本技術涉及蝕刻液制備，具體來說，涉及一種半導體用低濃度boe蝕刻液制備裝置。

背景技術：

1、半導體用低濃度boe蝕刻液制備裝置是用于制備半導體工藝中所需的低濃度boe蝕刻液的設備，boe蝕刻液是一種常用于半導體工藝的化學溶液，用于蝕刻硅氧化物和一些其他材料。

2、但是半導體用低濃度boe蝕刻液制備裝置在制備時會產生硫化氫、氯化氫等有害氣體，容易對周圍的環境或工作者造成危害，同時半導體用低濃度boe蝕刻液制備裝置在制備結束后不能對其進行檢測，使得輸送的蝕刻液出現高濃度的蝕刻液不能及時發現，容易影響后續制備工藝。

3、針對相關技術中的問題，目前尚未提出有效的解決方案。

技術實現思路

1、(一)解決的技術問題

2、針對現有技術的不足，本實用新型提供了一種半導體用低濃度boe蝕刻液制備裝置，具備上述技術問題的優點，進而解決了現有技術中的問題。

3、(二)技術方案

4、為實現上述技術問題的優點，本實用新型采用的具體技術方案如下：

5、一種半導體用低濃度boe蝕刻液制備裝置，包括制備筒，制備筒上方設有輸送機構，制備筒上方安裝有制備機構；

6、制備筒上方安裝有輔助機構，制備筒下方連接有輸出機構。

7、進一步的，輸送機構包括制備筒上方固定設置的過濾盒，過濾盒一側貫穿有輸送管一，過濾盒的另一側貫穿有輸送管二，輸送管二的一端安裝有輸送泵，輸送泵一端通過連接管與制備筒貫穿。

8、進一步的，制備機構包括制備筒上方固定安裝的固定架，固定架上設有伺服電機，伺服電機的輸出軸固定設置有制備桿，制備桿一端與制備筒貫穿，制備桿的表面固定連接有制備板，制備板一端固定有刮料板，刮料板一側與制備筒內壁接觸。

9、進一步的，輔助機構包括制備筒上方貫穿的排出管，排出管的一端貫穿有輔助盒，輔助盒下方與制備筒固定連接，輔助盒內壁安裝有活性炭板，輔助盒另一側開設有等距分布的出氣孔。

10、進一步的，輸出機構包括制備筒下方貫穿的輸出管一，輸出管一的一端連接有檢測盒，檢測盒上方貫穿有檢測探頭，檢測盒一側貫穿有輸出泵一，輸出泵一的輸出端連接有輸出管二，輸出管二的一端與制備筒貫穿，檢測盒一側通過連接管二連接有輸出泵二，輸出管一表面安裝有保溫罩一，保溫罩一上貫穿有等距離分布的半導體制冷片。

11、進一步的，過濾盒內壁固定安裝有安裝框，安裝框內壁設有過濾網板，過濾盒上方鉸接有密封蓋，密封蓋與過濾盒側面固定連接有鎖扣。

12、進一步的，輸出泵二的輸出端連接有儲液筒。

13、進一步的，制備筒表面固定安裝有等距離分布的連接板，連接板上設有加熱環，連接板一端固定有保溫罩二。

14、(三)有益效果

15、與現有技術相比，本實用新型具備以下有益效果：

16、(1)、通過在制備筒設置的輔助機構，便于對半導體用低濃度boe蝕刻液制備裝置在制備時產生硫化氫、氯化氫等有害氣體進行輔助過濾排出，周圍的環境或工作者受到危害，同時在制備筒設置的輸出機構，不僅制備后的半導體用低濃度boe蝕刻液進行輔助輸送并冷卻處理，還可以對制備后的半導體用低濃度boe蝕刻液進行輔助檢測處理，降低半導體用低濃度boe蝕刻液輸送時能及時發現高濃度的蝕刻液，降低后續制備工藝的影響。

17、(2)、通過在制備筒設置的輸送機構，不僅可以對半導體用低濃度boe蝕刻液原料進行輸送，還可以對原料中的雜質進行輔助過濾處理，同時在制備筒設置的制備機構，便于對制備的半導體用低濃度boe蝕刻液進行均勻混合攪拌制備處理，同時在制備筒設置的連接板與加熱環，便于對制備時的原料進行輔助加熱處理。

技術特征：

1.一種半導體用低濃度boe蝕刻液制備裝置，其特征在于，包括制備筒(1)，所述制備筒(1)上方設有輸送機構(2)，所述制備筒(1)上方安裝有制備機構(3)；

2.根據權利要求1所述的一種半導體用低濃度boe蝕刻液制備裝置，其特征在于，所述輸送機構(2)包括制備筒(1)上方固定設置的過濾盒(201)，所述過濾盒(201)一側貫穿有輸送管一(202)，所述過濾盒(201)的另一側貫穿有輸送管二(203)，所述輸送管二(203)的一端安裝有輸送泵(204)，所述輸送泵(204)一端通過連接管一與制備筒(1)貫穿。

3.根據權利要求1所述的一種半導體用低濃度boe蝕刻液制備裝置，其特征在于，所述制備機構(3)包括制備筒(1)上方固定安裝的固定架(301)，所述固定架(301)上設有伺服電機(302)，所述伺服電機(302)的輸出軸固定設置有制備桿(303)，所述制備桿(303)一端與制備筒(1)貫穿，所述制備桿(303)的表面固定連接有制備板(304)，所述制備板(304)一端固定有刮料板(305)，所述刮料板(305)一側與制備筒(1)內壁接觸。

4.根據權利要求2所述的一種半導體用低濃度boe蝕刻液制備裝置，其特征在于，所述過濾盒(201)內壁固定安裝有安裝框(6)，所述安裝框(6)內壁設有過濾網板(7)，所述過濾盒(201)上方鉸接有密封蓋(8)，所述密封蓋(8)與過濾盒(201)側面固定連接有鎖扣(9)。

5.根據權利要求1所述的一種半導體用低濃度boe蝕刻液制備裝置，其特征在于，所述輸出泵二(506)的輸出端連接有儲液筒(10)。

6.根據權利要求1所述的一種半導體用低濃度boe蝕刻液制備裝置，其特征在于，所述制備筒(1)表面固定安裝有等距離分布的連接板(11)，所述連接板(11)上設有加熱環(12)，所述連接板(11)一端固定有保溫罩二(13)。

技術總結
本技術公開了一種半導體用低濃度BOE蝕刻液制備裝置，包括制備筒，制備筒上方設有輸送機構，制備筒上方安裝有制備機構，制備筒上方安裝有輔助機構，制備筒下方連接有輸出機構，通過在制備筒設置的輔助機構，便于對半導體用低濃度BOE蝕刻液制備裝置在制備時產生硫化氫、氯化氫等有害氣體進行輔助過濾排出，周圍的環境或工作者受到危害，同時在制備筒設置的輸出機構，不僅制備后的半導體用低濃度BOE蝕刻液進行輔助輸送并冷卻處理，還可以對制備后的半導體用低濃度BOE蝕刻液進行輔助檢測處理，降低半導體用低濃度BOE蝕刻液輸送時能及時發現高濃度的蝕刻液，降低后續制備工藝的影響。

技術研發人員：王航帥,舒宇帆,彭曉暉,潘美華
受保護的技術使用者：浙江森田新材料有限公司
技術研發日：20240318
技術公布日：2025/4/28