1.一種鈣鈦礦材料及其相關薄膜的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
S1.將分析純及以上的PbI2與碘甲胺或碘乙胺按摩爾比1:0.8~1.2的配比混合研磨，得到鈣鈦礦材料；
S2.將步驟S1得到的鈣鈦礦材料壓制成鈣鈦礦靶材；
S3.將步驟S2得到的鈣鈦礦靶材放入真空磁控濺射臺進行磁控濺射，薄膜厚度達到50~1500nm后放氣，得到鈣鈦礦薄膜。
2.根據權利要求1所述的鈣鈦礦材料及其相關薄膜的制備方法，其特征在于，步驟S1中，在PbI2與碘甲胺或碘乙胺研磨前加入異丙醇或DMF或無水甲醇作為研磨介質，研磨后進行烘干，得到鈣鈦礦材料。
3.根據權利要求1或2所述的鈣鈦礦材料及其相關薄膜的制備方法，其特征在于，步驟S1中，分析純及以上的PbI2與碘甲胺或碘乙胺按摩爾比1:1配比。
4.根據權利要求1所述的鈣鈦礦材料及其相關薄膜的制備方法，其特征在于，步驟S2中，鈣鈦礦材料壓制后進行真空密封得到鈣鈦礦靶材。
5.根據權利要求1~2任一項所述的鈣鈦礦材料及其相關薄膜的制備方法，其特征在于，步驟S2中，將步驟S1得到的鈣鈦礦材料放入模具中在5~150MPa壓力下壓制成鈣鈦礦靶材。
6.根據權利要求5所述的鈣鈦礦材料及其相關薄膜的制備方法，其特征在于，步驟S2中，將步驟S1得到的鈣鈦礦材料放入模具中在10~100MPa壓力下壓制成鈣鈦礦靶材。
7.根據權利要求1所述的鈣鈦礦材料及其相關薄膜的制備方法，其特征在于，步驟S3中，進行磁控濺射前將真空磁控濺射臺抽真空至10-4~10-6Pa充入氬氣至0.5~0.8Pa。
8.根據權利要求7所述的鈣鈦礦材料及其相關薄膜的制備方法，其特征在于，步驟S3中，進行磁控濺射前將真空磁控濺射臺抽真空至10-5Pa充入氬氣至0.5~0.8Pa。
9.根據權利要求1或2或4或7或8所述的鈣鈦礦材料及其相關薄膜的制備方法，其特征在于，步驟S3中，磁控濺射薄膜達到100~1000nm后放氣取出。