1.一種制備石墨烯納米帶的方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟：
1)在碳化硅襯底上制備單原子層臺(tái)階，具體為：首先對(duì)碳化硅襯底片做拋光處理；然后對(duì)襯底片進(jìn)行預(yù)處理，所述預(yù)處理包括化學(xué)清洗、氫刻蝕和去除氧化物，直至得到具有周期性單原子層光滑臺(tái)階的碳化硅襯底片；
2)在步驟1)所獲得的具有單原子層臺(tái)階的碳化硅襯底片上直接采用碳化硅外延法生長(zhǎng)石墨烯納米帶。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備石墨烯納米帶的方法，其特征在于，所述單原子層光滑臺(tái)階是指單個(gè)臺(tái)階高度為一個(gè)原子層厚度的臺(tái)階。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備石墨烯納米帶的方法，其特征在于，所述臺(tái)階的寬度為20nm～10μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備石墨烯納米帶的方法，其特征在于，步驟1)中的所述化學(xué)清洗具體為：
a)將拋光處理后的SiC襯底片浸在氨水、雙氧水、去離子水混合液中煮沸5～30min，用去離子水清洗3～5次；
b)將步驟a)中處理后的SiC襯底片浸入鹽酸、雙氧水、去離子水的混合液中，煮沸5～30min，去離子水清洗3～5次；
c)將步驟b)中處理后的SiC襯底片放入3％～20％的HF溶液中1～10min，之后用去離子水沖洗。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備石墨烯納米帶的方法，其特征在于，步驟a)中的所述氨水、雙氧水、去離子水混合液中氨水、雙氧水和去離子水的體積比為：1:2:5～1:1:1。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備石墨烯納米帶的方法，其特征在于，步驟b)中的所述鹽酸、雙氧水、去離子水的混合液中鹽酸、雙氧水、去離子水的體積比為：1:2:8～1:1:1。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備石墨烯納米帶的方法，其特征在于，步驟1)中的所述氫刻蝕的偏角為1°～8°，溫度1000℃～2000℃，H2流量20L/min～100L/min，壓力50mbar～150mbar,時(shí)間5min～120min。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備石墨烯納米帶的方法，其特征在于，步驟1)中的所述去除氧化物具體為：將SiC襯底片置于高溫爐中，所述高溫爐內(nèi)的溫度為700℃～1500℃，H2流量為0.5L/min～10L/min，壓力為50mbar～100mbar，保持時(shí)間5min～2h。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備石墨烯納米帶的方法，其特征在于，步驟2)中的碳化硅外延法生長(zhǎng)石墨烯納米帶的生長(zhǎng)溫度為1000℃～2000℃，Ar流量5L/min～50L/min，壓力600mbar～900mbar，生長(zhǎng)時(shí)間為5min～5h。