本發明涉及agzo靶材，尤其涉及一種高透光率和高導電性的agzo靶材及其制備方法。

背景技術：

1、透明導電氧化物(tco)材料在平板顯示器、太陽能電池和觸摸屏等領域有著廣泛的應用。傳統的tco材料如氧化銦錫(ito)因其高導電性和高透光率而被廣泛使用，但其高成本、銦資源的稀缺性以及易碎性促使人們尋找替代材料。鋁摻雜氧化鋅(agzo)因其低成本、良好的光電性能和機械穩定性成為潛在的替代材料。然而，現有agzo靶材在透光率和導電性方面仍有提升空間，尤其是在配方優化和材料組分選擇上存在不足，不能很好的實現高透光率和高導電性。

技術實現思路

1、有鑒于此，本發明的目的在于提出一種高透光率和高導電性的agzo靶材及其制備方法，以解決背景技術出現的問題。

2、基于上述目的，本發明提供了一種高透光率和高導電性的agzo靶材，包括有以下重量比例的組分：

3、氧化鋅(zno)：75-85％，氧化鋁(al2o3)：5-10％，新型摻雜元素：2-5％，納米添加劑：5-10％。

4、優選地，所述新型摻雜元素為稀土元素。

5、優選地，所述新型摻雜元素為釔、鑭、釓中的一種。

6、優選地，所述納米添加劑為氧化錫納米顆粒或氧化銻納米顆粒。

7、一種高透光率和高導電性的agzo靶材的制備方法，包括有以下步驟：

8、步驟一，原料混合：將氧化鋅、氧化鋁、新型摻雜元素的化合物和納米添加劑按比例混合；

9、步驟二，高能球磨：將混合后的原料進行高能球磨處理；

10、步驟三，等離子體輔助燒結：將球磨后的原料在等離子體輔助下進行預燒結；

11、步驟四，燒結：在燒結爐內進行燒結，爐內氣氛為氮氣或氬氣；

12、步驟五，退火：在退火爐內進行退火處理，爐內氣氛為氮氣或氬氣。

13、優選地，所述步驟二球磨時間為10-14小時，球料比為25:1至30:1。

14、優選地，所述步驟三等離子體輔助燒結溫度為900-1100℃，時間為3-5小時。

15、優選地，所述步驟四燒結溫度為1300-1600℃，燒結時間為8-12小時。

16、優選地，所述步驟五退火溫度為1100-1300℃，退火時間為5-7小時

17、本發明的有益效果：本發明通過引入新型摻雜元素、納米添加劑以及優化各組分的比例，顯著提高了agzo靶材的透光率、導電性和穩定性。本發明制備的agzo靶材透光率高：在可見光范圍內(400-700nm)，透光率可達92％以上；導電性高：電阻率低于2×10^-4ω·cm；引入釔、鑭、釓稀土元素作為新型摻雜元素，進一步提高材料的導電性和穩定性；引入氧化錫或氧化銻納米顆粒作為添加劑，進一步提高材料的透光率和導電性；在高溫高濕環境下具有優異的穩定性；相比傳統的ito材料，成本降低。

技術特征：

1.一種高透光率和高導電性的agzo靶材，其特征在于，包括有以下重量比例的組分：

2.根據權利要求1所述高透光率和高導電性的agzo靶材，其特征在于，所述新型摻雜元素為稀土元素。

3.根據權利要求2所述高透光率和高導電性的agzo靶材，其特征在于，所述新型摻雜元素為釔、鑭、釓中的一種。

4.根據權利要求3所述高透光率和高導電性的agzo靶材，其特征在于，所述納米添加劑為氧化錫納米顆粒或氧化銻納米顆粒。

5.根據權利要求4所述高透光率和高導電性的agzo靶材的制備方法，其特征在于，包括有以下步驟：

6.根據權利要求5所述高透光率和高導電性的agzo靶材的制備方法，其特征在于，所述步驟二球磨時間為10-14小時，球料比為25:1至30:1。

7.根據權利要求6所述高透光率和高導電性的agzo靶材的制備方法，其特征在于，所述步驟三等離子體輔助燒結溫度為900-1100℃，時間為3-5小時。

8.根據權利要求7所述高透光率和高導電性的agzo靶材的制備方法，其特征在于，所述步驟四燒結溫度為1300-1600℃，燒結時間為8-12小時。

9.根據權利要求8所述高透光率和高導電性的agzo靶材的制備方法，其特征在于，所述步驟五退火溫度為1100-1300℃，退火時間為5-7小時。

技術總結
本發明涉及AGZO靶材技術領域，提供一種高透光率和高導電性的AGZO靶材及其制備方法，通過引入新型摻雜元素、納米添加劑以及優化各組分的比例，顯著提高了AGZO靶材的透光率、導電性和穩定性。本發明制備的AGZO靶材透光率高：在可見光范圍內(400?700nm)，透光率可達92％以上；導電性高：電阻率低于2×10^?4Ω·cm；引入釔、鑭、釓稀土元素作為新型摻雜元素，進一步提高材料的導電性和穩定性；引入氧化錫或氧化銻納米顆粒作為添加劑，進一步提高材料的透光率和導電性；在高溫高濕環境下具有優異的穩定性；相比傳統的ITO材料，成本降低。

技術研發人員：曾墩風,王志強,鄢波,曾探
受保護的技術使用者：蕪湖映日科技股份有限公司
技術研發日：
技術公布日：2025/4/24