實施例6>分別準備平均粒徑為0. 8 ii m、純度為99. 8 %的高純度ZnO粉末作為升華性蒸鍍材的第I氧化物粉末，準備平均粒徑為0. 9iim、純度為99. 7%的高純度MgO粉末作為第2氧化物粉末。使用上述2種蒸鍍材，在厚度為75 y m的PET膜上，利用通過反應性等離子體蒸鍍法(RPD法)同時蒸鍍的共蒸鍍，控制膜中的含有率成為ZnO 5摩爾％、MgO 95摩爾％，成膜膜厚為IOOnm的薄膜，并形成薄膜片。將蒸鍍材中所含的ZnO顆粒及MgO顆粒的平均粒徑、薄膜中所含的Zn0、Mg0的含有率及薄膜的堿度示于以下表I中。<實施例7>
分別準備平均粒徑為0. 8 ii m、純度為99. 8%的高純度ZnO粉末作為升華性蒸鍍材的第I氧化物粉末，準備平均粒徑為0. 9iim、純度為99. 7%的高純度MgO粉末作為第2氧化物粉末。使用上述2種蒸鍍材，在厚度為75 y m的PET膜上，利用通過反應性等離子體蒸鍍法(RPD法)同時蒸鍍的共蒸鍍，控制膜中的含有率成為ZnO 30摩爾％、MgO 70摩爾％，成膜膜厚為IOOnm的薄膜，并形成薄膜片。將蒸鍍材中所含的ZnO顆粒及MgO顆粒的平均粒徑、薄膜中所含的Zn0、Mg0的含有率及薄膜的堿度示于以下表I中。<實施例8>
分別準備平均粒徑為0. 8 ii m、純度為99. 8 %的高純度ZnO粉末作為升華性蒸鍍材的第I氧化物粉末，準備平均粒徑為0. 9iim、純度為99. 7%的高純度MgO粉末作為第2氧化物粉末。使用上述2種蒸鍍材，在厚度為75 y m的PET膜上，利用通過反應性等離子體蒸鍍法(RH)法)同時蒸鍍的共蒸鍍，控制膜中的含有率成為ZnO :50摩爾％、MgO :50摩爾％，成膜膜厚為IOOnm的薄膜，并形成薄膜片。將蒸鍍材中所含的ZnO顆粒及MgO顆粒的平均粒徑、薄膜中所含的Zn0、Mg0的含有率及薄膜的堿度示于以下表I中。<實施例9>分別準備平均粒徑為0. 8 ii m、純度為99. 8 %的高純度ZnO粉末作為升華性蒸鍍材的第I氧化物粉末，準備平均粒徑為0. 9iim、純度為99. 7%的高純度MgO粉末作為第2氧化物粉末。使用上述2種蒸鍍材，在厚度為75 y m的PET膜上，利用通過反應性等離子體蒸鍍法(RH)法)同時蒸鍍的共蒸鍍，控制膜中的含有率成為Zn0:70摩爾％、Mg0:30摩爾％，成膜膜厚為IOOnm的薄膜，并形成薄膜片。將蒸鍍材中所含的ZnO顆粒及MgO顆粒的平均粒徑、薄膜中所含的Zn0、Mg0的含有率及薄膜的堿度示于以下表I中。< 實施例 10>分別準備平均粒徑為0. 8 ii m、純度為99. 8 %的高純度ZnO粉末作為升華性蒸鍍材的第I氧化物粉末，準備平均粒徑為0. 9iim、純度為99. 7%的高純度MgO粉末作為第2氧化物粉末。使用上述2種蒸鍍材，在厚度為75 y m的PET膜上，利用通過反應性等離子體蒸鍍法(RH)法)同時蒸鍍的共蒸鍍，控制膜中的含有率成為Zn0:85摩爾％、1%0:15摩爾(％，成膜膜厚為IOOnm的薄膜，并形成薄膜片。將蒸鍍材中所含的ZnO顆粒及MgO顆粒的平均粒徑、薄膜中所含的Zn0、Mg0的含有率及薄膜的堿度示于以下表I中。〈實施例11>分別準備平均粒徑為0. 8 ii m、純度為99. 8 %的高純度ZnO粉末作為升華性蒸鍍材的第I氧化物粉末，準備平均粒徑為0. 7 u m、純度為99. 8%的高純度SnO2粉末作為第2氧化物粉末。使用上述2種蒸鍍材，在厚度為75 y m的PET膜上，利用通過反應性等離子體蒸鍍法(RH)法)同時蒸鍍的共蒸鍍，控制膜中的含有率成為ZnO :30摩爾％、Sn02 : 70摩爾％，成膜膜厚為IOOnm的薄膜，并形成薄膜片。將蒸鍍材中所含的ZnO顆粒及SnO2顆粒的平均粒徑、薄膜中所含的ZnO、SnO2的含有率及薄膜的堿度示于以下表I中。〈實施例12>分別準備平均粒徑為0. 8 ii m、純度為99. 8%的高純度ZnO粉末作為升華性蒸鍍材的第I氧化物粉末，準備平均粒徑為0. 7 u m、純度為99. 8%的高純度SnO2粉末作為第2氧化物粉末。使用上述2種蒸鍍材，在厚度為75 y m的PET膜上，利用通過反應性等離子體蒸鍍法(RH)法)同時蒸鍍的共蒸鍍，控制膜中的含有率成為ZnO :50摩爾％、Sn02 : 50摩爾％，成膜膜厚為IOOnm的薄膜，并形成薄膜片。將蒸鍍材中所含的ZnO顆粒及SnO2顆粒的平均粒徑、薄膜中所含的ZnO、SnO2的含有率及薄膜的堿度示于以下表I中。〈實施例13>分別準備平均粒徑為0. 8 ii m、純度為99. 8%的高純度ZnO粉末作為升華性蒸鍍材的第I氧化物粉末，準備平均粒徑為0. 7 u m、純度為99. 8%的高純度SnO2粉末作為第2氧化物粉末。使用上述2種蒸鍍材，在厚度為75 y m的PET膜上，利用通過反應性等離子體蒸鍍法(RH)法)同時蒸鍍的共蒸鍍，控制膜中的含有率成為ZnO :80摩爾％、Sn02 : 20摩爾％，成膜膜厚為IOOnm的薄膜，并形成薄膜片。將蒸鍍材中所含的ZnO顆粒及SnO2顆粒的平均粒徑、薄膜中所含的ZnO、SnO2的含有率及薄膜的堿度示于以下表I中。〈實施例14> 分別準備平均粒徑為0. 8 ii m、純度為99. 8%的高純度ZnO粉末作為升華性蒸鍍材的第I氧化物粉末，準備平均粒徑為0. 7 u m、純度為99. 5%的高純度CeO2粉末作為第2氧化物粉末。使用上述2種蒸鍍材，在厚度為75 y m的PET膜上，利用通過反應性等離子體蒸鍍法(RH)法)同時蒸鍍的共蒸鍍，控制膜中的含有率成為ZnO :30摩爾％、Ce02 : 70摩爾％，成膜膜厚為IOOnm的薄膜，并形成薄膜片。將蒸鍍材中所含的ZnO顆粒及CeO2顆粒的平均粒徑、薄膜中所含的ZnO、CeO2的含有率及薄膜的堿度示于以下表I中。〈實施例15>分別準備平均粒徑為0. 8 ii m、純度為99. 8%的高純度ZnO粉末作為升華性蒸鍍材的第I氧化物粉末，準備平均粒徑為0. 7 u m、純度為99. 5%的高純度CeO2粉末作為第2氧化物粉末。使用上述2種蒸鍍材，在厚度為75 y m的PET膜上，利用通過反應性等離子體蒸鍍法(RH)法)同時蒸鍍的共蒸鍍，控制膜中的含有率成為ZnO :50摩爾％、Ce02 : 50摩爾％，成膜膜厚為IOOnm的薄膜，并形成薄膜片。將蒸鍍材中所含的ZnO顆粒及CeO2顆粒的平均粒徑、薄膜中所含的ZnO、CeO2的含有率及薄膜的堿度示于以下表I中。〈實施例16>分別準備平均粒徑為0. 8 ii m、純度為99. 8%的高純度ZnO粉末作為升華性蒸鍍材的第I氧化物粉末，準備平均粒徑為0. 7 u m、純度為99. 5%的高純度CeO2粉末作為第2氧化物粉末。使用上述2種蒸鍍材，在厚度為75 y m的PET膜上，利用通過反應性等離子體蒸鍍法(RH)法)同時蒸鍍的共蒸鍍，控制膜中的含有率成為ZnO :80摩爾％、Ce02 : 20摩爾％，成膜膜厚為IOOnm的薄膜，并形成薄膜片。將蒸鍍材中所含的ZnO顆粒及CeO2顆粒的平均粒徑、薄膜中所含的ZnO、CeO2的含有率及薄膜的堿度示于以下表I中。〈實施例17>分別準備平均粒徑為0. 6 ii m、純度為99. 8%的高純度CaO粉末作為升華性蒸鍍材的第I氧化物粉末，準備平均粒徑為0. 9iim、純度為99. 7%的高純度MgO粉末作為第2氧化物粉末。使用上述2種蒸鍍材，在厚度為75 y m的PET膜上，利用通過反應性等離子體蒸鍍法(RH)法)同時蒸鍍的共蒸鍍，控制膜中的含有率成為Ca0:50摩爾％、Mg0:50摩爾％，成膜膜厚為IOOnm的薄膜，并形成薄膜片。將蒸鍍材中所含的CaO顆粒及MgO顆粒的平均粒徑、薄膜中所含的Ca0、Mg0的含有率及薄膜的堿度示于以下表I中。〈實施例18>分別準備平均粒徑為0. 6 ii m、純度為99. 8%的高純度CaO粉末作為升華性蒸鍍材的第I氧化物粉末，準備平均粒徑為0. 7 u m、純度為99. 8%的高純度SnO2粉末作為第2氧化物粉末。使用上述2種蒸鍍材，在厚度為75 y m的PET膜上，利用通過反應性等離子體蒸鍍法(RH)法)同時蒸鍍的共蒸鍍，控制膜中的含有率成為CaO :50摩爾％、Sn02 : 50摩爾％，成膜膜厚為IOOnm的薄膜，并形成薄膜片。將蒸鍍材中所含的CaO顆粒及SnO2顆粒的平均粒徑、薄膜中所含的CaO、SnO2的含有率及薄膜的堿度示于以下表I中。〈實施例19>分別準備平均粒徑為0. 6 ii m、純度為99. 8%的高純度CaO粉末作為升華性蒸鍍材的第I氧化物粉末，準備平均粒徑為0. 7 u m、純度為99. 5%的高純度CeO2粉末作為第2氧化物粉末。使用上述2種蒸鍍材，在厚度為75 y m的PET膜上，利用通過反應性等離子體蒸鍍法(RH)法)同時蒸鍍的共蒸鍍，控制膜中的含有率成為CaO :50摩爾％、Ce02 : 50摩爾％，成膜膜厚為IOOnm的薄膜，并形成薄膜片。將蒸鍍材中所含的CaO顆粒及CeO2顆粒的平均粒徑、薄膜中所含的CaO、CeO2的含有率及薄膜的堿度示于以下表I中。〈實施例20>分別準備平均粒徑為0. 9 ii m、純度為99. 7%的高純度MgO粉末作為升華性蒸鍍材的第I氧化物粉末，準備平均粒徑為0. 7 u m、純度為99. 8%的高純度SnO2粉末作為第2氧化物粉末。使用上述2種蒸鍍材，在厚度為75 y m的PET膜上，利用通過反應性等離子體蒸鍍法(RH)法)同時蒸鍍的共蒸鍍，控制膜中的含有率成為MgO :50摩爾％、Sn02 : 50摩爾％，成膜膜厚為IOOnm的薄膜，并形成薄膜片。將蒸鍍材中所含的MgO顆粒及SnO2顆粒的平均粒徑、薄膜中所含的MgO、SnO2的含有率及薄膜的堿度示于以下表I中。〈實施例21>分別準備平均粒徑為0. 9 ii m、純度為99. 7%的高純度MgO粉末作為升華性蒸鍍材的第I氧化物粉末，準備平均粒徑為0. 7 u m、純度為99. 5%的高純度CeO2粉末作為第2氧化物粉末。使用上述2種蒸鍍材，在厚度為75 y m的PET膜上，利用通過反應性等離子體蒸鍍法(RH)法)同時蒸鍍的共蒸鍍，控制膜中的含有率成為MgO :50摩爾％、Ce02 : 50摩爾％，成膜膜厚為IOOnm的薄膜，并形成薄膜片。將蒸鍍材中所含的MgO顆粒及CeO2顆粒的平均粒徑、薄膜中所含的MgO、CeO2的含有率及薄膜的堿度示于以下表I中。〈實施例22>分別準備平均粒徑為0. 7 u m、純度為99. 8%的高純度SnO2粉末作為升華性蒸鍍材的第I氧化物粉末，準備平均粒徑為0. 7 u m、純度為99. 5%的高純度CeO2粉末作為第2氧化物粉末。使用上述2種蒸鍍材，在厚度為75 y m的PET膜上，利用通過反應性等離子體蒸鍍法(RPD法)同時蒸鍍的共蒸鍍，控制膜中的含有率成為SnO2 50摩爾％、CeO2 50摩爾％，成膜膜厚為IOOnm的薄膜，并形成薄膜片。將蒸鍍材中所含的SnO2顆粒及CeO2顆粒的平均粒徑、薄膜中所含的Sn02、Ce02的含有率及薄膜的堿度示于以下表I中。〈實施例23>分別準備平均粒徑為0. 8 u m、純度為99. 8%的高純度ZnO粉末作為升華性蒸鍍材的第I氧化物粉末，準備平均粒徑為0. 6 u m、純度為99. 8%的高純度CaO粉末作為第2氧化物粉末。使用上述2種蒸鍍材，在厚度為75 u m的PET膜上，利用通過電子束蒸鍍法(EB法)同時蒸鍍的共蒸鍍，控制膜中的含有率成為ZnO 50摩爾％、CaO 50摩爾％，成膜膜厚為IOOnm的薄膜，并形成薄膜片。將蒸鍍材中所含的ZnO顆粒及CaO顆粒的平均粒徑、薄膜中所含的ZnO、CaO的含有率及薄膜的堿度示于以下表2中。〈實施例24>分別準備平均粒徑為0. 8 ii m、純度為99. 8%的高純度ZnO粉末作為升華性蒸鍍材的第I氧化物粉末，準備平均粒徑為0. 9iim、純度為99. 7%的高純度MgO粉末作為第2氧化物粉末。使用上述2種蒸鍍材，在厚度為75 ii m的PET膜上，利用通過電子束蒸鍍法(EB法)同時蒸鍍的共蒸鍍，控制膜中的含有率成為ZnO 50摩爾％、MgO 50摩爾％，成膜膜厚為IOOnm的薄膜，并形成薄膜片。將蒸鍍材中所含的ZnO顆粒及MgO顆粒的平均粒徑、薄膜中所含的Zn0、Mg0的含有率及薄膜的堿度示于以下表2中。〈實施例25>分別準備平均粒徑為0. 8 ii m、純度為99. 8%的高純度ZnO粉末作為升華性蒸鍍材的第I氧化物粉末，準備平均粒徑為0. 7 u m、純度為99. 8%的高純度SnO2粉末作為第2氧 化物粉末。使用上述2種蒸鍍材，在厚度為75 ii m的PET膜上，利用通過電子束蒸鍍法(EB法)同時蒸鍍的共蒸鍍，控制膜中的含有率成為ZnO :50摩爾％、Sn02 : 50摩爾％，成膜膜厚為IOOnm的薄膜，并形成薄膜片。將蒸鍍材中所含的ZnO顆粒及SnO2顆粒的平均粒徑、薄膜中所含的ZnO、SnO2的含有率及薄膜的堿度示于以下表2中。〈實施例26>分別準備平均粒徑為0. 8 ii m、純度為99. 8%的高純度ZnO粉末作為升華性蒸鍍材的第I氧化物粉末，準備平均粒徑為0. 7 u m、純度為99. 5%的高純度CeO2粉末作為第2氧化物粉末。使用上述2種蒸鍍材，在厚度為75 ii m的PET膜上，利用通過電子束蒸鍍法(EB法)同時蒸鍍的共蒸鍍，控制膜中的含有率成為ZnO :50摩爾％、Ce02 : 50摩爾％，成膜膜厚為IOOnm的薄膜，并形成薄膜片。將蒸鍍材中所含的ZnO顆粒及CeO2顆粒的平均粒徑、薄膜中所含的ZnO、CeO2的含有率及薄膜的堿度示于以下表2中。〈實施例27>分別準備平均粒徑為0. 8 ii m、純度為99. 8%的高純度ZnO粉末作為升華性蒸鍍材的第I氧化物粉末，準備平均粒徑為0. 6 ii m、純度為99. 8%的高純度CaO粉末作為第2氧化物粉末。使用上述2種蒸鍍材，在厚度為75 y m的PET膜上，利用通過電阻加熱法同時蒸鍍的共蒸鍍，控制膜中的含有率成為ZnO 50摩爾％、CaO 50摩爾％，成膜膜厚為IOOnm的薄膜，并形成薄膜片。將蒸鍍材中所含的ZnO顆粒及CaO顆粒的平均粒徑、薄膜中所含的ZnO、CaO的含有率及薄膜的堿度示于以下表2中。〈實施例28>分別準備平均粒徑為0. 8 ii m、純度為99. 8%的高純度ZnO粉末作為升華性蒸鍍材的第I氧化物粉末，準備平均粒徑為0. 9 ii m、純度為99. 7%的高純度MgO粉末作為第2氧化物粉末。使用上述2種蒸鍍材，在厚度為75 y m的PET膜上，利用通過電阻加熱法同時蒸鍍的共蒸鍍，控制膜中的含有率成為ZnO 50摩爾％、MgO 50摩爾％，成膜膜厚為IOOnm的薄膜，并形成薄膜片。將蒸鍍材中所含的ZnO顆粒及MgO顆粒的平均粒徑、薄膜中所含的ZnO、MgO的含有率及薄膜的堿度示于以下表2中。〈實施例29>分別準備平均粒徑為0. 8 ii m、純度為99. 8%的高純度ZnO粉末作為升華性蒸鍍材的第I氧化物粉末，準備平均粒徑為0. 7 u m、純度為99. 8%的高純度SnO2粉末作為第2氧化物粉末。使用上述2種蒸鍍材，在厚度為75 y m的PET膜上，利用通過電阻加熱法同時蒸鍍的共蒸鍍，控制膜中的含有率成為ZnO 50摩爾％、Sn02 : 50摩爾％，成膜膜厚為IOOnm的薄膜，并形成薄膜片。將蒸鍍材中所含的ZnO顆粒及SnO2顆粒的平均粒徑、薄膜中所含的ZnO、SnO2的含有率及薄膜的堿度示于以下表2中。〈實施例30>分別準備平均粒徑為0. 8 ii m、純度為99. 8%的高純度ZnO粉末作為升華性蒸鍍材的第I氧化物粉末，準備平均粒徑為0. 7 u m、純度為99. 5%的高純度CeO2粉末作為第2氧化物粉末。使用上述2種蒸鍍材，在厚度為75 y m的PET膜上，利用通過電阻加熱法同時蒸鍍的共蒸鍍，控制膜中的含有率成為ZnO 50摩爾％、Ce02 50摩爾％，成膜膜厚為IOOnm的薄膜，并形成薄膜片。將蒸鍍材中所含的ZnO顆粒及CeO2顆粒的平均粒徑、薄膜中所含的ZnO、CeO2的含有率及薄膜的堿度示于以下表2中。<比較例1>準備平均粒徑為0. 8 iim、純度為99. 8%的高純度ZnO粉末作為升華性蒸鍍材的第I氧化物粉末。使用上述單一蒸鍍材，在厚度為75 y m的PET膜上，通過反應性等離子體蒸鍍法(RH)法)成膜膜厚為IOOnm的薄膜，并形成薄膜片。將蒸鍍材中所含的ZnO顆粒的平均粒徑、薄膜中所含的ZnO的含有率及薄膜的堿度示于以下表2中。<比較例2>準備平均粒徑為0. 6 iim、純度為99. 8%的高純度CaO粉末作為升華性蒸鍍材的第I氧化物粉末。使用上述單一蒸鍍材，在厚度為75 y m的PET膜上，通過反應性等離子體蒸鍍法(RH)法)成膜膜厚為IOOnm的薄膜，并形成薄膜片。將蒸鍍材中所含的CaO顆粒的平均粒徑、薄膜中所含的CaO的含有率及薄膜的堿度示于以下表2中。<比較例3>準備平均粒徑為0. 9 ii m、純度為99. 7 %的高純度MgO粉末作為升華性蒸鍍材的第I氧化物粉末。使用上述單一蒸鍍材，在厚度為75 y m的PET膜上，通過反應性等離子體蒸鍍法(RH)法)成膜膜厚為IOOnm的薄膜，并形成薄膜片。將蒸鍍材中所含的MgO顆粒的平均粒徑、薄膜中所含的MgO的含有率及薄膜的堿度示于以下表2中。<比較例4>準備平均粒徑為0. 7 u m、純度為99. 8%的高純度SnO2粉末作為升華性蒸鍍材的第I氧化物粉末。使用上述單一蒸鍍材，在厚度為75 ii m的PET膜上，通過反應性等離子體蒸鍍法(RPD法)成膜膜厚為IOOnm的薄膜，并形成薄膜片。將蒸鍍材中所含的SnO2顆粒的平均粒徑、薄膜中所含的SnO2的含有率及薄膜的堿度示于以下表2中。<比較例5>準備平均粒徑為0. 7 U m、純度為99. 5%的高純度CeO2粉末作為升華性蒸鍍材的第I氧化物粉末。使用上述單一蒸鍍材，在厚度為75 ii m的PET膜上，通過反應性等離子體蒸鍍法(RPD法)成膜膜厚為IOOnm的薄膜，并形成薄膜片。將蒸鍍材中所含的CeO2顆粒的平均粒徑、薄膜中所含的CeO2的含有率及薄膜的堿度示于以下表2中。<比較例6>準備平均粒徑為0. 8 iim、純度為99. 8%的高純度ZnO粉末作為升華性蒸鍍材的第I氧化物粉末。使用上述單一蒸鍍材，在厚度為75 ii m的PET膜上，通過電子束蒸鍍法(EB法)成膜膜厚為IOOnm的薄膜，并形成薄膜片。將蒸鍍材中所含的ZnO顆粒的平均粒徑、薄膜中所含的ZnO的含有率及薄膜的堿度示于以下表2中。〈比較例7>準備平均粒徑為0. 6 iim、純度為99. 8%的高純度CaO粉末作為升華性蒸鍍材的第I氧化物粉末。使用上述單一蒸鍍材，在厚度為75 ii m的PET膜上，通過電子束蒸鍍法(EB法)成膜膜厚為IOOnm的薄膜，并形成薄膜片。將蒸鍍材中所含的CaO顆粒的平均粒徑、薄膜中所含的CaO的含有率及薄膜的堿度示于以下表2中。
〈比較例8>準備平均粒徑為0. 9 ii m、純度為99. 7 %的高純度MgO粉末作為升華性蒸鍍材的第I氧化物粉末。使用上述單一蒸鍍材，在厚度為75 ii m的PET膜上，通過電子束蒸鍍法(EB法)IOOnm的薄膜，并形成薄膜片。將蒸鍍材中所含的MgO顆粒的平均粒徑、薄膜中所含的MgO的含有率及薄膜的堿度示于以下表2中。〈比較例9>準備平均粒徑為0. 7 u m、純度為99. 8%的高純度SnO2粉末作為升華性蒸鍍材的第I氧化物粉末。使用上述單一蒸鍍材，在厚度為75 iim的PET膜上，通過電子束蒸鍍法(EB法)成膜膜厚為IOOnm的薄膜，并形成薄膜片。將蒸鍍材中所含的SnO2顆粒的平均粒徑、薄膜中所含的SnO2的含有率及薄膜的堿度示于以下表2中。< 比較例 10>準備平均粒徑為0. 7 U m、純度為99. 5%的高純度CeO2粉末作為升華性蒸鍍材的第I氧化物粉末。使用上述單一蒸鍍材，在厚度為75 iim的PET膜上，通過電子束蒸鍍法(EB法)成膜膜厚為IOOnm的薄膜，并形成薄膜片。將蒸鍍材中所含的CeO2顆粒的平均粒徑、薄膜中所含的CeO2的含有率及薄膜的堿度示于以下表2中。< 比較例 11>準備平均粒徑為0. 8 iim、純度為99. 8%的高純度ZnO粉末作為升華性蒸鍍材的第I氧化物粉末。使用上述單一蒸鍍材，在厚度為75 y m的PET膜上，通過電阻加熱法成膜膜厚為IOOnm的薄膜，并形成薄膜片。將蒸鍍材中所含的ZnO顆粒的平均粒徑、薄膜中所含的ZnO的含有率及薄膜的堿度示于以下表2中。< 比較例 12>準備平均粒徑為0. 6 iim、純度為99. 8%的高純度CaO粉末作為升華性蒸鍍材的第I氧化物粉末。使用上述單一蒸鍍材，在厚度為75 y m的PET膜上，通過電阻加熱法成膜膜厚為IOOnm的薄膜，并形成薄膜片。將蒸鍍材中所含的CaO顆粒的平均粒徑、薄膜中所含的CaO的含有率及薄膜的堿度示于以下表2中。< 比較例 13>準備平均粒徑為0. 9 ii m、純度為99. 7 %的高純度MgO粉末作為升華性蒸鍍材的第I氧化物粉末。使用上述單一蒸鍍材，在厚度為75 ii m的PET膜上，通過電阻加熱法IOOnm的薄膜，并形成薄膜片。將蒸鍍材中所含的MgO顆粒的平均粒徑、薄膜中所含的MgO的含有率及薄膜的堿度示于以下表2中。< 比較例 14>準備平均粒徑為0. 7 u m、純度為99. 8%的高純度SnO2粉末作為升華性蒸鍍材的第I氧化物粉末。使用上述單一蒸鍍材，在厚度為75 y m的PET膜上，通過電阻加熱法成膜膜厚為IOOnm的薄膜，并形成薄膜片。將蒸鍍材中所含的SnO2顆粒的平均粒徑、薄膜中所含的SnO2的含有率及薄膜的堿度示于以下表2中。< 比較例 15>準備平均粒徑為0. 7 U m、純度為99. 5%的高純度CeO2粉末作為升華性蒸鍍材的第I氧化物粉末。使用上述單一蒸鍍材，在厚度為75 y m的PET膜上，通過電阻加熱法成膜膜厚為IOOnm的薄膜，并形成薄膜片。將蒸鍍材中所含的CeO2顆粒的平均粒徑、薄膜中所含的CeO2的含有率及薄膜的堿度示于以下表2中。<比較試驗及評價1>
通過下述計算公式求出示于以下的表I 表2的薄膜中所含的第I氧化物和第2氧化物在膜中的含有率(m0l% )。膜厚如下測定，即分別在第I氧化物和第2氧化物的蒸鍍源的上部設置膜測厚儀，測定來自各蒸鍍源的蒸鍍膜的厚度。共蒸鍍的遮斷膜的膜厚t = t:+t2其中，h為第I氧化物的膜厚，t2為第2氧化物的膜厚。IOcmX IOcm角基板上的膜重w第I 氧化物的膜重 W1 = LXKT7X 10 X 10 X Cl1第2 氧化物的膜重 W2 = t2 X KT7X 10 X 10 Xd2其中，Cl1為第I氧化物的理論密度，d2為第2氧化物的理論密度。膜中的第I氧化物的分子量Mol1 = W1ZM1膜中的第2氧化物的分子量Mol2 = W2ZM2其中，M1為第I氧化物的分子量，M2為第2氧化物的分子量。第I氧化物在膜中的含有率(mol% ) = MoI1Z(MoI^MoI2) X 100第2氧化物在膜中的含有率(mol% ) = MoI2Z(MoI^MoI2) XlOO接著，對在實施例I 30及比較例I 15中得到的薄膜片測定水蒸氣滲透率，并評價氣體遮斷性。另外，對這些薄膜片進行透光率測定，并評價透明性。將這些結果示于以下表I 表2中。(I)氣體遮斷性將薄膜片在設定為溫度20°C、相對濕度50% RH的絕對無塵室內放置I小時之后，利用MOCON公司制造的水蒸氣滲透率測定裝置(型號名稱為PERMATRAN-W型3/33)，在溫度40°C、相對濕度90% RH的條件下測定水蒸氣滲透率。(2)透光率利用株式會社日立制作所公司制造的分光光度計(型號名稱為U-4000)，對薄膜片測定380 780nm波長中的透光率。[表 I]
權利要求
1.一種薄膜的制造方法，其特征在于， 使用由第I氧化物構成的升華性蒸鍍材和由與所述第I氧化物不同種類的第2氧化物構成的升華性蒸鍍材，利用通過真空成膜法同時蒸鍍的共蒸鍍法，在基材上形成由所述第I氧化物和所述第2氧化物構成的氧化物薄膜。
2.如權利要求I所述的薄膜的制造方法，其中， 以所述形成的薄膜的堿度為O. 03以上的方式組合由所述第I氧化物構成的升華性蒸鍍材和由與所述第I氧化物不同種類的第2氧化物構成的升華性蒸鍍材。
3.如權利要求I或2所述的薄膜的制造方法，其中， 以所述形成的薄膜的第I氧化物與第2氧化物的摩爾比率為5 85 95 15的方式組合由所述第I氧化物構成的升華性蒸鍍材和由與所述第I氧化物不同種類的第2氧化物構成的升華性蒸鍍材。
4.如權利要求I所述的薄膜的制造方法，其中， 所述升華性蒸鍍材的第I氧化物及第2氧化物為選自ZnO、CaO、MgCKSnO2及CeO2中的至少I種。
5.如權利要求I所述的薄膜的制造方法，其中， 所述真空成膜法為電子束蒸鍍法、離子鍍法、反應性等離子體蒸鍍法、電阻加熱法或感應加熱法中的任意一種。
6.如權利要求I所述的薄膜的制造方法，其中， 所述升華性蒸鍍材的第I氧化物顆粒及第2氧化物顆粒的平均粒徑分別為O. I 10 μ m0
7.一種共蒸鍍用蒸鍍材，其特征在于， 用于權利要求I至6中任一項所述的制造方法， 包括由所述第I氧化物構成的升華性蒸鍍材和由與所述第I氧化物不同種類的第2氧化物構成的升華性蒸鍍材的組合。
8.如權利要求7所述的共蒸鍍用蒸鍍材，其中， 所述升華性蒸鍍材的第I氧化物及第2氧化物為選自Zn0、Ca0、Mg0、Sn02及CeO2中的至少I種。
9.如權利要求7或8所述的共蒸鍍用蒸鍍材，其中， 所述升華性蒸鍍材的第I氧化物顆粒及第2氧化物顆粒的平均粒徑分別為O. I 10 μ m0
10.一種氧化物薄膜，其中， 通過權利要求I至6中任一項所述的制造方法得到， 使用由所述第I氧化物構成的升華性蒸鍍材和由與所述第I氧化物不同種類的第2氧化物構成的升華性蒸鍍材，利用通過真空成膜法同時蒸鍍的共蒸鍍法成膜，并由所述第I氧化物及所述第2氧化物構成。
11.一種薄膜片，其中， 通過權利要求I至6中任一項所述的制造方法，在第I基材膜上形成氧化物薄膜而成，所述氧化物薄膜使用由所述第I氧化物構成的升華性蒸鍍材和由與所述第I氧化物不同種類的第2氧化物構成的升華性蒸鍍材，利用通過真空成膜法同時蒸鍍的共蒸鍍法成膜，并由所述第I氧化物及所述第2氧化物構成。
12.如權利要求11所述的薄膜片，其中， 所述真空成膜法為電子束蒸鍍法、離子鍍法、反應性等離子體蒸鍍法、電阻加熱法或感應加熱法中的任意一種。
13.如權利要求11或12所述的薄膜片，其中， 在溫度20°C、相對濕度50% RH的條件下放置I小時時的水蒸氣滲透率S為O. 3g/m2 天以下。
14.一種層疊片，該層疊片在權利要求11至13中任一項所述的薄膜片的薄膜形成側，通過粘著層層疊第2基材膜而成。
全文摘要
本發明提供一種透明性及氣體遮斷性優異的薄膜的制造方法、適合形成該薄膜的共蒸鍍用蒸鍍材、通過該方法得到的薄膜、具備該薄膜的薄膜片及層疊片。本發明的薄膜的制造方法，其特征在于，使用由第1氧化物構成的升華性蒸鍍材和由與該第1氧化物不同種類的第2氧化物構成的升華性蒸鍍材，利用通過真空成膜法同時蒸鍍的共蒸鍍法，在基材上形成由第1氧化物和第2氧化物構成的氧化物薄膜。
文檔編號C23C14/08GK102628155SQ20121000834
公開日2012年8月8日 申請日期2012年1月12日 優先權日2011年2月2日
發明者吉田勇氣, 有泉久美子, 櫻井英章 申請人:三菱綜合材料株式會社