技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種石墨烯/金屬基復(fù)合薄膜材料的制備方法，包括以下步驟：選擇一導(dǎo)電基體，對所述的導(dǎo)電基體清洗，清洗后在所述的導(dǎo)電基體上生長石墨烯薄膜層；然后對所述的石墨烯薄膜層進(jìn)行清洗，再在所述的石墨烯薄膜層上生長金屬層，即制得所述的石墨烯/金屬基復(fù)合薄膜材料。本發(fā)明的制備方法具有工藝簡單、反應(yīng)條件溫和和石墨烯摻雜比例可控的優(yōu)點，且制得的該復(fù)合薄膜材料在保證電學(xué)性能的前提下，具有較好的力學(xué)性能、抗腐蝕氧化性能，并且能夠有效阻止金屬間化合物的生長，適用于表面涂層、電子封裝等領(lǐng)域。

技術(shù)研發(fā)人員：胡安民;凌惠琴;孫夢龍;鞠隆龍
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海交通大學(xué)
文檔號碼：201611149178
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.13
技術(shù)公布日：2017.06.06