專利名稱：一種簡易式純錫陽極球制作模具的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及純錫陽極球制作領域，尤其是指一種簡易式純錫陽極球制作模具。
背景技術：
電子電鍍技術是現代微電子制造中不可缺少的關鍵技術之一。從芯片上的大馬士革銅互連電鍍技術，封裝中電極凸點電鍍技術，引線框架的電鍍表面處理到印制線路板、接插件的各種功能電鍍，電子電鍍已滲入到整個微電子行業，且在微機電(MEMS)、微傳感器等微器件的制造中還在不斷的發展。然而，在電子電鍍工藝過程中，陽極材料中合金比例的正確與否和純錫金屬中雜質多少以及金屬凝固效果直接影響到電鍍液的穩定、使用壽命及鍍層的內在質量。因此，選用高純度，高表面積幾何形狀的錫鉛陽極球至關重要。
發明內容本實用新型的目的在于克服上述不足，提供一種簡易式純錫陽極球制作模具。為實現上述目的，本實用新型所提供的技術方案為:一種簡易式純錫陽極球制作模具，它包括有配套的上模和下模，該上模和下模組合形成有多個純錫陽極球成型單元，其中，每個純錫陽極球成型單元包括有主澆道和多個環繞主澆道排布的圓球形空腔，每個圓球形空腔經各自分流道與主澆道連通，同時，每個圓球形空腔的頂部均設有排氣孔，以確保每個錫極球能夠排出氧化物質，使純錫陽極球體表面光亮平滑，金屬晶粒細化。所述圓球形空腔是由上模的半球形空腔和下模的半球形空腔組合而成，主澆道設在上模上。
所述上模配套有與多個純錫陽極球成型單元的主澆道相配合的澆注杯。本實用新型在采用了上述方案后，可以制造出純度高、雜質含量低的純錫陽極球，保證鍍液壽命和鍍層質量。

圖1為本實用新型的俯視圖。圖2為本實用新型的截面圖。圖3為本實用新型中純錫陽極球成型單元的截面圖。圖4為本實用新型中純錫陽極球成型單元的俯視圖。附圖標記說明:1-上模、2-下模、3-主澆道、4-空腔、5-分流道、6_氣孔、7_澆注杯。
具體實施方式
下面結合具體實施例對本實用新型作進一步說明。參見附圖1-4所示，本實施例所述的純錫陽極球制作模具，它包括有配套的上模I和下模2，該上模I和下模2組合形成六個純錫陽極球成型單元8，其中，每個純錫陽極球成型單元8包括有主澆道3和六個環繞主澆道3排布的圓球形空腔4，每個圓球形空腔4經各自分流道5與主澆道3連通，同時，每個圓球形空腔4的頂部均設有氣孔6。圓球形空腔4是由上模I的半球形空腔和下模2的半球形空腔組合而成，主澆道3設在上模I上，且上模I配套有與多個純錫陽極球成型單元8的主澆道3相配合的澆注杯7，采用了上述方案后，制造出的純錫陽極球純度高、雜質含量低，保證了鍍液壽命和鍍層質量。以上所述之實施例只為本實用新型的較佳實施例，并非以此限制本實用新型的實施范圍，故凡依本實用新型之形狀、構造及原理所作的等效變化，均應涵蓋于本實用新型的保護 范圍內。
權利要求1.一種簡易式純錫陽極球制作模具，它包括有配套的上模(I)和下模(2)，其特征在于:上模(I)和下模(2)組合形成有多個純錫陽極球成型單元(8)，其中，每個純錫陽極球成型單元(8)包括有主澆道(3)和多個環繞主澆道(3)排布的圓球形空腔(4)，每個圓球形空腔(4)經各自分流道(5)與主澆道(3)連通，同時，每個圓球形空腔(4)的頂部均設有氣孔(6)。
2.根據權利要求1所述的一種簡易式純錫陽極球制作模具，其特征在于:所述圓球形空腔(4)是由上模(I)的半球形空腔和下模(2)的半球形空腔組合而成，主澆道(3)設在上模(I)上。
3.根據權利要求1所述的一種簡易式純錫陽極球制作模具，其特征在于:所述上模(I)配套有與多個純錫陽極球成 型單元(8)的主澆道(3)相配合的澆注杯(7)。
專利摘要本實用新型提供一種簡易式純錫陽極球制作模具，它包括有配套的上模和下模，該上模和下模組合形成有多個純錫陽極球成型單元，其中，每個純錫陽極球成型單元包括有主澆道和多個環繞主澆道排布的圓球形空腔，每個圓球形空腔經各自分流道與主澆道連通，同時，每個圓球形空腔的頂部均設有排氣孔，以確保每個錫極球能夠排出氧化物質，使純錫陽極球體表面光亮平滑，金屬晶粒細化；所述圓球形空腔是由上模的半球形空腔和下模的半球形空腔組合而成，主澆道設在上模上；所述上模配套有與多個純錫陽極球成型單元的主澆道相配合的澆注杯。本實用新型可以制造出純度高、雜質含量低的純錫陽極球，保證鍍液壽命和鍍層質量。
文檔編號B22C9/20GK203124645SQ20132003338
公開日2013年8月14日 申請日期2013年1月23日 優先權日2013年1月23日
發明者冼陳列 申請人:廣東安臣錫品制造有限公司