本發(fā)明涉及氫檢測元件及其制造方法，尤其涉及具有金屬氧化物層被夾在兩個電極之間的構造的氫檢測元件。

背景技術：

1、以往，提出了具有金屬氧化物層被兩個電極夾持的結構的氫檢測元件(例如，參照專利文獻1)。

2、專利文獻1的氫檢測元件具有從下方起層疊有第一電極、金屬氧化物層、第二電極以及絕緣膜的構造。通過使絕緣膜的一部分開口，形成成為向第二電極的氫氣導入口的露出部。利用氫檢測元件的電阻值根據(jù)向露出部導入的氫氣的濃度而變化的情況，來檢測氫氣的濃度。

3、現(xiàn)有技術文獻

4、專利文獻

5、專利文獻1：國際公開第2018/123674號公報

技術實現(xiàn)思路

1、發(fā)明所要解決的課題

2、然而，在專利文獻1的氫檢測元件中，存在每個氫檢測元件對氫的反應特性(即，電阻值的變化量)產(chǎn)生個體偏差的問題。此外，“個體偏差”是指制造出的每個氫檢測元件的特性的偏差，以下也簡稱為“偏差”。

3、因此，本公開的目的在于提供一種具有抑制了反應特性的偏差的特征性結構的氫檢測元件及其制造方法。

4、用于解決課題的手段

5、為了實現(xiàn)上述目的，本公開的一個方式所涉及的氫檢測元件具備：面狀的第一電極；面狀的第二電極，與所述第一電極對置地形成，具有由絕緣膜覆蓋的主面，且具有所述主面上的所述絕緣膜的一部分開口而成為氫氣導入口的多個露出部；金屬氧化物層，被夾在所述第一電極以及所述第二電極之間；以及第一端子以及第二端子，在所述第二電極的平面圖中，在夾著所述多個露出部的位置與所述第二電極電連接，在向所述多個露出部導入了氫氣時，所述第一端子以及所述第二端子間的電阻變化。

6、為了實現(xiàn)上述目的，本公開的一個方式所涉及的氫檢測元件的制造方法包括：形成面狀的第一電極的步驟；在所述第一電極之上形成金屬氧化物層的步驟；在所述金屬氧化物層之上形成第二電極的步驟；形成與所述第二電極電連接的第一端子以及第二端子的步驟；形成覆蓋所述第二電極的絕緣膜的步驟；以及將所述絕緣膜中的在所述第二電極的平面圖中夾在所述第一端子以及所述第二端子之間的多個部位除去，從而在所述第二電極的主面上形成成為多個氫氣導入口的多個露出部的步驟，在向所述多個露出部導入了氫氣時，所述第一端子以及所述第二端子間的電阻發(fā)生變化。

7、發(fā)明效果

8、根據(jù)本公開，提供具有抑制了反應特性的偏差的特征性結構的氫檢測元件及其制造方法。

技術特征：

1.一種氫檢測元件，具備：

2.根據(jù)權利要求1所述的氫檢測元件，

3.根據(jù)權利要求2所述的氫檢測元件，

4.根據(jù)權利要求1～3中任一項所述的氫檢測元件，

5.根據(jù)權利要求1～3中任一項所述的氫檢測元件，

6.根據(jù)權利要求1～3中任一項所述的氫檢測元件，

7.根據(jù)權利要求1～3中任一項所述的氫檢測元件，

8.根據(jù)權利要求1～3中任一項所述的氫檢測元件，

9.一種氫檢測元件的制造方法，包括：

技術總結
氫檢測元件(10)具備：面狀的第一電極(21)；面狀的第二電極(23)，與第一電極(21)對置地形成，具有由絕緣膜(保護膜(14)及第二絕緣膜(13))覆蓋的主面，且具有主面上的絕緣膜的一部分開口而成為多個氫氣導入口的多個露出部(26)；金屬氧化物層(22)，被夾在第一電極(21)及第二電極(23)之間；及第一端子(25a)及第二端子(25b)，在第二電極(23)的平面圖中，在夾著多個露出部(26)的位置與第二電極(23)電連接，在向多個露出部(26)導入了氫氣時，第一端子(25a)及第二端子(25b)間的電阻變化。

技術研發(fā)人員：南川智宏,伊藤理,河合賢,本間運也,片山幸治
受保護的技術使用者：新唐科技日本株式會社
技術研發(fā)日：
技術公布日：2025/4/28