技術特征：

技術總結
本發(fā)明公開了一種表面增強基底的制備與標定性能的方法，通過動態(tài)陰影沉積技術，利用電子束蒸發(fā)薄膜沉積系統(tǒng)，在高真空度條件下在干凈的玻璃片上生長均勻傾斜排列的銀納米棒陣列，該方法制備的表面增強基底具有特殊的銀納米棒陣列結構，這使得它具有高靈敏度以及優(yōu)越的穩(wěn)定性，該方法生產出的表面增強基底重復度高，同一批次不同表面增強基底的SERS強度變化不到10％，不同批次基底的SERS強度變化不到15％，相比其他納米結構制備技術可控性強、成本低、重復度高，并且適應于大規(guī)模生產。

技術研發(fā)人員：張新民;萬巧云;禚昌巖
受保護的技術使用者：徐州賽恩斯源新材料科技有限公司
技術研發(fā)日：2017.03.20
技術公布日：2017.08.04