基片承載裝置及金屬有機化學氣相沉積裝置制造方法
【專利摘要】本發明涉及一種基片承載裝置，所述基片承載裝置應用于半導體處理裝置中，所述基片承載裝置包括承載板以及與所述承載板相連的承載軸，所述承載軸與旋轉驅動單元相連接，所述旋轉驅動單元驅動所述承載軸旋轉，所述承載板具有卡扣部，所述承載軸具有卡扣對接部用以與所述卡扣部相配合，所述卡扣部與所述卡扣對接部具有不同的熱膨脹系數，使得所述卡扣部與所述卡扣對接部在受熱升溫后能夠叩齒的更加牢固。本發明的基片承載裝置的部件在非受熱情況下易于拆分，而在受熱升溫后能牢固連接。
【專利說明】基片承載裝置及金屬有機化學氣相沉積裝置
【技術領域】
[0001]本發明涉及半導體制造設備【技術領域】，特別涉及一種基片承載裝置及應用所述基片承載裝置的金屬有機化學氣相沉積裝置。
【背景技術】
[0002]自GaN基第三代半導體材料的興起，藍光LED研制成功，LED的發光強度和白光發光效率不斷提高。LED被認為是下一代進入通用照明領域的新型固態光源，因此得到廣泛關注；而金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)裝置是生長LED外延片的重要設備。
[0003]請參閱圖1，圖1是現有技術的一種MOCVD裝置的剖面結構示意圖。所述MOCVD裝置I包括旋轉驅動單元、腔體11以及設置在所述腔體11內的噴淋組件12、基片承載裝置16和加熱器15。所述噴淋組件12設置于所述腔體11的頂部，所述基片承載裝置16設置于所述腔體11的底部。所述加熱器15用于加熱所述基片承載裝置16。
[0004]所述基片承載裝置16，包括承載板13和與所述承載板13相連接的承載軸14。所述承載板13與所述噴淋組件12相對設置；所述承載板13與所述噴淋組件12之間限定反應空間，基片17通常直接置于所述承載板13面向所述噴淋組件12—側的表面，基片17也可以先設置于基片承載裝置171上，所述基板承載裝置171被設置于所述承載板13面向所述噴淋組件12 —側的表面。所述承載軸14設置在所述承載板13背離所述噴淋組件12的一側。所述承載軸14 一端通過螺釘、螺栓和彈簧墊圈等與所述承載板13固定連接。所述驅動單元連接所述承載軸 14，并驅動所述承載軸14旋轉；從而帶動所述承載板13轉動。
[0005]然而，現有技術MOCVD裝置在進行MOCVD工藝時，所述加熱器15通常需要將所述基片承載裝置16從室溫加熱到一個較高的溫度，如加熱到幾百攝氏度，甚至到1000多攝氏度，以滿足MOCVD工藝要求。如此高的溫度會使得連接所述承載軸14和所述承載板13的螺釘、螺栓變形，使得所述彈簧墊圈失去彈性；從而使得所述承載軸14和所述承載板13連接不牢固。使得所述承載板13在轉動時，發生振動，影響其上反應空間的高度，并可能損壞支撐在其上基片。同時，所述承載軸14和所述承載板13連接不牢固，還可能造成所述承載板13脫落。
[0006]另外在工業化生產中，所述承載板13需要在溫度較低時從所述腔體11中以自動化方式，如用機械手，傳輸出或從所述腔體11外部傳入所述腔體11內。以螺釘，螺栓，及彈簧等方式將所述承載板13固定在所述承載軸14上導致所述承載板13的傳輸無法以簡單的自動化方式實現，是大工業化生產中的瓶頸。
[0007]所述承載板13的帶動可以用其與所述承載軸14間的摩擦力來帶動，這是一個簡單的方法，但是該方法無法再精確控制所述承載板13轉速，引入工藝參數誤差，也不能再所述承載板13停止時實現精確定位。
[0008]因此，有必要研發一種受熱升溫后，所述承載軸和所述承載板之間仍能牢固連接的基片承載裝置和使用所述基片承載裝置的MOCVD裝置。
【發明內容】

[0009]現有技術的基片承載裝置存在受熱升溫后，承載軸和承載板之間連接會發生松動，連接不牢固的問題，本發明提供一種能解決上述問題的基片承載裝置。
[0010]一種基片承載裝置，其應用于半導體處理裝置中，所述基片承載裝置包括的承載板以及與所述承載板相連的承載軸，所述承載軸與旋轉驅動單元相連接，所述旋轉驅動單元驅動所述承載軸旋轉，所述承載板具有卡扣部，所述承載軸具有卡扣對接部用以與所述卡扣部相配合，所述卡扣部與所述卡扣對接部具有不同的熱膨脹系數，使得所述卡扣部與所述卡扣對接部在受熱升溫后能夠叩齒的更加牢固。
[0011]本發明同時提供一種使用上述基片承載裝置的金屬有機化學氣相沉積裝置。
[0012]一種金屬有機化 學氣相沉積裝置，其包括腔體以及設置于所述腔體內的噴淋組件、基片承載裝置和加熱器，所述噴淋組件設置于所述腔體的頂部，所述基片承載裝置設置于所述腔體的底部，所述噴淋組件與基片承載裝置相對設置，所述加熱器用于加熱所述基片承載裝置，其中所述基片承載裝置為如上所述的基片承載裝置。
[0013]與現有技術相比較，本發明的基片承載裝置中，所述承載板與所述承載軸之間通過所述卡扣部與所述卡扣對接部的配合而固定連接，其中，所述卡扣部與所述卡扣對接部的熱膨脹系數選擇，使得所述卡扣部與所述卡扣對接部在受熱升溫后能夠叩齒的更加牢固；從而使得所述基片承載裝置在受熱升溫后，所述承載板與所述承載軸連接的更加牢固。同時，由于所述承載板與所述承載軸之間只由所述卡扣部與所述卡扣對接部通過熱膨脹而固定連接。因此，在溫度較低時，所述承載板與所述承載軸可以方便的分離，且這種分離工作可以由機械的自動化方式來完成，例如可以通過機械手直接完成所述卡扣部與所述卡扣對接部的分離，而避免了人為的拆裝，或者反復打開腔體。具體地，避免了拆除如現有技術中描述的用于固定所述卡扣部與所述卡扣對接部用的釘，螺栓，及彈簧，也提供了生產效率。
[0014]優選地，所述卡扣部具有平行于所述承載板的非圓形橫截面，使得所述卡扣部與所述卡扣對接在相對旋轉的過程中具有一個集中的受力位置，使得相互之間的叩齒更加牢固。
[0015]優選地，所述卡扣部具有垂直于所述承載板的倒梯形橫截面，這樣使得所述卡扣部與所述卡扣對接部的組裝更為方便。
[0016]本發明的金屬有機化學氣相沉積裝置具有基本相同的技術效果。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]圖1是現有技術的一種MOCVD裝置的剖面結構示意圖。
[0018]圖2是應用本發明第一實施方式基片承載裝置的MOCVD裝置剖面結構示意圖。
[0019]圖3為圖2所示基片承載裝置的分解結構剖面示意圖。
[0020]圖4是圖3所示承載板的仰視結構示意圖。
[0021]圖5是圖3所示基片承載裝置組合后的結構剖面示意圖。
[0022]圖6是本發明基片承載裝置第二實施方式的分解結構剖面示意圖。
【具體實施方式】[0023]現有技術的MOCVD設備中，存在基片承載裝置受熱升溫后，承載軸和承載板之間連接會發生松動，連接不牢固的問題；為解決現有技術的問題，本發明提供一在受熱升溫仍然能夠牢固連接的基片承載裝置。所述基片承載裝置包括承載板以及與所述承載板相連的承載軸，所述承載軸與旋轉驅動單元相連接，所述旋轉驅動單元驅動所述承載軸旋轉，所述承載板具有卡扣部，所述承載軸具有卡扣對接部用以與所述卡扣部相配合，所述卡扣部與所述卡扣對接部具有不同的熱膨脹系數，使得所述卡扣部與所述卡扣對接部在受熱升溫后能夠叩齒的更加牢固。本發明還提供一種應用所述基片承載裝置的MOCVD裝置
[0024]與現有技術相比較，本發明的基片承載裝置中，所述承載板與所述承載軸之間通過所述卡扣部與所述卡扣對接部的配合而固定連接，其中，所述卡扣部與所述卡扣對接部的熱膨脹系數選擇，使得所述卡扣部與所述卡扣對接部在受熱升溫后能夠叩齒的更加牢固；從而使得所述基片承載裝置在受熱升溫后，所述承載板與所述承載軸連接的更加牢固。
[0025]為使本發明的上述目的、特征和優點能夠更加明顯易懂，下面結合附圖對本發明的【具體實施方式】做詳細的說明。 [0026]在下面的描述中闡述了很多具體細節以便于充分理解本發明，但是本發明還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來實施，因此本發明不受下面公開的具體實施例的限制。
[0027]請參閱圖2，圖2是應用本發明第一實施方式基片承載裝置的MOCVD裝置剖面結構示意圖。所述MOCVD裝置2優選的為用于生長LED外延片的MOCVD裝置。所述MOCVD裝置2包括旋轉驅動單元(圖未示)、腔體21以及設置在所述腔體21內的噴淋組件22、基片承載裝置26和加熱器25。所述噴淋組件22設置于所述腔體21的頂部；所述噴淋組件22用于輸入反應氣體。所述基片承載裝置26設置于所述腔體21的底部。所述加熱器25用于加熱所述基片承載裝置26。
[0028]請參閱圖2、圖3,圖3為圖2所示基片承載裝置26的分解結構剖面示意圖。所述基片承載裝置26，包括承載板23和與所述承載板23相連接的承載軸24。所述承載板23與所述噴淋組件22相對設置；所述承載板23與所述噴淋組件22之間限定反應空間。基片27通常直接置于所述承載板23面向所述噴淋組件22—側的表面，基片27也可以先設置于基片承載裝置271上，同時所述基板承載裝置271被設置于所述承載板23面向所述噴淋組件22—側的表面。所述加熱器25設置在所述承載板23背離所述噴淋組件22的一側。所述承載軸24設置在所述承載板23背離所述噴淋組件22的一側。所述承載板23具有卡扣部，所述承載軸24具有與所述卡扣部相配合的卡扣對接部。所述承載板23與所述承載軸24通過所述卡扣部和所述卡扣對接部的配合而固定連接。
[0029]所述承載板23由耐高溫材料構成，從而使得所述承載板23至少能耐受20至1500攝氏度的溫度；可選的，構成所述承載板23的材料為石墨或具有碳化硅涂層的石墨。所述承載板23包括面向所述噴淋組件22的基片承載面231和與所述基片承載面231相對的卡扣面232。在進行MOCVD工藝的過程中，待處理基片被設置在所述基片承載面231上。一固定塊233設置在所述卡扣面232 ;所述固定塊233固定于卡扣面232。所述固定塊233為所述承載板23的卡扣部。可選的，所述固定塊233為與所述承載板23 —體成型；優選的，所述卡扣面232與所述固定塊233之間設置有卡扣連接部234，所述卡扣連接部234能夠減少所述卡扣面232到所述固定塊233之間的熱傳遞。[0030]請參閱圖4,圖4是圖3所示承載板23的仰視結構示意圖。構成所述固定塊233的材料優選的為石墨或具有碳化硅涂層的石墨材料；其中，石墨材料的熱膨脹系數為
7.9xl(T6m/mK ;具有碳化娃涂層的石墨材料的復合熱膨脹系數一般不小于4.8xl(T6m/mK。所述固定塊233優選的設置于所述承載板23的中心。優選的，所述固定塊233平行于所述承載板23的截面的形狀為非圓形截面，如多邊形、正方形、矩形、橢圓形等等。在本發明的某些最佳實施方式中所述固定塊233平行于所述承載板23的截面的形狀為橢圓形截面。上述非圓形截面形狀使得所述卡扣部與所述卡扣對接在相對旋轉的過程中具有一個集中的受力位置，使得所述卡扣部與所述卡扣對接相互之間的叩齒更加牢固。
[0031]又優選的，所述固定塊233垂直所述承載板23的截面為梯形，所述梯形截面臨近所述承載板23 —側的底邊長于所述遠離所述承載板23的底邊，即所述固定塊233垂直于所述承載板的截面是倒梯形。這種形狀的截面使所述固定塊233與所述卡扣對接部的組裝更為方便。
[0032]請再次參閱圖3，所述卡扣對接部設置在所述承載軸24的上端，則靠近所述承載板23的一端。在本實施方式中，所述卡扣對接部與所述承載軸24 —體成型，因所述卡扣對接部則為所述承載軸24的上端部。所述承載軸24的上端部具有面向所述承載板23的端面242 ;—凹槽241設置在所述端面242。其中，所述承載軸24的上端部的熱膨脹系數小于所述承載板23上所述固定塊233的熱膨脹系數；優選的，構成所述承載軸24的上端部或構成所述承載軸24的材料為SiC、BN、石英、Si3N4、B4C等陶瓷材料；其中，氮化硅材料的熱膨脹系數為4.2xlO_6m/mK ；BN的熱膨脹系數一般為3.7xlO_6m/mK ；SiC的熱膨脹系數一般低于
4.3xl(T6m/mK,可低達2.8xl(T6m/mK ;石英材料的熱膨脹系數為0.55xl(T6m/mK ；B4C材料的熱膨脹系數為5.0xl(T6m/mK。
[0033]所述凹槽241用于收容所述承載板23上的固定塊233。所述凹槽241的截面形狀與所述固定塊233的截面形狀相匹配，以使得所述承載軸24的轉動扭矩能夠傳輸到所述承載板23。優選的，所述凹槽241平行所述承載板23的截面形狀與所述固定塊233的截面形狀相同，如同為橢圓形，且略大于所述固定塊233的截面。使用橢圓形的截面可以保證所述承載軸24的轉動扭矩能夠傳輸到所述承載板23同時，所述凹槽241的內壁與所述固定塊233之間的接觸面積最少；又優選的，所述凹槽241垂直所述承載板23的截面形狀與所述固定塊233的截面形狀相同，如同為梯形，且在常溫下，所述梯形截面的較短的底邊邊長大于所述梯形固定塊233的截面較長底邊邊長。
[0034]優選的，所述承載軸24的端面242為織構表面，則所述端面242上設置有微結構，也即所述織構表面為粗糙表面。所述織構表面可以通過打磨得到；優選的，所述織構表面通過磷酸或硝酸與氫氟酸混合物刻蝕而形成。
[0035]請一并參閱圖5,圖5是圖3所示基片承載裝置26組合后的結構剖面示意圖。所述基片承載裝置26組合過程是:將所述承載板23上的固定塊233對應嵌入到所述承載軸24的所述凹槽241中，從而使得所述承載板23與所述承載軸24固定連接。優選的，所述承載軸24的端面242與所述承載板23上的卡扣連接部234接觸；進一步優選的，所述卡扣連接部234完全阻隔于所述承載軸24的端面242與所述承載板23卡扣面232之間。又優選的，所述凹槽241的深度應該使得所述固定塊233嵌入到所述凹槽241后，所述固定塊233遠離所述承載板23的下表面與所述凹槽241底面之間具有間隙243。[0036]與現有技術相比較，本發明的基片承載裝置26通過將所述承載板23上的固定塊233對應嵌入到所述承載軸24上端部的所述凹槽241中，從而使得所述承載板23與所述承載軸24固定連接。由于所述固定塊233的熱膨脹系數大于所述承載軸24的上端部的熱膨脹系數，當所述基片承載裝置26受熱升溫時，所述固定塊233膨脹量要大于所述承載軸24的上端部，從而使得所述固定塊233受到來自所述凹槽241內壁的壓應力，因而使得所述承載板23與所述承載軸24之間連接更為牢固。同時，由于所述承載板23與所述承載軸24之間只通過所述固定塊233與所述凹槽241通過熱膨脹而固定連接。因此，在溫度較低時，所述承載板23與所述承載軸24可以方便的分離。這種分離工作可以由機械的自動化方式來完成，例如可以通過機械手直接完成所述固定塊233與所述凹槽241的分離，而避免了人為的拆裝，或者反復打開腔體。具體地，避免了拆除如現有技術中描述的用于固定所述卡扣部與所述卡扣對接部用的釘，螺栓，及彈簧，也提供了生產效率。同樣地，所述固定塊233與所述凹槽241在受熱升溫后能夠叩齒牢固，從而所述承載軸24與所述承載板23相對固定，減少了組裝和拆卸上的時間成本，提聞了生廣效率。
[0037]所述凹槽241的深度應該使得所述固定塊233嵌入到所述凹槽241后，所述固定塊233遠離所述承載板23的下表面與所述凹槽241底面之間具有間隙243。所述間隙可以增大所述承載板23與所述承載軸24之間的熱阻，從而使得所述承載軸24溫度對所述承載板23溫度的影響減少，使得所述承載板23的基片承載面231溫度分布均勻。在所述固定塊233與所述卡扣面232之間設置的卡扣連接部234同樣可以增加所述承載板23與所述承載軸24之間的熱阻。所述承載軸24的端面242為織構表面，可以使得所述承載軸24的端面242與所述承載板23上的卡扣連接部234之間的接觸面積減少，也可以增加所述承載板23與所述承載軸24之間的熱阻。
[0038]請參閱圖6，圖6是本發明基片承載裝置第二實施方式的分解結構示意圖。所述第二實施方式的基片承載裝置36。與所述第一實施方式的基片承載裝置26作用和結構基本相同，其具 如下區別:
[0039]在承載板33中，固定塊333固定于卡扣面332。所述固定塊333為所述承載板33的卡扣部。可選的，所述固定塊333為與所述承載板33 —體成型；優選的，所述卡扣面332與所述固定塊333之間設置有卡扣連接部331，所述卡扣連接部331能夠減少所述卡扣面332到所述固定塊333之間的熱傳遞。
[0040]構成所述固定塊333的材料為碳化硅或具有碳化硅涂層的石墨材料。所述固定塊333優選的設置于所述承載板33的中心。所述固定塊333具有面向所述承載軸34的下表面335 ；一^^扣凹槽334設置在所述下表面335。優選的，所述卡扣凹槽334平行所述承載板33的截面形狀為橢圓形。所述卡扣凹槽334平行所述承載板33的截面形狀還可以是多邊形、正方形、矩形等等；又優選的，所述凹槽334垂直所述承載板33的截面為梯形，所述梯形截面臨近所述承載板33 —側的底邊長于所述遠離所述承載板33的底邊。優選的，所述固定塊333的下表面335為織構表面。所述織構表面為粗糙表面，可以通過打磨得到；優選的，所述織構表面通過磷酸或硝酸與氫氟酸混合物刻蝕而形成。
[0041]所述承載軸34的上端部具有端面342，所述端面342上設置有一突出部341 ;所述突出部341固定于所述端面342 ;可選的，所述突出部341為與所述承載軸34 —體成型。所述突出部341為所述承載軸34的卡扣對接部。其中，所述突出部341的熱膨脹系數大于所述承載板33上所述固定塊333的熱膨脹系數；優選的，構成所述突出部341或構成所述承載軸34的材料為BN、Si3N4、B4C、鋁等陶瓷材料；其中，SiC的熱膨脹系數可低達2.8x1 O^m/mK ;鋁的熱膨脹系數為7.3X10_6m/mK。
[0042]所述突出部341被對應收容于所述固定塊333上的所述卡扣凹槽334。所述突出部341平行所述承載板33的截面形狀與所述卡扣凹槽334平行所述承載板33的截面形狀相匹配，使得所述承載軸34的轉動扭矩能夠傳輸到所述承載板33。優選的，所述突出部341平行所述承載板33的截面形狀與所述卡扣凹槽334平行所述承載板33的截面形狀相同，且略小于所述卡扣凹槽334平行所述承載板33的截面；又優選的，所述突出部341垂直所述承載板33的截面形狀與所述卡扣凹槽334的截面形狀相同，如同為梯形，且在常溫下，所述梯形截面的較短的底邊邊長小于所述梯形卡扣凹槽334的截面較長底邊邊長。
[0043]優選的，所述承載軸34端面342為織構表面。所述織構表面可以通過打磨得到；優選的，所述織構表面通過磷酸或硝酸與氫氟酸混合物刻蝕而形成。
[0044]所述基片承載裝置36組合過程是:將所承載軸34上的突出部341對應嵌入到所述固定塊333上的所述卡扣凹槽334中，從而使得所述承載板33與所述承載軸34固定連接。優選的，所述承載軸34的端面342與所述固定塊333的下表面335接觸。優選的，所述卡扣凹槽334的深度使得所述突出部341嵌入到所述卡扣凹槽334后，所述突出部341面向所述承載板33的表面與所述卡扣凹槽334底面之間具有間隙。
[0045]雖然本發明已以較佳實施例披露如上，但本發明并非限定于此。任何本領域技術人員，在不脫離本發明的精神和范圍內，均可作各種更動與修改，因此本發明的保護范圍應當以權利要求所限定的 范圍為準。
【權利要求】
1.一種基片承載裝置，其應用于半導體處理裝置中，所述基片承載裝置包括的承載板以及與所述承載板相連的承載軸，所述承載軸與旋轉驅動單元相連接，所述旋轉驅動單元驅動所述承載軸旋轉，其特征在于，所述承載板具有卡扣部，所述承載軸具有卡扣對接部用以與所述卡扣部相配合，所述卡扣部與所述卡扣對接部具有不同的熱膨脹系數，使得所述卡扣部與所述卡扣對接部在受熱升溫后能夠叩齒的更加牢固。
2.根據權利要求1所述的基片承載裝置，其特征在于:所述承載板具有基片承載面以及與所述基片承載面相對的卡扣面，所述卡扣部為設置在所述卡扣面上的固定塊，所述固定塊下部設置有卡扣凹槽，所述卡扣對接部為設置在所述承載軸上端的突出部，所述突出部凸伸至所述卡扣凹槽內。
3.根據權利要求2所述的基片承載裝置，其特征在于:所述卡扣凹槽具有面向所述突出部的底表面，所述底表面與所述突出部之間存在間隙。
4.根據權利要求3所述的基片承載裝置，其特征在于:所述卡扣部的熱膨脹系數小于所述卡扣對接部。
5.根據權利要求4所述的基片承載裝置，其特征在于:所述卡扣部的材質為SiC或具有SiC涂層的石墨材料，所述卡扣對接部的材料為BN、Si3N4、B4C、鋁等陶瓷材料。
6.根據權利要求1所述的基片承載裝置，其特征在于:所述承載板具有基片承載面以及與所述基片承載面相對的卡扣面，所述卡扣部為設置在所述卡扣面上的固定塊，所述卡扣對接部設置在所述承載軸的上端，其具有收容所述固定塊的凹部。
7.根據權利要求6所述的卡扣面上的固定塊和所述卡扣對接部，其特征在于，在受熱膨脹后所述的卡扣面上的固定塊 受到來自所述卡扣對接部的壓應力。
8.根據權利要求6所述的基片承載裝置，其特征在于:所述凹部具有底面，所述固定塊具有遠離所述承載板的下表面，所述下表面與所述底面之間存在間隙。
9.根據權利要求8所述的基片承載裝置，其特征在于:所述卡扣部的熱膨脹系數大于所述卡扣對接部。
10.根據權利要求9所述的基片承載裝置，其特征在于:所述卡扣部的材質為石墨或具有SiC涂層的石墨材料，所述卡扣對接部的材料為SiC、BN、石英、Si3N4、B4C等陶瓷材料。
11.根據權利要求3或8所述的基片承載裝置，其特征在于:所述卡扣面與所述卡扣部之間設置有卡扣連接部，以降低所述卡扣部與所述承載板之間的熱傳導。
12.根據權利要求11所述的基片承載裝置，其特征在于:所述半導體處理裝置為生長LED外延片的金屬氧化物化學氣相沉積裝置。
13.根據權利要求12所述的基片承載裝置，其特征在于:所述卡扣對接部具有面向所述承載板的頂面，所述頂面為織構表面。
14.根據權利要求13所述的基片承載裝置，其特征在于:所述織構表面由磷酸或硝酸與氫氟酸混合物刻蝕而形成。
15.根據權利要求14所述的基片承載裝置，其特征在于:所述承載板可被加熱器加熱到20-1500攝氏度。
16.根據權利要求15所述的基片承載裝置，其特征在于:所述承載板與所述卡扣部一體形成。
17.根據權利要求6所述的基片承載裝置，其特征在于:所述卡扣部具有平行于所述承載板的非圓形橫截面。
18.根據權利要求6所述的基片承載裝置，其特征在于:所述卡扣部具有垂直于所述承載板的倒梯形橫截面。
19.一種金屬有機化學氣相沉積裝置，其包括腔體以及設置于所述腔體內的噴淋組件、基片承載裝置和加熱器，所述噴淋組件設置于所述腔體的頂部，所述基片承載裝置設置于所述腔體的底部，所述噴淋組件與基片承載裝置相對設置，所述加熱器用于加熱所述基片承載裝置，其特征在于:所述基片`承載裝置為如上所述權利要求1所述的基片承載裝置。
【文檔編號】C23C16/458GK103774118SQ201210396337
【公開日】2014年5月7日 申請日期:2012年10月17日 優先權日:2012年10月17日
【發明者】馬悅 申請人:理想能源設備(上海)有限公司