本發明涉及鍍膜領域，尤其涉及一種鍍膜設備。

背景技術：

現有的鍍膜設備，一般包括儲料室、鍍膜室和出卷室，鍍膜室與儲料室通過開關打開或關閉兩者的連通，鍍膜室與出卷室通過開關打開或關閉兩者的連通，儲料室中一般放置有卷繞的待鍍膜基材，當鍍膜時待鍍膜基材可以輸送到鍍膜室用于鍍膜，鍍膜后的基材輸出到出卷室，完成鍍膜。

一般說來，目前將儲料室中的待鍍膜基材輸送到鍍膜室包括以下步驟：首先將待鍍膜基材放置到儲料室，然后將儲料室抽真空(鍍膜室為真空狀態)，接著開關打開以實現儲料室和鍍膜室的連通，此后可以將儲料室中的待鍍膜基材輸送到鍍膜室進行鍍膜，鍍膜完后，通過開關關閉儲料室和鍍膜室的連通，然后儲料室打開到常壓下以將新的待鍍膜基材放到儲料室中。

目前儲料室是通過分子泵實現將儲料室抽真空，具體為儲料室設有抽氣口，所述分子泵安裝在抽氣口處，所述待鍍膜基材位于抽氣口的正下方，當分子泵工作實現抽真空時，空氣氣流向抽氣口匯集，導致空氣中的粉塵(particles)有部分會吸附到臨近抽氣口的待鍍膜基材上，從而造成待鍍膜基材表面上有不少粉塵，造成后面鍍膜后膜層與基材表面附著力差，存在膜層脫落的風險。

技術實現要素：

本發明實施例所要解決的技術問題在于，提供一種鍍膜設備。可減少待鍍膜基材表面的粉塵數量。

為了解決上述技術問題，本發明實施例提供了一種鍍膜設備，包括儲料室、鍍膜室和開關，所述儲料室和鍍膜室通過開關打開或關閉兩者的連通，所述儲料室內腔中存儲待鍍膜基材，所述儲料室設有抽氣口，所述抽氣口安裝有真空泵，所述抽氣口處靠近儲料室內腔一側安裝有導流罩，所述導流罩設有進氣口，所述抽氣口與所述進氣口連通形成氣流通道，所述導流罩用于減少真空泵工作時氣流與待鍍膜基材的接觸幾率。

在本發明的一實施例中，以與抽氣口平行的平面為基準平面，所述抽氣口、進氣口、待鍍膜基材分別正投影到基準平面上，所述進氣口的投影面積與待鍍膜基材的投影面積重疊的第一面積小于所述抽氣口的投影面積與待鍍膜基材的投影面積重疊的第二面積。

在本發明的一實施例中，所述抽氣口朝向所述待鍍膜基材設置，所述進氣口至少部分位于所述導流罩的側壁上，所述側壁與導流罩面向所述待鍍膜基材的底壁相異。

在本發明的一實施例中，經過所述抽氣口的氣流的延長線與經過所述進氣口的氣流的延長線相交，且兩個延長線的形成的角度為75°-105°。

在本發明的一實施例中，所述導流罩面向所述待鍍膜基材的底壁朝向抽氣口方向形成上拱的凸部。

在本發明的一實施例中，所述導流罩呈倒“凹”字型。

在本發明的一實施例中，所述進氣口的數量為兩個，且兩所述進氣口位于導流罩相對的兩側壁上。

在本發明的一實施例中，所述進氣口設有導風百葉，所述導風百葉傾斜設置且導風百葉的內端朝向所述抽氣口方向，且導風百葉的內端高度高于外端。

在本發明的一實施例中，所述真空泵為分子泵。

在本發明的一實施例中，所述鍍膜室采用物理氣象沉積法對待鍍膜基材進行鍍膜。

實施本發明實施例，具有如下有益效果：

1、由于設置了導流罩，導流罩用于減少空氣氣流與待鍍膜基材的接觸幾率，從而可以減少氣流中粉塵(particles)與待鍍膜基材的接觸幾率，從而有效減少了待鍍膜基材表面的粉塵數量，從而后面鍍膜形成的膜層與基材表面附著力較好，從而膜層脫落的風險得到很大的降低。

2、由于所述導流罩面向所述待鍍膜基材的底壁朝向抽氣口方向形成上拱的凸部，從而可以加速了氣流的流動速度，從而可以加速抽真空的效率，也可以減小導流罩底面與待鍍膜基材的干涉或摩擦。

3、由于所述進氣口設有導風百葉，所述導風百葉傾斜設置且導風百葉的內端朝向所述抽氣口方向，且導風百葉的內端高度高于外端，從而可以通過導風百葉對氣流進行導向，進一步降低粉塵接觸到待鍍膜基材的幾率，也可以對氣流中的粉塵有一定的阻攔作用，防止粉塵吸入到真空泵中，防止真空泵損壞，提高了真空泵的壽命。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發明儲料室、鍍膜室和出卷室的整體概略圖；

圖2是本發明儲料室的第一實施例概略圖；

圖3是本發明儲料室的第二實施例概略圖；

附圖標記：

100-儲料室；110-待鍍膜基材；120-放卷輥；130-抽氣口；140-氣流通道；150-第一開關；200-鍍膜室；300-出卷室；310-第二開關；400-真空泵；500、600-導流罩；510-側壁；520、620-底壁；530-進氣口；540-導風百葉；621-第一底壁；622-第二底壁；623-連接底壁。

具體實施方式

下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。

第一實施例

本發明提供一種鍍膜設備，請參見圖1和圖2，所述鍍膜設備包括儲料室100、鍍膜室200、出卷室300、第一開關150和第二開關310，所述儲料室100和鍍膜室200通過第一開關150打開或關閉兩者的連通，所述鍍膜室200和出卷室300通過第二開關310打開或關閉兩者的連通，所述儲料室100內腔中存儲待鍍膜基材110，具體為在本實施例中所述待鍍膜基材110卷繞在放卷輥120上，所述儲料室100設有抽氣口130，在本實施例中抽氣口130位于儲料室100的頂壁上，所述抽氣口130處安裝有真空泵400，所述抽氣口130靠近儲料室100內腔一側安裝有導流罩500，所述導流罩500設有進氣口530，所述抽氣口130與所述進氣口530連通形成氣流通道140，所述導流罩500用于減少真空泵400工作時氣流與待鍍膜基材110的接觸幾率。

在本發明中，由于設置了導流罩500，真空泵400工作時，儲料室100內的空氣先經由導流罩500對空氣氣流進行引流，然后再經由氣流通道140、抽氣口130、真空泵400將空氣排出，實現抽真空。由于導流罩500用于減少空氣氣流與待鍍膜基材110的接觸幾率，從而可以減少氣流中粉塵(particles)與待鍍膜基材110的接觸幾率，從而有效減少了待鍍膜基材110表面的粉塵數量，從而后面鍍膜形成的膜層與基材表面附著力較好，從而膜層脫落的風險得到很大的降低。

在本實施例中，以與抽氣口130平行的平面為基準平面，例如以儲料室100的頂壁為基準平面，所述抽氣口130、進氣口530、待鍍膜基材110分別正投影到基準平面上，所述進氣口530的投影面積與待鍍膜基材110的投影面積重疊的第一面積小于所述抽氣口130的投影面積與待鍍膜基材110的投影面積重疊的第二面積。具體說來，在本實施例中，所述進氣口530的數量為兩個，所述兩個進氣口530與所述待鍍膜基材110重疊的第一面積為0，而抽氣口130與待鍍膜基材110接近對應設置，從而重疊的第二面積近似為抽氣口130的投影面積，從而第二面積大于第一面積，從而相對背景技術的方案，本實施例中真空泵400工作時氣流經過導流罩500的導流，也即通過導流罩500引導氣流避開所述待鍍膜基材110，從而氣流與待鍍膜基材110接觸相對現有技術得到較大的減少，從而氣流中的粉塵與待鍍膜基材110接觸也減少，從而減少了待鍍膜基材110表面的粉塵數量。

在本實施例中，所述導風罩包括4個側壁510和一個底壁520，4個側壁510為前后左右四個方向各一個側壁510，還可以包括一個頂壁(如果有頂壁，對應所述抽氣口130需要設置一個開口)，但是頂壁不是必須的。側壁510和底壁520圍成導流罩500的內腔，可以用于形成氣流通道140。所述4個側壁510和所述底壁520都為平面結構。所述側壁510與所述底壁520在本實施例中為垂直設置，但本發明不限于此。

在本實施例中，所述抽氣口130朝向所述待鍍膜基材110設置，所述進氣口530至少部分位于所述導流罩500的側壁510上，在本實施例中，所述進氣口530較佳完全位于側壁510上，在本發明的其他實施例中，所述進氣口還可以部分位于側壁上，另一部分例如位于導風罩的底壁上。所述側壁510與導流罩500面向所述待鍍膜基材110的底壁520相異，也即所述側壁510非導流罩500面向所述待鍍膜基材110的底壁520。

具體而言，所述抽氣口130位于所述儲料室100的頂壁上，所述抽氣口130的風口面向所述待鍍膜基材110設置，所述進氣口530位于所述導流罩500的側壁510上，具體所述進氣口530分別位于導流罩500的左右側壁510上，所述導流罩500的底壁520面向所述待鍍膜基材110。經過所述抽氣口130的氣流的延長線與經過所述進氣口530的氣流的延長線相交，兩個延長線近似垂直，例如形成的角度為75°-105°，如75°、85°、90°、95°、105°等。

在本實施例中，由于所述進氣口530至少部分位于所述導流罩500的側壁510上，從而氣流從待鍍膜基材110的側面被吸入到進氣口530中，從而氣流與待鍍膜基材110的接觸幾率減少，從而氣流中的粉塵與待鍍膜基材110接觸也減少，從而減少了待鍍膜基材110表面的粉塵數量。

在本實施例中，所述進氣口530的數量為兩個，且兩所述進氣口530位于導流罩500相對的兩側壁510上，例如一個位于左側壁510上，另一個位于右側壁510上。在本發明的其他實施例中，所述兩個所述進氣口還可以一個位于前側壁上，另一個位于后側壁上，或者所述進氣口的數量還可以為一個、三個或者四個等。

請繼續參見圖2，在本實施例中，所述進氣口530設有導風百葉540，所述導風百葉540傾斜設置且導風百葉540的內端朝向所述抽氣口130方向，且導風百葉540的內端高度高于外端，這在導風百葉540朝向導風罩內部的一端為內端，相對的另外一端為外端，從而，可以通過導風百葉540對氣流進行導向，進一步降低粉塵接觸到待鍍膜基材110的幾率；而且，可以對氣流中的粉塵有一定的阻攔作用，防止粉塵吸入到真空泵400中。在本實施例中，以與抽氣口130平行的平面為基準平面，所述導風百葉540與基準平面的角度為20°-70°，例如為20°、30°、40°、50°、60°、70°等，較佳為45°-60°可以進一步降低粉塵接觸到待鍍膜基材110的幾率。

在本實施例中，所述真空泵400為分子泵，所述鍍膜室200采用物理氣相沉積法對待鍍膜基材110進行鍍膜。

第二實施例

圖3為本發明第二實施例儲料室的概略圖，圖3的結構與圖2的結構相似，因此相同的元件符號代表相同的元件，本實施例與第一實施例的主要不同點為導流罩底面的結構。

請參見圖3，所述導流罩600面向所述待鍍膜基材110的底壁620朝向抽氣口130方向形成上拱的凸部，在本實施例中所述導流罩600整體呈倒“凹”字型，凸部的設置既可以減小氣流通道140的截面積，也即減小了導流罩600頂面與導流罩600底面的距離，從而可以加速了氣流的流動速度，從而可以加速抽真空的效率，也可以減小導流罩600底面與待鍍膜基材110的干涉或摩擦。較佳的，所述凸部的中心線與所述待鍍膜基材110的中心線重合。

具體而言，在本實施例中，所述底壁620包括第一底壁621、第二底壁622和連接底壁623，其中，第一底壁621的數量為4個，也即左右前后各一個，所述第一底壁621一端與導風罩的側壁510下端相連，第一底壁621與側壁510呈垂直；所述第一底壁621的另一端連接有連接底壁623，所述連接底壁623的數量對應為4個，所述連接底壁623與側壁510平行，從而所述連接底壁623與所述第一底壁621也垂直，所述連接底壁623的另一端與與所述第二底壁622相連，所述第二底壁622與所述第一底壁621平行，所述第一底壁621、第二底壁622面向所述待鍍膜基材110。在本實施例中所述第二底壁622和所述連接底壁623構成所述凸部。

另外，在本發明的其他實施例中，所述導流罩還可以為型，也即所述導流罩的底壁為順滑的拱形，在本實施例中，所述導流罩的整個底壁為凸部，順滑的凸部有利于氣流的流動。所述導流罩的兩側壁分別設有所述進風口，在本實施例中為左、右側壁，所述導流罩的頂部與抽氣口連通，所述導流罩的拱形底部面向待鍍膜基材。

可以理解的是，本發明的上述實施例在不沖突的情況下，可以相互結合來獲得更多的實施例。

在本發明的描述中，需要理解的是，術語“中心”、“上”、“下”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”、“內”、“外”、“順時針”、“逆時針”等指示的方位或位置關系為基于附圖所示的方位或位置關系，僅是為了便于描述本發明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本發明的限制。此外，術語“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術特征的數量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括一個或者更多個該特征。在本發明的描述中，“多個”的含義是兩個或兩個以上，除非另有明確具體的限定。

在本發明中，除非另有明確的規定和限定，術語“安裝”、“相連”、“連接”、“固定”等術語應做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內部的連通。對于本領域的普通技術人員而言，可以根據具體情況理解上述術語在本發明中的具體含義。

以上所揭露的僅為本發明較佳實施例而已，當然不能以此來限定本發明之權利范圍，因此依本發明權利要求所作的等同變化，仍屬本發明所涵蓋的范圍。