鍍膜件及其制備方法
【專利摘要】一種鍍膜件，其包括基材及形成于基材表面的膜層，該膜層中含有氧化鋁或硅鋁氧化物，并含有聚四氟乙烯，其中該膜層中氧化鋁或硅鋁氧化物與聚四氟乙烯的質量比為1：1.2～1：1.5。該膜層具有白色的外觀，且具有高硬度、低摩擦系數、良好的耐磨、抗污性能，可提高鍍膜件的外觀美感和使用性能。此外，本發明還提供一種所述鍍膜件的制備方法。
【專利說明】鍍膜件及其制備方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種鍍膜件及其制備方法。
【背景技術】
[0002]為了使電子裝置的外殼具有豐富色彩，目前主要通過陽極氧化、烤漆、烤瓷、PVD鍍膜技術等工藝制備裝飾涂層。然而，這些裝飾涂層通常不具有抗污性能。

【發明內容】

[0003]有鑒于此，有必要提供一種表面形成有白色的膜層且具有抗污性能的鍍膜件。
[0004]另外，還有必要提供一種上述鍍膜件的制備方法。
[0005]一種鍍膜件，其包括基材及形成于基材表面的膜層，該膜層中含有氧化鋁或硅鋁氧化物，并含有聚四氟乙烯，其中該膜層中氧化鋁或硅鋁氧化物與聚四氟乙烯的質量比為1:1.2 ~I:1.5。
[0006]一種鍍膜件的制備方法，其包括如下步驟:
提供基材；
在該基材的表面形成膜層，采用磁控濺射法，使用鋁靶和硅鋁靶中的一種以及聚四氟乙烯靶，并通入工作氣體氬氣和反應氣體氧氣，該膜層中含有氧化鋁或硅鋁氧化物，并含有聚四氟乙烯，其中該膜層中氧化鋁或硅鋁氧化物與聚四氟乙烯的質量比為1:1.2~1:1.5。
[0007]本發明鍍膜件在基材表面濺鍍含氧化鋁和硅鋁氧化物之一和聚四氟乙烯的膜層。該膜層具有白色的外觀，且具有高硬度、低摩擦系數、良好的耐磨、抗污性能，可提高鍍膜件的外觀美感和使用性能。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]圖1為本發明一較佳實施例的鍍膜件的剖視圖。
[0009]圖2為本發明一較佳實施例真空鍍膜機的俯視示意圖。
[0010]主要元件符號說明
【權利要求】
1.一種鍍膜件，其包括基材及形成于基材表面的膜層，其特征在于:該膜層中含有氧化鋁或硅鋁氧化物，并含有聚四氟乙烯，其中該膜層中氧化鋁或硅鋁氧化物與聚四氟乙烯的質量比為1:1.2~1:1.5。
2.如權利要求1所述的鍍膜件，其特征在于:該膜層呈現白色。
3.如權利要求1所述的鍍膜件，其特征在于:當膜層中含有硅鋁氧化物時，硅鋁的原子比為3:7~1:1。
4.如權利要求1所述的鍍膜件，其特征在于:該基材的材質為不銹鋼、鋁合金、鈦合金或銅合金。
5.如權利要求1所述的鍍膜件，其特征在于:該膜層的厚度為I~2.2Mm。
6.一種鍍膜件的制備方法，其包括如下步驟: 提供基材； 在該基材的表面形成膜層，采用磁控濺射法，使用鋁靶和硅鋁靶中的一種以及聚四氟乙烯靶，并通入工作氣體氬氣和反應氣體氧氣，該膜層中含有氧化鋁或硅鋁氧化物，并含有聚四氟乙烯，其中該膜層中氧化鋁或硅鋁氧化物與聚四氟乙烯的質量比為1:1.2~1:1.5。
7.如權利要求6所述鍍膜件的制備方法，其特征在于:制備該膜層的具體工藝參數為:靶材均使用射頻電源，鋁靶或硅鋁靶的功率為3~8kw，聚四氟乙烯靶的功率為0.5~1.0kw，氬氣流量為150~200sccm，氧氣流量為120~150sccm，鍍膜溫度為160_180°C，施加于基材的偏壓為-100~ -200V，鍍膜時間為60~120min。
8.如權利要求6所述鍍膜件的制備方法，其特征在于:硅鋁合金靶中硅鋁的原子比為3:7 ~1:1。
9.如權利要求6所述鍍膜件的制備方法，其特征在于:該基材的材質為不銹鋼、鋁合金、鈦合金或銅合金。
10.如權利要求6所述鍍膜件的制備方法，其特征在于:該膜層呈現白色。
【文檔編號】C23C14/06GK103898444SQ201210577644
【公開日】2014年7月2日 申請日期:2012年12月27日 優先權日:2012年12月27日
【發明者】劉旭, 曹達華 申請人:深圳富泰宏精密工業有限公司