技術總結
本發明提供一種脈沖激光輔助化學氣相沉積生長系統裝置及用其制備低維材料的方法。所述裝置包括激光器、加熱系統、生長室、真空系統、冷卻系統、載氣系統、排氣系統。激光器用于產生高能激光束，激光束與源材料靶材作用形成等離子體羽輝。生長室是一密封的Y型管，可先后或同時進行各種物理/化學反應。加熱系統采用多溫區管式爐可控加熱方法，為生長室中材料生長提供所需的高溫環境。本發明可先后、可同時進行脈沖激光沉積和化學氣相沉積，可調節控制激光、溫度、氣壓、反應氣體等，分別或同時利用物理/化學方式達到高質量多組分的薄膜、異質結及納米結構等材料的生長，材料體系可覆蓋氧化物、半導體、金屬及其復合結構等。

技術研發人員：張金星;楊振雄;宋創業
受保護的技術使用者：北京師范大學
文檔號碼：201510450147
技術研發日：2015.07.28
技術公布日：2017.05.24