1.一種石墨烯/金屬基復合薄膜材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
(1)選擇一導電基體，對所述的導電基體清洗，去除所述的導電基體表面的有機物和氧化層，清洗后在所述的導電基體上生長石墨烯薄膜層；
(2)然后對所述的石墨烯薄膜層進行清洗，去除吸附在所述的石墨烯薄膜層的電解質離子，再在所述的石墨烯薄膜層上生長金屬層，即制得所述的石墨烯/金屬基復合薄膜材料。
2.根據權利要求1所述的一種石墨烯/金屬基復合薄膜材料的制備方法，其特征在于，所述的石墨烯薄膜層為膨脹疏松狀結構。
3.根據權利要求1所述的一種石墨烯/金屬基復合薄膜材料的制備方法，其特征在于，還包括將制得的所述的石墨烯/金屬基復合薄膜材料進行真空退火或真空回流。
4.根據權利要求1所述的一種石墨烯/金屬基復合薄膜材料的制備方法，其特征在于，步驟(1)對所述的導電基體清洗包括除油和酸洗；步驟(2)對所述的石墨烯薄膜層進行清洗包括去離子水清洗。
5.根據權利要求1所述的一種石墨烯/金屬基復合薄膜材料的制備方法，其特征在于，所述的石墨烯薄膜層的制備方法為電沉積或電泳；所述的金屬層的制備方法為電沉積或化學沉積。
6.根據權利要求5所述的一種石墨烯/金屬基復合薄膜材料的制備方法，其特征在于，所述的電沉積所用溶液的溶質為氧化石墨烯，所述的電泳所用溶液的溶質為石墨烯，在所述的電沉積所用溶液和所述的電泳所用溶液中均還加入濃度為0.01～5mol/L的電解質。
7.根據權利要求6所述的一種石墨烯/金屬基復合薄膜材料的制備方法，其特征在于，所述的電解質為NaCl或Na2HPO4的一種或兩種。
8.根據權利要求6所述的一種石墨烯/金屬基復合薄膜材料的制備方法，其特征在于，所述的溶液中氧化石墨烯的層數和所述的石墨烯的層數均為1～10層，所述的層大小在50納米到100微米之間。
9.根據權利要求1所述的一種石墨烯/金屬基復合薄膜材料的制備方法，其特征在于，所述的金屬層為Cu、Ni、Sn、Ag或及其合金。
10.根據權利要求1所述的一種石墨烯/金屬基復合薄膜材料的制備方法，其特征在于，重復權利要求1所述的步驟1～2即制得所述的石墨烯/金屬基復合薄膜材料的多層結構。