濺射裝置制造方法
【專利摘要】在濺射過程中能夠有效減少目標損害的濺射裝置包括：第一磁組件，第一磁組件在第一方向上延伸并包括在第一方向上延伸且相互對應的第一側面和第二側面，第一磁組件還包括在第一方向上延伸并連接第一側面和第二側面的第一底面；第一屏蔽件，第一屏蔽件位于第一磁組件的第一側面上；以及第一支撐件，第一支撐件用于支撐第一圓柱管狀目標的第一端和第二端，第一圓柱管狀目標具有平行于第一方向的第一縱軸，第一圓柱管狀目標容納第一磁組件和第一屏蔽件。
【專利說明】濺射裝置
[0001]相關申請的交叉引用
[0002]本申請要求于2013年3月28日向韓國知識產權局(KIPO)提交的韓國專利申請第10-2013-0033662號的優先權，其全部內容通過引用并入本文。

【技術領域】
[0003]本發明涉及濺射裝置，更具體地，涉及在濺射過程中能夠有效減少目標損害的濺射裝置。

【背景技術】
[0004] 通常，濺射裝置用于沉積薄膜并且是用于加速氣體(例如，等離子體中電離的氬氣)、允許氣體碰撞目標，從而噴射出期望的原子以在位于裝置附近的襯底上形成薄膜的裝置。例如，磁控管濺射裝置可以通過使用磁場和感應連續離子化而允許電子停留在目標附近以產生集中濺射，從而增加沉積率。
[0005]然而，通過使用上述的濺射裝置，等離子體也可能形成在不期望的區域中。形成在不期望的區域中的等離子體被稱為寄生等離子體并在目標的朝向支撐部分的端部引起電弧放電。


【發明內容】

[0006]本發明提供的濺射裝置能夠有效減少在濺射過程中目標的損害。然而，本發明并不限制于此。
[0007]根據本發明的一個方面，通過了一種濺射裝置包括:第一磁組件，第一磁組件在第一方向上延伸并包括在第一方向上延伸且相互對應的第一側面和第二側面，第一磁組件還包括在第一方向上延伸并連接第一側面和第二側面的第一底面；第一屏蔽件，第一屏蔽件位于第一磁組件的第一側面上；以及第一支撐件，第一支撐件用于支撐第一圓柱管狀目標的第一端和第二端，第一圓柱管狀目標具有平行于第一方向的第一縱軸，第一圓柱管狀目標容納第一磁組件和第一屏蔽件。
[0008]第一支撐件可包括第一電機，第一電機被配置為使第一圓柱管狀目標繞第一縱軸旋轉。
[0009]第一屏蔽件可沿著第一磁組件的第一側面在第一方向上延伸。
[0010]第一屏蔽件可從第一磁組件的第一底面突出。
[0011]第一屏蔽件可位于第一磁組件的第一底面的至少一部分上。
[0012]濺射裝置還可包括位于第一磁組件的第二側面上的第一附加屏蔽件。
[0013]第一屏蔽件可被配置為減少關于第一磁組件的第一屏蔽件的外部區域中的磁場的強度。
[0014]濺射裝置可進一步包括:第二磁組件，第二磁組件在第一方向上延伸并包括在第一方向上延伸且相互對應的第三側面和第四側面，第二磁組件還包括在第一方向上延伸并連接第三側面和第四側面的第二底面，第三側面鄰近第一磁組件的第二側面；第二屏蔽件，第二屏蔽件位于第二磁組件的第四側面上；以及第二支撐件，第二支撐件用于支撐第二圓柱管狀目標的第一端和第二端，第二圓柱管狀目標具有平行于第一方向的第二縱軸，第二圓柱管狀目標容納第二磁組件和第二屏蔽件。
[0015]第二支撐件可包括第二電機，第二電機被配置為使第二圓柱管狀目標繞第二縱軸旋轉。
[0016]第二屏蔽件可從第二磁組件的第二底面突出。
[0017]第二屏蔽件可位于第二磁組件的第二底面的至少一部分上。
[0018]濺射裝置可進一步包括位于第二磁組件的第三側面上的第二附加屏蔽件。
[0019]第二屏蔽件可被配置為減少關于第二磁組件的第二屏蔽件的外部區域中的磁場的強度。
[0020]根據本發明的一個方面，提供了一種濺射裝置包括:第一磁組件，第一磁組件在第一方向上延伸并包括在第一方向上延伸且相互對應的第一側面和第二側面，第一磁組件還包括在第一方向上延伸并連接第一側面和第二側面的第一底面；第一屏蔽件，第一屏蔽件位于第一磁組件的第一側面上并從第一磁組件的第一底面突出；第一附加屏蔽件，第一附加屏蔽件位于第一磁組件的第二側面上并從第一磁組件的第一底面突出；第二磁組件，第二磁組件在第一方向上延伸并包括在第一方向上延伸且相互對應的第三側面和第四側面，第二磁組件還包括在第一方向上延伸并連接第三側面和第四側面的第二底面，第三側面鄰近第一磁組件的第二側面；第二屏蔽件，第二屏蔽件位于第二磁組件的第四側面上并從第二磁組件的第二底面突出；第二附加屏蔽件，第二附加屏蔽件位于第二磁組件的第三側面上并從第二磁組件的第二底面突出；第一支撐件，第一支撐件用于支撐第一圓柱管狀目標的第一端和第二端，第一圓柱管狀目標具有平行于第一方向的第一縱軸，第一圓柱管狀目標容納第一磁組件和第一屏蔽件；以及第二支撐件，第二支撐件用于支撐第二圓柱管狀目標的第一端和第二端，第二圓柱管狀目標具有平行于第一方向的第二縱軸，第二圓柱管狀目標容納第二磁組件和第二屏蔽件。
[0021]第一屏蔽件可被配置為減少關于第一磁組件的第一屏蔽件的外部區域中的磁場的強度；并且第二屏蔽件可被配置為減少關于第二磁組件的第二屏蔽件的外部區域中的磁場的強度。
[0022]根據本發明的一個方面，提供了一種濺射裝置，包括:第一磁組件，第一磁組件在第一方向上延伸并包括在第一方向上延伸且相互對應的第一側面和第二側面，第一磁組件還包括在第一方向上延伸并連接第一側面和第二側面的第一底面；第一屏蔽件，第一屏蔽件位于第一磁組件的第一側面上并位于第一磁組件的第一底面的至少一部分上；第一附加屏蔽件，第一附加屏蔽件位于第一磁組件的第二側面上并位于第一磁組件的第一底面的至少一部分上；第二磁組件，第二磁組件在第一方向上延伸并包括在第一方向上延伸且相互對應的第三側面和第四側面，第二磁組件還包括在第一方向上延伸并連接第三側面和第四側面的第二底面，第三側面鄰近第一磁組件的第二側面；第二屏蔽件，第二屏蔽件位于第二磁組件的第四側面上并位于第二磁組件的第二底面的至少一部分上；第二附加屏蔽件，第二附加屏蔽件位于第二磁組件的第三側面上并位于第二磁組件的第二底面的至少一部分上；第一支撐件，第一支撐件用于支撐第一圓柱管狀目標的第一端和第二端，第一圓柱管狀目標具有平行于第一方向的第一縱軸，其中第一圓柱管狀目標容納第一磁組件和第一屏蔽件；以及第二支撐件，第二支撐件用于支撐第二圓柱管狀目標的第一端和第二端，第二圓柱管狀目標具有平行于第一方向的第二縱軸，第二圓柱管狀目標容納第二磁組件和第二屏蔽件。
[0023]第一屏蔽件可被配置為減少關于第一磁組件的所述第一屏蔽件的外部區域中的磁場的強度；并且第二屏蔽件可被配置為減少關于第二磁組件的所述第二屏蔽件的外部區域中的磁場的強度。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0024]通過參考附圖詳細描述本發明的示例性實施方式，本發明的上述和其它特征以及方面將會變得明顯，其中:
[0025]圖1是示出了根據本發明實施方式的濺射裝置的部分立體圖；
[0026]圖2是示出了使用圖1所示的濺射裝置將薄膜形成在襯底上的概念圖；
[0027]圖3是示出了圖1所示濺射裝置的部分平面圖；
[0028]圖4是示出了使用根據可比較示例的濺射裝置產生寄生等離子體的概念圖；
[0029]圖5是示出了圖4所示的濺射裝置的磁場線的概念圖；
[0030]圖6是示出了圖4所示的濺射裝置產生寄生等離子體的圖；
[0031]圖7是示出了圖1所示的濺射裝置不產生寄生等離子體的圖；
[0032]圖8是示出了根據本發明另一個實施方式的使用濺射裝置將薄膜形成在襯底上的概念圖；
[0033]圖9是示出了根據本發明另一個實施方式的使用濺射裝置將薄膜形成在襯底上的概念圖。

【具體實施方式】
[0034]將參考示出了實施方式的附圖更全面地描述本發明的方面和特征。本發明可以被實施為多個不同的形式并且不應被解釋為受限于文中陳述的實施方式；而是，這些實施方式被提供以使本公開更周密和完整，并將本公開完全傳達給本領域的技術人員。
[0035]為了便于說明，附圖中的部件可被放大。例如，為了便于說明，附圖中部件的尺寸和厚度可任意提供，并且不限制本發明的范圍。
[0036]在下面的實施方式中，x，y和z軸并不限于正交坐標系統的三個軸，而是可以被解釋為更廣的含義。例如，X，y和Z軸可以彼此正交或者可以彼此不正交。
[0037]可以理解，當元件或層被稱為位于另一元件或層“上”、“連接至”或“聯接至”另一元件或層時，該元件或層可直接位于另一元件或層上或直接連接或聯接至另一元件或層，或者可存在中間元件或層。
[0038]文中所使用術語“和/或”包括相關的所列條目中的一個或多個的任意或者全部組合。
[0039]圖1是示出了根據本發明實施方式的濺射裝置的部分立體圖。圖2是示出了使用圖1所示的濺射裝置將薄膜形成在襯底500上的概念圖。圖3是示出了圖1所示濺射裝置的部分平面圖；
[0040]根據本實施方式的濺射裝置包括第一磁組件110、第一屏蔽件210、第一附加屏蔽件212、第二磁組件120、第二屏蔽件220、第二附加屏蔽件222、第一支撐件310以及第二支撐件320。
[0041]在本實施方式中,第一磁組件在第一方向(例如，+y方向)上延伸。這里，第一磁組件具有在第一方向(例如，+y方向)上延伸且互相對應的第一側面ill和第二側面112、以及在第一方向上(例如，+y方向)延伸并連接第一和第二側面111和112的第一底面115。第一磁組件110可包括平行于第一方向(例如，+y方向)延伸的多個磁體。
[0042]第一圓柱管狀目標410可被安裝在第一磁組件110周圍。第一圓柱管狀目標410可被安裝以使第一磁組件I1位于其中。如下所述，除了第一磁組件110，第一屏蔽件210或第一附加屏蔽件212也可位于第一圓柱管狀目標410內。
[0043]第一圓柱管狀目標410具有可平行于第一方向(例如，+y有方向)的第一縱軸。第一磁組件I1可在與其安裝在一起的第一圓柱管狀目標410的外表面的周圍形成磁場，因此可允許等離子體定位在第一圓柱管狀目標410的外表面周圍，從而增加濺射效率。在這種情況下，第一圓柱管狀目標410的目標材料與第一圓柱管狀目標410分離并且移動到襯底500上，使得由目標材料形成的薄膜形成在襯底500上。
[0044]在本實施方式中，第二磁組件120像第一磁組件110 —樣在第一方向(例如，+y方向)上延伸，并且具有在第一方向(例如，+y方向)上延伸且互相對應的第三側面123和第四側面124、以及在第一方向(例如，+y方向)上延伸并連接第三和第四側面123和124的第二底面125。第二磁組件120可包括平行于第一方向(例如，+y方向)延伸的多個磁體。
[0045]第二圓柱管狀目標420可安裝在第二磁組件120周圍。第二圓柱管狀目標420可被安裝以使第二磁組件120位于其中。如下所述，除了第二磁組件120，第二屏蔽件220或第二附加屏蔽件222也可位于第二圓柱管狀目標420內。
[0046]第二圓柱管狀目標420具有可平行于第一方向(例如，+y有方向)的第二縱軸。第二磁組件120可在與其安裝在一起的第二圓柱管狀目標420的外表面的周圍形成磁場，因此可允許等離子體定位在第二圓柱管狀目標420的外表面周圍，從而增加濺射效率。在這種情況下，第二圓柱管狀目標420的目標材料與第二圓柱管狀目標420分離并且移動到襯底500上，使得由目標材料形成的薄膜形成在襯底500上。
[0047]第二磁組件120可設置在第一磁組件110鄰近。如圖1和圖2所示，第二磁組件120的第三側面123可設置在第一磁組件110的第二側面112鄰近。在這種情況下，當第一和第二圓柱管狀目標410和420安裝在濺射裝置中時，第一和第二圓柱管狀目標410和420可設置為互相鄰近并彼此間隔預設距離。
[0048]如果第一圓柱管狀目標410被安裝以使第一磁組件110位于其中，則第一圓柱管狀目標410的末端(例如,一個末端和另一個末端,或第一末端和第二末端)可被第一支撐件310支撐。第一支撐件310具有用于支撐第一圓柱管狀目標410的一個末端(例如，沿-y方向)的第一一末端支撐件311、以及用于支撐第一圓柱管狀目標410的另一個末端的第一另一末端支撐件313，其中第一一末端支撐件313可包括使所安裝的第一圓柱管狀目標410繞第一縱軸旋轉的第一電機。
[0049]相似地，如果第二圓柱管狀目標420被安裝以使第一磁組件120位于其中，則第二圓柱管狀目標420的末端(例如，一個末端和另一個末端)可被第二支撐件320支撐。第二支撐件320具有用于支撐第二圓柱管狀目標420的一個末端(例如，沿_y方向)的第二一末端支撐件321、以及用于支撐第二圓柱管狀目標420的另一個末端的第二另一末端支撐件323，其中第二一末端支撐件323可包括使所安裝的第二圓柱管狀目標420繞第二縱軸旋轉的第二電機。
[0050]如果第一和第二圓柱管狀目標410和420安裝在濺射裝置上，則第一圓柱管狀目標410內的第一磁組件110和第二圓柱管狀目標420內的第二磁組件120可以不分別定位在第一圓柱管狀目標410的中心和第二圓柱管狀目標420的中心。例如，如圖2所示，第一和第二磁組件110和120可朝著待形成第一和第二圓柱管狀目標410和420的薄膜的襯底500傾斜(例如，沿+z方向)。這樣，目標材料可朝向待形成薄膜的襯底500與第一和第二圓柱管狀目標410和420分離并且可移動到襯底500上。因為第一和第二圓柱管狀目標410和420可在被安裝在濺射裝置上之后在濺射過程中旋轉，目標材料可均勻地與第一和第二圓柱管狀目標410和420的表面分離。
[0051]如上所述，第一和第二圓柱管狀目標410和420在安裝在濺射裝置上之后在在濺射過程中可旋轉。在這種情況下，第一圓柱管狀目標410內的第一磁組件110和第二圓柱管狀目標420內的第二磁組件120可以不旋轉。
[0052]第一屏蔽件 210定位在第一磁組件110的第一側面111上。因為第一磁組件110的第一側面111在第一方向(例如，+y方向)上延伸，故第一屏蔽件210可具有在第一方向的(例如，+y方向)上延伸的形狀。而且，第一屏蔽件210可具有從第一磁組件110的第一底面115突出的形狀。第一附加屏蔽件212可具有與第一屏蔽件210的形狀相似的形狀，并且可定位在第一磁組件110的鄰近第二磁組件120的第二側面112上。
[0053]在本實施方式中，第二屏蔽件220定位在第二磁組件120的第四側面124上。因為第二磁組件120的第四側面124在第一方向(例如，+y方向)上延伸，故第二屏蔽件220可具有在第一方向(例如，+y方向)上延伸的形狀。而且，第二屏蔽件220可具有從第二磁組件120的第二底面125突出的形狀。第二附加屏蔽件222可具有與第二屏蔽件220的形狀相似的形狀，并且可定位在第二磁組件120的鄰近第一磁組件110的第三側面123上。
[0054]在根據本實施方式的上述濺射裝置中，因為第一屏蔽件210、第一附加屏蔽件212、第二屏蔽件220以及第二附加屏蔽件222，寄生等離子體的量可被減少。
[0055]如相關技術中所描述的，濺射裝置是用于加速氣體(例如，等離子體中電離的氬氣)、允許氣體碰撞目標，從而噴射期望的原子以在位于裝置附近的襯底500上形成薄膜的裝置。具體地，磁控管濺射裝置可以通過使用磁場和感應連續離子化而允許電子停留在目標附近以產生集中濺射，從而增加沉積率。
[0056]在以上描述的濺射裝置中，如果等離子體存在于除了預設(或預定)區域以外的區域中，例如，如果寄生等離子體存在，則例如可在目標的朝向支撐部分的末端部分引起電弧放電。然而，在根據本實施方式的濺射裝置中，因為第一屏蔽件210、第一附加屏蔽件212、第二屏蔽件220以及第二附加屏蔽件222，寄生等離子體無法產生或在其量上可極大地減少，從而可以不產生電弧放電。
[0057]圖4是示出了根據可比較示例的使用濺射裝置產生寄生等離子體的概念圖。參考圖4，寄生等離子體SP存在于第一圓柱管狀目標41的位于與朝向第二圓柱管狀目標42的方向(例如，+X方向)相反的另一方向(例如，-X方向)上的外側、以及第二圓柱管狀目標42的位于與朝向第一圓柱管狀目標41的方向(例如,-X方向)相反的另一方向(例如，+X方向)上的外側。而且，中心寄生等離子體CSP可存在于第一和第二圓柱管狀目標41和42之間。
[0058]圖5是示出了圖4所示的濺射裝置的磁場線的概念圖。參考圖5，磁場存在以將在區域A中進行濺射所需的主要等離子體從第一和第二圓柱管狀目標41和42定位在襯底方向(例如，+z方向)上。然而，除了區域A，磁場也存在于區域B中，區域B位于第一圓柱管狀目標41的與朝向第二圓柱管狀目標42的方向(例如，+X方向)相反的另一方向(例如，-X方向)的外側、以及第二圓柱管狀目標42的位于與朝向第二圓柱管狀目標41的方向(例如，-X方向)相反的另一方向(例如，+X方向)的外側。存在于區域B中的等離子體是圖4所示的寄生等離子體SP。
[0059]圖6是示出了圖4所示的濺射裝置產生寄生等離子體的圖。在圖6中，除了寄生等離子體SP之外的等離子體從第一和第二圓柱管狀目標41和42定位于襯底方向(例如，+z方向)上。
[0060]除了寄生等離子體SP之外的等離子體允許第一和第二圓柱管狀目標41和42內的目標材料從第一和第二圓柱管狀目標41和42分離并且移動到襯底上。寄生等離子體SP也可允許第一和第二圓柱管狀目標41和42內的目標材料從第一和第二圓柱管狀目標41和42分離。然而，因為其并不鄰近襯底，故被分離的目標材料無法移動到襯底上并且朝著第一和第二圓柱管狀目標41和42返回以便再沉積。
[0061]在上述再沉積過程中可能產生電弧放電。電弧放電損傷第一和第二圓柱管狀目標41和42，從而減少濺射效率。例如，如圖4所示，大量的寄生等離子體SP存在于第一支撐件31的_y方向以及第二支撐件32的-y方向附近。這樣，電弧放電產生在靠近第一和第二圓柱管狀目標41和42的-y方向端附近產生。
[0062]然而，在根據本實施方式的濺射裝置中，因為第一屏蔽件210、第一附加屏蔽件212、第二屏蔽件220以及第二附加屏蔽件222，寄生等離子體無法被產生或在其量上被極大地減少，從而電弧放電無法產生或在其強度和頻率上被極大地減少。
[0063]例如，第一屏蔽件210可減少關于第一磁組件110的第一屏蔽件210的外部區域中的磁場的強度(例如，圖5中-X方向上的區域B)。如果區域B內的磁場強度減少，則定位在相應的區域B中的等離子體(例如，寄生等離子體)的量可被減少。相似地，第二屏蔽件220可減少關于第二磁組件120的第二屏蔽件220的外部區域中的磁場的強度(例如，圖5中+X方向上的區域B)。相應地，定位在相應的區域B中的等離子體(例如，寄生等離子體)的量可被減少。相似地，第一附加屏蔽件212或第二附加屏蔽件222可減少第一和第二磁組件110和120之間的磁場強度從而第一和第二圓柱管狀目標410和420之間的中心寄生等離子體CSP無法存在或在其量上可極大地減少。圖7是示出了圖1所示的濺射裝置不產生寄生等尚子體的圖。
[0064]如上所述，在根據本實施方式的濺射裝置中，因為等離子體僅存在于第一和第二圓柱管狀目標410和420與襯底500之間的空間中，因此另一個空間中的寄生等離子體無法存在或在其量上可極大地減少。這樣，具有優秀效率且能夠防止電弧放電的濺射裝置可以實現。
[0065]上述的第一屏蔽件210、第一附加屏蔽件212、第二屏蔽件220以及第二附加屏蔽件222可包括，例如，銅(Cu)。除了銅之外，任何能夠阻斷磁場的材料也可被使用。如果第一屏蔽件210、第一附加屏蔽件212、第二屏蔽件220以及第二附加屏蔽件222由包括銅的材料形成，則它們可具有大約3mm到大約6mm的厚度。根據一些實施方式，當厚度小于約3mm時，磁場不可能被合適地屏蔽，并且如果厚度大于大約6_，則包括磁組件、屏蔽件以及附加屏蔽件的整個結構可能具有較大體積，因此無法容易地容納進圓柱管狀目標中。
[0066]如圖5所示，磁場也可存在于區域B中，區域B位于第一圓柱管狀目標41的與朝向第二圓柱管狀目標42的方向(例如，+X方向)相反的另一方向(例如，-X方向)的外側、以及第二圓柱管狀目標42的與朝向第一圓柱管狀目標41的方向(例如，-X方向)相反的另一方向(例如，+X方向)的外側。存在于區域B中的等離子體是圖4所示的寄生等離子體SP。
[0067]在這種情況下，如圖5所示，產生寄生等離子體SP的磁場形成在第一圓柱管狀目標41中的第一磁組件的-X方向側面和底面之間、以及第二圓柱管狀目標42中的第二磁組件的+X方向側面和底面之間。相應地，因為用于覆蓋第一側面111的第一屏蔽件210(可以是第一圓柱管狀目標410中的第一磁組件110的-X方向側面)不但覆蓋第一側面111而且從第一底面115突出，并且用于覆蓋第四側面124的第二屏蔽件220(可以是第二圓柱管狀目標420中的第二磁組件120的+X方向側面)不但覆蓋第四側面124而且從第二底面125突出，故引起寄生等離子體的磁場的強度可進一步減少。這是因為，分別從第一和第二底面115和125突出的第一和第二屏蔽件 210和220阻擋了在不存在第一和第二屏蔽件210和220的情況下將要形成的磁場線的路徑。
[0068]用于覆蓋第二側面112的第一附加屏蔽件212 (可以是第一圓柱管狀目標410中的第一磁組件110的+X方向側面)也可從第一磁組件110的第一底面115突出，并且用于覆蓋第三側面123的第二附加屏蔽件222 (可以是第二圓柱管狀目標420中的第二磁組件120的-X方向側面)也可從第二磁組件120的第二底面125突出。在這種情況下，在第一和第二圓柱管狀目標410和420之間引起中心寄生等離子體CSP的磁場的強度可進一步減少。
[0069]圖8是示出了根據本發明另一個實施方式的使用濺射裝置將薄膜形成在襯底上的概念圖。根據本發明實施方式的濺射裝置在第一屏蔽件210、第一附加屏蔽件212、第二屏蔽件220以及第二附加屏蔽件222的形狀上不同于根據前一個實施方式的濺射裝置。
[0070]在根據前一個實施方式的濺射裝置中，第一屏蔽件210、第一附加屏蔽件212、第二屏蔽件220以及第二附加屏蔽件222分別定位在第一磁組件110的第一側面111、第一磁組件110的第二側面112、第二磁組件120的第四側面124以及第二磁組件120的第三側面123上。而且，第一屏蔽件210和第一附加屏蔽件212從第一磁組件110的第一底面115突出，并且第二屏蔽件220和第二附加屏蔽件222從第二磁組件120的第二底面125突出。
[0071]在根據本實施方式的濺射裝置中，第一屏蔽件210’、第一附加屏蔽件212’、第二屏蔽件220’以及第二附加屏蔽件222’的位置沒有改變。然而，并與根據前一個實施方式的濺射裝置不同的是，第一屏蔽件210’和第一附加屏蔽件212’被彎曲以進一步定位在第一磁組件110的第一底面115的至少一部分上，第二屏蔽件220’和第二附加屏蔽件222’被彎曲以進一步定位在第二磁組件120的第二底面125的至少一部分上。例如，第一屏蔽件210’和第一附加屏蔽件212’被彎曲以覆蓋第一磁組件110的第一底面115的至少一部分，并且第二屏蔽件220’和第二附加屏蔽件222’被彎曲以覆蓋第二磁組件120的第二底面125的至少一部分。
[0072]如圖5所示，用于產生寄生等離子體SP的磁場形成在第一圓柱管狀目標41中的第一磁組件的-X方向側面和底面之間、以及第二圓柱管狀目標42中的第二磁組件的+X方向側面和底面之間。相應地，因為用于覆蓋第一側面111(即第一圓柱管狀目標410中的第一磁組件110的-X方向側面)的第一屏蔽件210’被彎曲以覆蓋第一磁組件110的第一底面115的至少一部分，并且用于覆蓋第四側面124(即第二圓柱管狀目標420中的第二磁組件120的+X方向側面)的第二屏蔽件220’被彎曲以覆蓋第二磁組件120的第二底面125的至少一部分，所以引起寄生等離子體的磁場的強度可進一步減少。
[0073]用于覆蓋第二側面112 (即第一圓柱管狀目標410中的第一磁組件110的+x方向側面)的第一附加屏蔽件212’也可被彎曲以覆蓋第一磁組件110的第一底面115的至少一部分，并且用于覆蓋第三側面123 (即第二圓柱管狀目標420中的第二磁組件120的-χ方向側面)的第二附加屏蔽件222’也可被彎曲以覆蓋第二磁組件120的第二底面125的至少一部分。在這種情況下，在第一和第二圓柱管狀目標410和420之間引起中心寄生等離子體CSP的磁場的強度可進一步減少。
[0074]圖9是示出了根據本發明另一個實施方式的使用濺射裝置將薄膜形成在襯底上的圖。
[0075]如上面關于圖4所示，在根據可比較示例的濺射裝置中，中心寄生等離子體CSP存在于第一和第二圓柱管狀目標41和42之間。然而，中心寄生等離子體CSP的量少于存在于第一圓柱管狀目標41的位于與朝向第二圓柱管狀目標42的方向(例如,+χ方向)相反的另一方向(例如，-χ方向)上的外側以及第二圓柱管狀目標42的位于與朝向第一圓柱管狀目標41的方向(例如，-χ方向)相反的另一方向(例如，+χ方向)上的外側的寄生等離子體SP的量。
[0076]相應地，在根據本實施方式的濺射裝置中，與根據前一個實施方式的濺射裝置不同的是，上述第一附加屏蔽件212或第二附加屏蔽件222可以不定位在第二側面112上(SP第一磁組件110的朝向第二磁組件120的側面)，或可以不定位在第三側面123 (即第二磁組件120的朝向第一磁組件110的側面)上。這樣，濺射裝置可具有簡單的配置。
[0077]甚至在根據本實施方式的濺射裝置中，因為第一屏蔽件210定位在第一側面111(即第一磁組件110的與朝向第二磁組件120的方向(例如，+χ方向)相反的另一方向(例如，-χ方向)上的側面)上，并且第二屏蔽件220定位在第四側面124 (即第二磁組件120的與朝向第一磁組件110的方向(例如，-χ方向)相反的另一方向(例如，+χ方向)上的側面)上，所以寄生等離子體SP可以不產生或在其量上可極大地減少。
[0078]在根據本實施方式的濺射裝置中，如圖9所示，第一屏蔽件210可從第一磁組件110的第一底面115突出并且第二屏蔽件220可從第二磁組件120的第二底面125突出。可選地，第一屏蔽件210’可被彎曲以覆蓋第一磁組件110的第一底面115的至少一部分并且第二屏蔽件220’可被彎曲以覆蓋第二磁組件120的第二底面125的至少一部分。
[0079]盡管如上所述的濺射裝置是雙旋轉濺射裝置，其包括第一和第二磁組件110和120并用于安裝和旋轉第一和第二圓柱管狀目標410和420，但本發明并不限制在這里。
[0080]例如，根據本發明另一個實施方式的濺射裝置可以僅包括一個磁組件，并且可在磁組件的僅一個側面上設置屏蔽件，或者在一個側面上設置屏蔽件并在另一個側面上設置附加屏蔽件。在這種情況下，屏蔽件和/或附加屏蔽件可從磁組件的底面突出，或者可被彎曲以覆蓋磁組件的底面的至少一部分。
[0081]跟據本發明的另一的實施方式的濺射裝置可是雙旋轉濺射裝置，其包括兩個磁組件，但具有不同于上述結構的結構。在根據本實施方式的濺射裝置中，用于覆蓋第一側面111 (即第一圓柱管狀目標410中的第一磁組件110的-X方向側面)的第一屏蔽件210’可以被彎曲以覆蓋第一磁組件110的第一底面115的至少一部分，并且用于覆蓋第四側面124(即第二圓柱管狀目標420中的第二磁組件120的+χ方向側面)的第二屏蔽件220’可以被彎曲以覆蓋第二磁組件120的第二底面125的至少一部分。可選地，用于覆蓋第二側面112(即第一圓柱管狀目標410中的第一磁組件110的+χ方向側面)的第一附加屏蔽件212可以不彎曲并且可從第一磁組件110的第一底面115突出，并且用于覆蓋第三側面123(即第二圓柱管狀目標420中的第二磁組件120的-χ方向側面)的第二附加屏蔽件222可以不彎曲并且可從第二磁組件120的第二底面125突出。
[0082]在另一個實施方式中，用于覆蓋第一側面111(即第一圓柱管狀目標410中的第一磁組件I1的-X方向側面)的第一屏蔽件210可不以彎曲并且可從第一磁組件110的第一底面115突出，用于覆蓋第四側面124(即第二圓柱管狀目標420中的第二磁組件120的+χ方向側面)的第二屏蔽件220可以不彎曲并且可從第二磁組件120的第二底面125突出，用于覆蓋第二側面112 (即第一圓柱管狀目標410中的第一磁組件110的+χ方向側面)的第一附加屏蔽件212’可以被彎曲以覆蓋第一磁組件110的第一底面115的至少一部分，用于覆蓋第三側面123 (即是第二圓柱管狀目標420中的第二磁組件120的-χ方向側面)的第二附加屏蔽件222’可以被彎曲以覆蓋第二磁組件120的第二底面125的至少一部分。
[0083]根據以上所述本發明的實施方式，能夠有效地減少在濺射過程中目標損害的濺射裝置可實現。然而，本發明并受限于上述實施方式。
[0084]雖然已經參考本發明的其示例性實施方式具體示出并描述了本發明，但本領域的技術人員可以理解，在不背離由所附權利要求及其等同所限定的本發明的精神和范圍的情況下，可以作出各種形式上或細節上的改變。
【權利要求】
1.一種濺射裝置，包括: 第一磁組件，所述第一磁組件在第一方向上延伸并包括在所述第一方向上延伸且相互對應的第一側面和第二側面，所述第一磁組件還包括在所述第一方向上延伸并連接所述第一側面和所述第二側面的第一底面； 第一屏蔽件，所述第一屏蔽件位于所述第一磁組件的第一側面上；以及 第一支撐件，所述第一支撐件用于支撐第一圓柱管狀目標的第一端和第二端，所述第一圓柱管狀目標具有平行于所述第一方向的第一縱軸， 其中，所述第一圓柱管狀目標容納所述第一磁組件和所述第一屏蔽件。
2.根據權利要求1所述的濺射裝置，其中，所述第一支撐件包括第一電機，所述第一電機被配置為使所述第一圓柱管狀目標繞所述第一縱軸旋轉。
3.根據權利要求1所述的濺射裝置，其中，所述第一屏蔽件沿著所述第一磁組件的第一側面在所述第一方向上延伸。
4.根據權利要求1所述的濺射裝置，其中，所述第一屏蔽件從所述第一磁組件的第一底面突出。
5.根據權利要求1所述的濺射裝置，其中，所述第一屏蔽件位于所述第一磁組件的第一底面的至少一部 分上。
6.根據權利要求1所述的濺射裝置，包括位于所述第一磁組件的第二側面上的第一附加屏蔽件。
7.根據權利要求1所述的濺射裝置，其中，所述第一屏蔽件被配置為減少關于所述第一磁組件的所述第一屏蔽件的外部區域中的磁場的強度。
8.根據權利要求1所述的濺射裝置，進一步包括: 第二磁組件，所述第二磁組件在所述第一方向上延伸并包括在所述第一方向上延伸且相互對應的第三側面和第四側面，所述第二磁組件還包括在所述第一方向上延伸并連接所述第三側面和所述第四側面的第二底面，其中所述第三側面鄰近所述第一磁組件的所述第二側面； 第二屏蔽件，所述第二屏蔽件位于所述第二磁組件的第四側面上；以及 第二支撐件，所述第二支撐件用于支撐第二圓柱管狀目標的第一端和第二端，所述第二圓柱管狀目標具有平行于所述第一方向的第二縱軸， 其中，所述第二圓柱管狀目標容納所述第二磁組件和所述第二屏蔽件。
9.根據權利要求8所述的濺射裝置，其中，所述第二支撐件包括第二電機，所述第二電機被配置為使所述第二圓柱管狀目標繞所述第二縱軸旋轉。
10.根據權利要求8所述的濺射裝置，其中，所述第二屏蔽件從所述第二磁組件的第二底面突出。
11.根據權利要求8所述的濺射裝置，其中，所述第二屏蔽件位于所述第二磁組件的第二底面的至少一部分上。
12.根據權利要求8所述的濺射裝置，進一步包括位于所述第二磁組件的第三側面上的第二附加屏蔽件。
13.根據權利要求8所述的濺射裝置，其中，所述第二屏蔽件被配置為減少關于所述第二磁組件的所述第二屏蔽件的外部區域中的磁場的強度。
14.一種濺射裝置，包括: 第一磁組件，所述第一磁組件在第一方向上延伸并包括在所述第一方向上延伸且相互對應的第一側面和第二側面，所述第一磁組件還包括在所述第一方向上延伸并連接所述第一側面和所述第二側面的第一底面； 第一屏蔽件，所述第一屏蔽件位于所述第一磁組件的第一側面上并從所述第一磁組件的第一底面突出； 第一附加屏蔽件，所述第一附加屏蔽件位于所述第一磁組件的第二側面上并從所述第一磁組件的第一底面突出； 第二磁組件，所述第二磁組件在所述第一方向上延伸并包括在所述第一方向上延伸且相互對應的第三側面和第四側面，所述第二磁組件還包括在所述第一方向上延伸并連接所述第三側面和所述第四側面的第二底面，其中所述第三側面鄰近所述第一磁組件的所述第二側面； 第二屏蔽件，所述第二屏蔽件位于所述第二磁組件的第四側面上并從所述第二磁組件的第二底面突出； 第二附加屏蔽件，第二附加屏蔽件位于所述第二磁組件的第三側面上并從所述第二磁組件的第二底面突出； 第一支撐件，所述第一支撐件用于支撐第一圓柱管狀目標的第一端和第二端，所述第一圓柱管狀目標具有平行于所述第一方向的第一縱軸，其中所述第一圓柱管狀目標容納所述第一磁組件和所述第一 屏蔽件；以及 第二支撐件，所述第二支撐件用于支撐第二圓柱管狀目標的第一端和第二端，所述第二圓柱管狀目標具有平行于所述第一方向的第二縱軸，其中所述第二圓柱管狀目標容納所述第二磁組件和所述第二屏蔽件。
15.根據權利要求14所述的濺射裝置，其中所述第一屏蔽件被配置為減少關于所述第一磁組件的所述第一屏蔽件的外部區域中的磁場的強度；并且 其中，所述第二屏蔽件被配置為減少關于所述第二磁組件的所述第二屏蔽件的外部區域中的磁場的強度。
16.一種濺射裝置，包括: 第一磁組件，所述第一磁組件在第一方向上延伸并包括在所述第一方向上延伸且相互對應的第一側面和第二側面，所述第一磁組件還包括在所述第一方向上延伸并連接所述第一側面和所述第二側面的第一底面； 第一屏蔽件，所述第一屏蔽件位于所述第一磁組件的第一側面上并位于所述第一磁組件的第一底面的至少一部分上； 第一附加屏蔽件，所述第一附加屏蔽件位于所述第一磁組件的第二側面上并位于所述第一磁組件的第一底面的至少一部分上； 第二磁組件，所述第二磁組件在所述第一方向上延伸并包括在所述第一方向上延伸且相互對應的第三側面和第四側面，所述第二磁組件還包括在所述第一方向上延伸并連接所述第三側面和所述第四側面的第二底面，其中所述第三側面鄰近所述第一磁組件的所述第二側面； 第二屏蔽件，所述第二屏蔽件位于所述第二磁組件的第四側面上并位于所述第二磁組件的第二底面的至少一部分上； 第二附加屏蔽件，第二附加屏蔽件位于所述第二磁組件的第三側面上并位于所述第二磁組件的第二底面的至少一部分上； 第一支撐件，所述第一支撐件用于支撐第一圓柱管狀目標的第一端和第二端，所述第一圓柱管狀目標具有平行于所述第一方向的第一縱軸，其中所述第一圓柱管狀目標容納所述第一磁組件和所述第一屏蔽件；以及 第二支撐件，所述第二支撐件用于支撐第二圓柱管狀目標的第一端和第二端，所述第二圓柱管狀目標具有平行于所述第一方向的第二縱軸，其中所述第二圓柱管狀目標容納所述第二磁組件和所述第二屏蔽 件。
17.根據權利要求16所述的濺射裝置，其中所述第一屏蔽件被配置為減少關于所述第一磁組件的所述第一屏蔽件的外部區域中的磁場的強度；并且 其中，所述第二屏蔽件被配置為減少關于所述第二磁組件的所述第二屏蔽件的外部區域中的磁場的強度。
【文檔編號】C23C14/35GK104073772SQ201310361795
【公開日】2014年10月1日 申請日期:2013年8月19日 優先權日:2013年3月28日
【發明者】沈載潤, 崔丞鎬 申請人:三星顯示有限公司