技術總結
本發明公開了一種制備石墨烯納米帶的方法，所述方法包括如下步驟：1)在碳化硅襯底上制備單原子層臺階，具體為：首先對碳化硅襯底片做拋光處理；然后對襯底片進行預處理，所述預處理包括化學清洗、氫刻蝕和去除氧化物，直至得到具有周期性單原子層光滑臺階的碳化硅襯底片；2)在步驟1)所獲得的具有單原子層臺階的碳化硅襯底片上直接采用碳化硅外延法生長石墨烯納米帶。本發明利用了碳化硅本身具有的原子臺階和平整解理面的特點，直接采用碳化硅外延法生長石墨烯，通過調節溫度、壓強等條件使石墨烯在臺階上生長成為尺寸可調的石墨烯納米帶；對設備要求低，制得的GNRs缺陷少、尺寸可控、無需剝離，成功解決了側面生長的石墨烯納米帶不利于后期器件工藝的問題。

技術研發人員：劉欣宇;袁振洲;李百泉
受保護的技術使用者：北京華進創威電子有限公司
文檔號碼：201611157880
技術研發日：2016.12.15
技術公布日：2017.05.10