本發明屬于LED用基板技術領域，具體涉及一種LED用散熱基板的制備工藝。

背景技術：

LED燈主要包括LED芯片和燈杯，通常LED芯片是用LED發光晶片以打金線、共晶或覆晶的方式連接在散熱基板上形成的，再將LED芯片固定在系統的電路板上，散熱基板扮演著散熱、導電、絕緣三重角色，現有的散熱基板主要是金屬基板，但是這類金屬基板連接LED發光晶片的技術存在著散熱性差、絕緣性差的弊端。

隨著LED照明的需求日趨迫切，大功率LED的散熱問題益發受到重視(過高的溫度會導致LED發光效率衰減)；LED使用所產生的廢熱若無法有效散出，則會對LED的壽命造成致命性的影響。現階段較普遍的散熱基板有4種：直接覆銅板(DBC)、直接鍍銅基板(DPC)、高溫共燒多層基板(HTCC)和低溫共燒多層基板(LTCC)。在實際使用中存在成本限制、絕緣性能不夠等缺點，其制造成本較高，散熱性能差，抗潮、抗腐蝕性能不好，導致LED燈的使用壽命較短，不能足市場需要，因此很有必要改進材料的配方，設計一種性能優越的LED基板。

技術實現要素：

本發明針對背景技術中的存在的問題而提供一種散熱性能好的LED用散熱基板的制備工藝。

為了實現本發明目的而采用的技術方案為：一種LED用散熱基板的制備工藝，具體制備步驟如下：

1)復合燒結助劑的制備

將氧化鋁粉65～75份、鎂粉5～10份、煅燒高嶺土15～20份、滑石粉5～10份、氟化鈣15～20份分散于無水乙醇中形成混合漿料，干燥后即制得復合燒結助劑，其中，所述氧化鋁粉與無水乙醇的質量體積比為1g：5mL；

2)漿料的制備

依次加入50～60份的氮化硅粉、次磷酸鈉3～6份、羥甲基纖維素3～6份、乙酸鋯3～5份、聚乙烯醇6～10份和步驟1)制得的復合燒結助劑6～10份進行濕法球磨，球磨3～5小時，進行真空攪拌除泡，制得漿料；

3)成型

將步驟2)制得的漿料壓入模具中，自然放置完成凝膠過程；取出坯片在70～80℃溫度中，進行干燥處理3～5小時；然后放入熱壓模具中進行燒結壓制，在溫度為1200～1400℃下保溫1～2小時，繼續提高溫度至1400℃～1700℃下保溫1～2小時，再降溫冷卻得到基板。

本發明的有益效果如下：

本發明通過采用合適的燒結方法和選取合適的燒結助劑，實現了燒結體的致密化，大大提高了基板的熱導率；本發明的燒結助劑可形成低熔點的物相，實現液相燒結，降低燒成溫度，促進坯體的致密化，增加了基板表面的硬度和光澤度；本發明的基板導熱系數大，耐熱性能優，抗彎強度高，避免出現彎曲、翹曲等現象。

具體實施方式

下面結合實施例對本發明作進一步的描述。

實施例1：

本發明實施例一種LED用散熱基板的制備工藝，具體制備步驟如下：

1)復合燒結助劑的制備

將氧化鋁粉65份、鎂粉5份、煅燒高嶺土15份、滑石粉5份、氟化鈣15份分散于無水乙醇中形成混合漿料，干燥后即制得復合燒結助劑，其中，所述氧化鋁粉與無水乙醇的質量體積比為1g：5mL；

2)漿料的制備

依次加入50份的氮化硅粉、次磷酸鈉3份、羥甲基纖維素3份、乙酸鋯3份、聚乙烯醇6份和步驟1)制得的復合燒結助劑6份進行濕法球磨，球磨3小時，進行真空攪拌除泡，制得漿料；

3)成型

將步驟2)制得的漿料壓入模具中，自然放置完成凝膠過程；取出坯片在70～80℃溫度中，進行干燥處理3小時；然后放入熱壓模具中進行燒結壓制，在溫度為1200～1400℃下保溫1小時，繼續提高溫度至1400℃～1700℃下保溫1小時，再降溫冷卻得到基板。

實施例2：

本發明實施例一種LED用散熱基板的制備工藝，具體制備步驟如下：

1)復合燒結助劑的制備

將氧化鋁粉75份、鎂粉10份、煅燒高嶺土20份、滑石粉10份、氟化鈣20份分散于無水乙醇中形成混合漿料，干燥后即制得復合燒結助劑，其中，所述氧化鋁粉與無水乙醇的質量體積比為1g：5mL；

2)漿料的制備

依次加入60份的氮化硅粉、次磷酸鈉6份、羥甲基纖維素6份、乙酸鋯5份、聚乙烯醇10份和步驟1)制得的復合燒結助劑10份進行濕法球磨，球磨5小時，進行真空攪拌除泡，制得漿料；

3)成型

將步驟2)制得的漿料壓入模具中，自然放置完成凝膠過程；取出坯片在70～80℃溫度中，進行干燥處理5小時；然后放入熱壓模具中進行燒結壓制，在溫度為1200～1400℃下保溫2小時，繼續提高溫度至1400℃～1700℃下保溫2小時，再降溫冷卻得到基板。

以上所述僅為本發明的實施例，并非因此限制本發明的專利范圍，凡是利用本發明說明書內容所作的等效結構或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關的技術領域，均同理包括在本發明的專利保護范圍內。