技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明屬于半導體加工技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種側(cè)蝕小的銅蝕刻液，其配方包括：1?15wt％過氧化氫，1?25wt％無機酸，1?20wt％有機酸，1?30wt％鹽類，0.5?2wt％表面活性劑以及余量的去離子水；表面活性劑為聚二甲基硅氧烷、聚乙二醇甲醚、聚氧乙烯聚氧丙烯醚、聚氧乙烯聚氧丙烯烷基醚、四甲基癸炔二醇中的一種。本發(fā)明銅蝕刻液蝕刻均勻，降低了側(cè)蝕現(xiàn)象，而且不會形成泡沫，穩(wěn)定性好。

技術(shù)研發(fā)人員：杜冰;顧群艷;梁豹;鮑杰;趙建龍;張兵;向文勝;朱坤
受保護的技術(shù)使用者：昆山艾森半導體材料有限公司
文檔號碼：201710068593
技術(shù)研發(fā)日：2017.02.08
技術(shù)公布日：2017.05.31