1.一種磁極輔助非平衡磁控濺射裝置，其特征在于，包括真空室、非平衡磁控電極、輔助磁極和襯底承載架，所述襯底承載架設置在所述真空室的下側，所述非平衡磁控電極設置在所述真空室上側的中心位置處，所述輔助磁極設置在所述非平衡磁控電極的兩側；或者
所述非平衡磁控電極均勻分布在以所述真空室上側中心為圓心的同一圓周上，所述輔助磁極均勻分布在所述真空室內壁的等高線上和/或設置在所述真空室上側的中心位置處，當存在偶數個所述非平衡磁控電極時，至少一對并排設置的非平衡磁控電極的兩側設置有所述輔助磁極，當存在奇數個所述非平衡磁控電極時，均勻分布在所述真空室內壁的等高線上的輔助磁極的個數等于所述非平衡磁控電極的個數。
2.根據權利要求1所述的磁極輔助非平衡磁控濺射裝置，其特征在于，每個輔助磁極與其相鄰非平衡磁控電極的磁極相反，且每相鄰兩個非平衡磁控電極之間的磁極相反。
3.根據權利要求1所述的磁極輔助非平衡磁控濺射裝置，其特征在于，所述襯底承載架為偏置電極，所述偏置電極用于承載襯底，并與偏置電源連接，以在所述偏置電極上形成電磁場。
4.根據權利要求1或3所述的磁極輔助非平衡磁控濺射裝置，其特征在于，所述偏置電極還通過旋轉軸與旋轉裝置連接，以使所述旋轉裝置帶動所述偏置電極轉動。
5.根據權利要求1所述的磁極輔助非平衡磁控濺射裝置，其特征在于，所述裝置還包括等離子體發生器，所述等離子體發生器與所述真空室連通，用于對工作氣體和反應氣體進行等離子體化后輸送給所述真空室。
6.根據權利要求1所述的磁極輔助非平衡磁控濺射裝置，其特征在于，所述非平衡磁控電極包括陽極和陰極，其中所述陽極與所述陰極對應與電源的正負極連接，所述陰極包括極靶座和固定在所述極靶座正面的靶材，所述陽極包括磁軛、磁極座以及埋設在所述磁軛與所述磁極座構成空間內的一對磁極，該對磁極對稱位于所述靶材中心軸的兩側并與該靶材中心軸平行，該對磁極中兩磁極的極性相反且磁場強度不同。
7.根據權利要求6所述的磁極輔助非平衡磁控濺射裝置，其特征在于，所述極靶座用于固定所述靶材的正面為弧面。
8.根據權利要求6或7所述的磁極輔助非平衡磁控濺射裝置，其特征在于，所述極靶座內設置有位于其正面的下方的冷卻池。
9.根據權利要求6所述的磁極輔助非平衡磁控濺射裝置，其特征在于，所述陰極還包括一對導磁板，該對導磁板對稱設置于所述靶材中心軸的兩側，并位于對應磁極的外側。