1.一種鍍膜設(shè)備，其特征在于，包括儲料室、鍍膜室和開關(guān)，所述儲料室和鍍膜室通過開關(guān)打開或關(guān)閉兩者的連通，所述儲料室內(nèi)腔中存儲待鍍膜基材，所述儲料室設(shè)有抽氣口，所述抽氣口處安裝有真空泵，所述抽氣口靠近儲料室內(nèi)腔一側(cè)安裝有導(dǎo)流罩，所述導(dǎo)流罩設(shè)有進(jìn)氣口，所述抽氣口與所述進(jìn)氣口連通形成氣流通道，所述導(dǎo)流罩用于減少真空泵工作時氣流與待鍍膜基材的接觸幾率。
2.如權(quán)利要求1所述的一種鍍膜設(shè)備，其特征在于，以與抽氣口平行的平面為基準(zhǔn)平面，所述抽氣口、進(jìn)氣口、待鍍膜基材分別正投影到基準(zhǔn)平面上，所述進(jìn)氣口的投影面積與待鍍膜基材的投影面積重疊的第一面積小于所述抽氣口的投影面積與待鍍膜基材的投影面積重疊的第二面積。
3.如權(quán)利要求1所述的一種鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述抽氣口朝向所述待鍍膜基材設(shè)置，所述進(jìn)氣口至少部分位于所述導(dǎo)流罩的側(cè)壁上，所述側(cè)壁與導(dǎo)流罩面向所述待鍍膜基材的底壁相異。
4.如權(quán)利要求3所述的一種鍍膜設(shè)備，其特征在于，經(jīng)過所述抽氣口的氣流的延長線與經(jīng)過所述進(jìn)氣口的氣流的延長線相交，且兩個延長線的形成的角度為75°-105°。
5.如權(quán)利要求3所述的一種鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述導(dǎo)流罩面向所述待鍍膜基材的底壁朝向抽氣口方向形成上拱的凸部。
6.如權(quán)利要求5所述的一種鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述導(dǎo)流罩呈倒“凹”字型。
7.如權(quán)利要求3所述的一種鍍膜設(shè)備，其特征在于是，所述進(jìn)氣口的數(shù)量為兩個，且兩所述進(jìn)氣口位于導(dǎo)流罩相對的兩側(cè)壁上。
8.如權(quán)利要求1-7之一所述的一種鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述進(jìn)氣口設(shè)有導(dǎo)風(fēng)百葉，所述導(dǎo)風(fēng)百葉傾斜設(shè)置且導(dǎo)風(fēng)百葉的內(nèi)端朝向所述抽氣口方向，且導(dǎo)風(fēng)百葉的內(nèi)端高度高于外端。
9.如權(quán)利要求1-7之一所述的一種鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述真空泵為分子泵。
10.如權(quán)利要求1-7之一所述的一種鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述鍍膜室采用物理氣象沉積法對待鍍膜基材進(jìn)行鍍膜。