本技術涉及半導體，尤其涉及一種mems芯片和麥克風。

背景技術：

1、mems(micro?electro?mechanical?systems，微機電系統)芯片的主要應用實例包括壓力傳感器、加速度計及硅麥克風等，mems芯片一般是先淀積多晶硅導電層，再蒸發或者濺射金屬在導電層上，作為焊線連接點，隨后通過釋放工藝腐蝕出空腔結構。但是在腐蝕空腔結構過程中，釋放工藝的釋放溶液會沿著焊線連接點的邊界腐蝕下邊的導電層，導致導電層斷裂，破壞焊線連接點與導電層之間的電性連接。

技術實現思路

1、本實用新型提供了一種mems芯片和麥克風，旨在有效解決現有技術中在腐蝕空腔結構過程中，釋放工藝的釋放溶液會沿著焊線連接點的邊界腐蝕下邊的導電層，導致導電層斷裂，破壞焊線連接點與導電層之間的電性連接的技術問題。

2、根據本實用新型的第一方面，本實用新型提供一種極板，包括：導電層、電極和犧牲結構；所述電極和所述犧牲結構設置于所述導電層，所述犧牲結構和所述電極之間設置有防護結構，所述犧牲結構具有導電性。

3、進一步地，所述犧牲結構為金屬構成的金屬點，所述防護結構為導電柱，所述導電柱的兩端分別與所述犧牲結構和所述電極固定連接。

4、進一步地，所述金屬點的形狀與所述電極的形狀相同。

5、進一步地，所述犧牲結構為圖形化的幾何圖，所述幾何圖具有缺陷。

6、進一步地，所述犧牲結構為環繞所述導電層設置的導電板，所述防護結構為隔離槽，所述隔離槽將所述電極和所述導電板隔開，且所述隔離槽將所述導電層和所述導電板隔開。

7、進一步地，所述導電板的表面為粗糙面。

8、進一步地，所述導電板的面積大于所述導電層與所述電極的面積之和。

9、進一步地，所述隔離槽的寬度大于或等于預設寬度。

10、進一步地，所述導電板表面的粗糙面為刻蝕成型的，且所述隔離槽為刻蝕成型。

11、根據本實用新型的第二方面，本實用新型還提供了一種麥克風，包括上述的mems芯片。

12、通過本實用新型中的上述實施例中的一個實施例或多個實施例，至少可以實現如下技術效果：

13、在本實用新型所公開的技術方案中，通過在背極板的導電層上設置犧牲結構，在使用釋放工藝腐蝕空腔結構的過程中，釋放溶液會先把犧牲結構下的導電層腐蝕掉，這就降低了電極下的導電層被腐蝕的幾率，從而降低了電極與導電層之間的電性連接被破壞的幾率。

14、附圖說明

15、下面結合附圖，通過對本實用新型的具體實施方式詳細描述，將使本實用新型的技術方案及其它有益效果顯而易見。

16、圖1為本實用新型一實施例提供的mems芯片的背極板結構示意圖；

17、圖2為本實用新型另一實施例提供的mems芯片的背極板結構示意圖；

18、圖3為本實用新型再一實施例提供的mems芯片的背極板結構示意圖。

技術特征：

1.一種mems芯片，包括背極板，其特征在于，所述背極板包括：導電層(10)、電極(101)和犧牲結構(102)；

2.如權利要求1所述的mems芯片，其特征在于，

3.如權利要求2所述的mems芯片，其特征在于，

4.如權利要求1所述的mems芯片，其特征在于，

5.如權利要求1所述的mems芯片，其特征在于，

6.如權利要求5所述的mems芯片，其特征在于，

7.如權利要求5所述的mems芯片，其特征在于，

8.如權利要求5所述的mems芯片，其特征在于，

9.如權利要求6所述的mems芯片，其特征在于，所述導電板表面的粗糙面為刻蝕成型的，且所述隔離槽為刻蝕成型。

10.一種麥克風，其特征在于，包括如權利要求1-9任一項所述的mems芯片。

技術總結
本技術公開了一種MEMS芯片和麥克風，MEMS芯片包括背極板，背極板包括：導電層、電極和犧牲結構；所述電極和所述犧牲結構設置于所述導電層，所述犧牲結構和所述電極之間設置有防護結構，所述犧牲結構具有導電性，以使所述導電層位于所述犧牲結構下部位的耐腐蝕性小于所述導電層位于所述電極下部位的耐腐蝕性。本技術所提供的技術方案能夠解決現有技術中在腐蝕空腔結構過程中，釋放工藝的釋放溶液會沿著焊線連接點的邊界腐蝕下邊的導電層，導致導電層斷裂，破壞焊線連接點與導電層之間的電性連接的技術問題。

技術研發人員：孟燕子,康森先
受保護的技術使用者：蘇州敏芯微電子技術股份有限公司
技術研發日：20240711
技術公布日：2025/4/24