專利名稱：多層陶瓷電子部件及其制造方法
技術領域：
本發明涉及一種高電容多層陶瓷電子元件，通過降低外電極中的厚度偏差，該多層陶瓷電子元件具有良好的可靠性，同時具有更薄的外電極。
背景技術：
近來，隨著電子產品尺寸的縮小，多層陶瓷電子元件在具有高容量的同時也已要求小型化。
因此，已經嘗試了各種方法以使電介質層和內電極變薄并且增加層數，并且目前，已經制造出了其中層壓有數量增多的薄形電介質層的多層陶瓷電子部件。
此外，由于也需要外電極變薄，將可能導致產生電鍍溶液滲透進外電極中的芯片，從而難以減小多層陶瓷電子部件的尺寸。
特別地，當外電極的厚度不一致時，電鍍溶液更可能滲透外電極較薄的部分，從而不能確?？煽啃?。
因此，在高電容產品小型化的情況下，高電容產品中的外電極的形狀至關重要。發明內容
本發明的一個方面提供一種高電容多層陶瓷電子元件，通過減小外電極的厚度偏差，該高電容多層陶瓷電子元件具有良好可靠性，同時具有較薄的外電極。
根據本發明的一個方面，提供了一種多層陶瓷電子部件，該多層陶瓷電子部件包括:陶瓷本體；多個內電極，該多個內電極在所述陶瓷本體內層壓；以及外電極，該外電極形成在所述陶瓷本體的外表面上并與所述內電極電連接；其中，所述外電極的平均厚度為ΙΟμπι或更小，并且當所述外電極在沿所述陶瓷本體的寬度方向的中心部位處的厚度為Tc且外電極在所述內電極的印刷面區域的側緣處的厚度為Tl時，滿足0.5< Tl/Tc <1.0。
當從所述陶瓷本體的寬度方向的中心部位到所述內電極的印刷面區域的側緣的距離為L時，可以滿足Tc-Tl I/L ≤ 0.02。
當外電極在陶瓷本體的拐角處的最薄部分的厚度為T2時，可以滿足0.2 ≤ T2/Tc ≤ 1.0。
所述外電極可以包含占所述外電極上的漿料的總重的60wt%或更少的導電金屬。
所述導電金屬可以包括從銅(Cu)、鎳(Ni )、銀(Ag)和銀-鈀(Ag-Pd)構成的組中選取的至少一種金屬。
根據本發明的另一個方面，提供了一種多層陶瓷電子部件，該多層陶瓷電子部件包括:陶瓷本體；多個內電極 ，該多個內電極在所述陶瓷本體內層壓；以及外電極，該外電極形成在所述陶瓷本體的外表面上并與所述內電極電連接；其中，所述外電極的平均厚度為ΙΟμπι或更小，并且當所述外電極在沿所述陶瓷本體的寬度方向的中心部位處的厚度為Tc，外電極在所述內電極的印刷面區域的側緣處的厚度為Tl，且從所述陶瓷本體的寬度方向的中心部位到所述內電極的印刷面區域的側緣的距離為L時，滿足ITc-Tl I/L ( 0.02。
當外電極在陶瓷本體的拐角處的最薄部分的厚度為Τ2時，可以滿足0.2 ( Τ2/Tc ( 1.0。
所述外電極可以包含占所述外電極上的漿料的總重的60wt%或更少的導電金屬。
所述導電金屬可以包括從銅(Cu)、鎳(Ni )、銀(Ag)和銀-鈀(Ag-Pd)構成的組中選取的至少一種金屬。
根據本發明的另一個方面，提供了一種多層陶瓷電子部件，該多層陶瓷電子部件包括::陶瓷本體；多個內電極，該多個內電極在所述陶瓷本體內層壓；以及外電極，該外電極形成在所述陶瓷本體的外表面上并與所述內電極電連接；其中，所述外電極的平均厚度為ΙΟμπι或更小，以及當所述外電極在沿所述陶瓷本體的寬度方向的中心部位處的厚度為Tc，外電極在所述內電極的印刷面區域的側緣處的厚度為Tl，外電極在陶瓷本體的拐角處的最薄部分的厚度為Τ2，且從所述陶瓷本體的寬度方向的中心部位到所述內電極的印刷面區域的側緣的距離為L時，滿足0.5≤I Tl/Tc I≤1.0、0.2≤| T2/Tc |≤1.0和| Tc-Tl | /L ≤ 0.02。
所述外電極可以包含占所述外電極上的漿料的總重的60wt%或更少的導電金屬。
所述導電金屬可以包括從銅(Cu)、鎳(Ni )、銀(Ag)和銀-鈀(Ag-Pd)構成的組中選取的至少一種金屬。
根據本發明的另一個方面，提供了一種制造多層陶瓷電子部件的方法，該方法包括:配制陶瓷本體；該陶瓷本體包括電介質層和多個內電極,該多個內電極彼此相對地設置，同時將所述電介質層插入內電極之間；配制導電漿料，該導電漿料用于外電極且包含導電金屬；將用于外電極的導電漿料施加在所述陶瓷本體的端部以與所述內電極電連接；以及燒結所述陶瓷本體以形成外電極；其中所述外電極的平均厚度為ΙΟμπι或更??；并且當所述外電極在沿所述陶瓷本體的寬度方向的中心部位處的厚度為Tc，且外電極在所述內電極的印刷面區域的側緣處的厚度為Tl時，滿足0.5彡Tl/Tc ( 1.0。
當從所述陶瓷本體的寬度方向的中心部位到所述內電極的印刷面區域的側緣的距離為L時，可以滿足I Tc-Tl I/L彡0.02。
當外電極在陶瓷本體的拐角處的最薄部分的厚度為T2時，可以滿足0.2 ( T2/Tc ≤ 1.0。
所述導電金屬可以包括從銅(Cu)、鎳(Ni)、銀(Ag)和銀-鈀(Ag-Pd)構成的組中選取的至少一種金屬。
所述外電極可以包含占所述導電漿料的總重的60wt%或更少的導電金屬。


根據以下結合附圖的詳細描述，將更清楚地理解本發明的上述的和其它方面、特征和其它優點，其中:
圖1是根據本發明第一至第三種實施方式的多層陶瓷電容器(MLCC)的立體示意圖2是沿圖1的B-B’線剖切的剖面圖3是根據本發明第一種實施方式的圖2中“A”部分的放大圖4是根據本發明第二種實施方式的圖2中“A”部分的放大圖5是根據本發明的第三種和第四種實施方式的圖2中“A”部分的放大圖；以及
圖6顯示了根據本發明的第五種實施方式的多層陶瓷電容器的制造工藝。
具體實施方式
現在參照附圖詳細描述本發明的實施方式。但是，本發明可以通過多種不同的形式實現，而不應被理解為局限于此處所給出的實施方式。相反，提供這些實施方式旨在使得本發明的公開內容全面完整，并向本領域技術人員充分地表達本發明的范圍。在附圖中，為了清楚的目的可以放大形狀和尺寸，并且在全部附圖中使用相同的參考標記標示相同或相似的部件。
圖1是根據本發明第一至第三種實施方式的多層陶瓷電容器(MLCC)的立體示意圖。
圖2是沿圖1的B-B’線剖切的剖面圖。
圖3是根據本發明第一種實施方式的圖2中“A”部分的放大圖。
參照圖1至圖3，根據本發明第一種實施方式的多層陶瓷電子部件包括:陶瓷本體10 ;多個內電極21，該多個內電極21在所述陶瓷本體內層壓；以及外電極31和32，該外電極31和32形成在陶瓷本體10的外表面上并與內電極21電連接。外電極31和32的平均厚度可以為10 μ m或更小，當外電極31和32在陶瓷本體10的寬度方向的中心部位處的厚度為Tc，且外電極31和32在內電極21的印刷面區域的側緣處的厚度為Tl時，可以滿足0.5 ≤ Tl/Tc ≤ 1.0。
當從陶瓷本體10的寬度方向的中心部位到內電極21的印刷面區域的側緣的距離為L時，可以滿足Tc-Tl I/L ^ 0.02。
外電極31和32可以包含占外電極31和32的漿料的總重的60wt% (重量百分比)或更少的導電金屬。
所述導電金屬可以是從銅(Cu)、鎳(Ni)、銀(Ag)和銀-1fi(Ag-Pd)構成的組中選取的一種或多種金屬。
下面，將描述根據本發明的的實施方式的多層陶瓷電子部件，特別地，將以多層陶瓷電容器(MLCC)作為多層陶瓷電子部件的實施例，但本發明不限于此。
陶瓷本體10的形狀不受限制。但陶瓷本體10可以為長方體形。
同時，在根據本實施方式的多層陶瓷電容器內，可以定義的是，在圖1中，“長度方向”為“L”方向、“寬度方向”為“W”方向、以及“厚度方向”為“T”方向。這里，“厚度方向”可以與電介質層堆疊的“層壓方向”具有同樣的概念。
根據本發明的第一種實施方式，用于形成陶瓷本體10的原材料不受特殊限制，只要可以獲得足夠的容量即可。例如，可以使用鈦酸鋇(BaTiO3)作為原材料。
至于陶瓷本體10的材料，可以根據本發明的目的將例如陶瓷添加劑、有機溶劑、可塑劑、粘合劑、分散劑或者類似物的各種材料添加到例如鈦酸鋇(BaTiO3)的粉末中。
第一和第二內電極21的材料不受特殊限制。例如，內電極21可以通過使用由銀(Ag)、鉛(Pb)、鉬(Pt)、鎳(Ni)和銅(Cu)中的至少一個制成的導電衆料構成。
內電極21可以交替地層壓在陶瓷本體10內，且相鄰的內電極可以具有相反的極性。
根據本發明的第一種實施方式的多層陶瓷電容器可以包括外電極31和32，該外電極31和32與內電極21電連接。
外電極31和32可以與內電極21電連接以形成電容。
根據本發明的第一種實施方式，外電極31和32的平均厚度可以為ΙΟμπι或更小。在平均厚度超過IOym的情況中，外電極很厚。因此，即使在存在厚度偏差的情況下，也可能不會削弱外電極的可靠性。
參照附圖2和3，在多層陶瓷電容器的厚度方向T的中心部位沿長度和寬度方向L-W的區域內，當第一外電極31和第二外電極32在沿陶瓷本體10的寬度方向的中心部位處的厚度為Tc，且第一和第二外電極在內電極21的印刷面區域的側緣處的厚度為Tl時，可以滿足 0.5 ( Tl/Tc ( 1.0。
外電極31和32在沿陶瓷本體10的寬度方向的中心部位處的厚度Tc可以指的是當沿陶瓷本體10的長度方向繪制始于陶瓷本體10的寬度方向的中心點的虛擬線時，所認識到的外電極31和32的厚度。
同時，外電極31和32在內電極21的印刷面區域的側緣處的厚度Tl可以指的是當沿沿陶瓷本體10的長度方向繪制始于印刷面區域的側緣的虛擬線時，所認識到的外電極31和32的厚度。
因為比值Tl/Tc滿足0.5彡Tl/Tc ( 1.0，所以可以縮小厚度Tc和厚度Tl之間的偏差，其中，厚度Tc為外電極31和32在沿陶瓷本體10的寬度方向的中心部位處的厚度，厚度Tl為外電極31和32在內電極21的印刷面區域的側緣處的厚度，從而防止降低可靠性。
在比值|T1/Tc|小于0.5的情況下，外電極31和32的厚度偏差會增加，并且因此，電鍍溶液可以滲透外電極31和32的更薄的部分，從而降低可靠性。
根據本發明的第一種實施方式，當外電極31和32在沿陶瓷本體10的寬度方向的中心部位處的厚度為Tc，且外電極31和32在內電極21的印刷面區域的側緣處的厚度為Tl時，可以滿足0.5彡Tl/Tc彡1.0，以及當從陶瓷本體10的寬度方向的中心部位到內電極21的印刷面區域的側緣的距離為L時，可以滿足ITc-Tl I/L ( 0.02。
數值ITc-Tl |/L可以表示在外電極31和32構造內，從沿陶瓷本體10的寬度方向的中心部位到內電極21的印刷面區域的側緣的外電極區域的平整度。
詳細地，當數值|Tc-Tl|增加時，可以增加外電極31和32的厚度Tc和厚度Tl之間的偏差，其中，厚度Tc為在沿陶瓷本體10的寬度方向的中心部位處的厚度，厚度Tl為外電極31和32在內電極21的印刷面區域的側緣處的厚度。
同時，當數值ITc-TlI減小時，可以減小外電極31和32的厚度Tc和厚度Tl之間的偏差，其中，厚度Tc為在沿陶瓷本體10的寬度方向的中心部位處的厚度，厚度Tl為外電極31和32在內電極21的印刷面區域的側緣處的厚度。
因為數值ITc-TlI滿足0.2或更小， 能夠減小了外電極31和32的厚度Tc和厚度TI之間的偏差，其中，厚度Tc為在沿陶瓷本體10的寬度方向的中心部位處的厚度，厚度TI為外電極31和32在內電極21的印刷面區域的側緣處的厚度，從而防止可靠性的降低。
在比值I Tc-Tl I/L超過0.02的情況下，外電極31和33的厚度偏差將增加，因此，電鍍溶液可以滲透外電極更薄的部分，可能會降低可靠性。
圖4是根據本發明第二種實施方式的圖2中“A”部分的放大圖。
參照圖4，在根據本發明的第二種實施方式的多層陶瓷電子部件中，當外電極31和32在沿陶瓷本體10的寬度方向的中心部位處的厚度為Tc，且外電極31和32在內電極21的印刷面區域的側緣處的厚度為Tl時，可以滿足0.5 ( I Tl/Tc I ( 1.0,以及當外電極31和32在陶瓷本體10的拐角處的最薄部分的厚度為T2時，可以滿足0.2 < T2/Tc <1.0。
外電極31和32在陶瓷本體10的拐角處的最薄部分的厚度T2可以指的是形成在陶瓷本體10拐角處的外電極31和32區域的最薄部分的厚度。
因為比值|T2/Tc|滿足0.2彡T2/Tc彡1.0，所以可以減小厚度Tc和厚度T2之間的偏差，其中，厚度Tc為外電極31和32在沿陶瓷本體10的寬度方向的中心部位處的厚度，厚度T2為外電極31和32在陶瓷本體10的拐角處的最薄部分的厚度，從而防止可靠性的降低。
在比值|T2/Tc|小于0.2的情況下，外電極31和32的厚度偏差會增加，從而會允許電鍍溶液滲透更薄的部分，導致可靠性降低。
為了測量外電極31和32的厚度，如圖2所示，外電極31和32的厚度可以通過使用掃描電子顯微鏡(SEM)掃描如圖2所示的多層陶瓷電容器在長度方向上的橫截面的圖像來測量。
詳細地，至于通過使用掃描電子顯微鏡來掃描多層陶瓷電容器的橫截面的圖像而提取外電極區域的方式，可以測量外電極橫截面的每個點之間的厚度，其中如圖2所示，所述橫截面沿長度方向和寬度方向L-W截取于多層陶瓷電容器厚度方向T的中心部位。
外電極31和32可以形成為包含與內電極完全相同的導電金屬，但本發明不限于此。例如，所述導電金屬可以是從銅(Cu)、鎳(Ni)、銀(Ag)以及銀-鈀(Ag-Pd)構成的組中選取的至少一種金屬。
外電極31和32可以通過將導電漿料施加到陶瓷本體上，該導電漿料可以通過將玻璃熔快添加到導電金屬中來配制，然后將導電漿料與陶瓷本體進行燒結而形成，并且被燒結的外電極層31和32上可以附加地形成電鍍層41和42。
如上所提到的，在根據本發明的第一種和第二種實施方式中的多層陶瓷電容器中，外電極31和32可以包含占所述漿料總重的60wt%或更少的導電金屬，以減小外電極31和32在沿陶瓷本體10的寬度方向的中心部位處的厚度Tc，與外電極31和32在各自點的厚度Tl和T2之間的偏差。
詳細地，根據本發明的第一種和第二種實施方式，因為外電極31和32包含占所述漿料的總重的60wt%或更少的導電金屬，所以外電極31和32在各自位置的厚度Tl和T2滿足關系表達式0.5 < I Tl/Tc I < 1.0和0.2 < I T2/Tc | ( 1.0，且比值| Tc-Tl |滿足關系表達式 ITc-Tl I/L ≤ 0.02。
也就是說，因為用于形成包含占所述導電漿料的總重的60wt%或更少的導電金屬的外電極31和32的導電漿料具有低粘度的物理性質，所以能夠減少在形成外電極31和32時所施加的導電漿料的厚度，并且因此，可以減小厚度偏差。
在包含在外電極31和32中的導電金屬超過導電漿料的總重的60wt%的情況下，施加在形成外電極31和32的導電漿料的粘性將會增加，從而不能引起所施加的導電漿料的厚度減小以及不能減小厚度偏差，這將導致可靠性的降低。
同時，因為通過使用具有低粘度的導電漿料來形成外電極，外電極的構造也許會是不均勻的，這里，將外電極的構造形成為均勻的方法不受特別限制。例如，可以通過使用很容易去除的有機涂層薄膜能夠將外電極的構造中的不均勻區域的形成控制到最小，從而獲得均勻的外電極。
在上述方法中，在陶瓷本體10上形成外電極31和32之前，可以在陶瓷本體10的表面形成能夠很容易去除的有機涂層薄膜。
接著，可以從陶瓷本體10上需要形成外電極31和32的部分上去除所述有機涂層薄膜。
然后，可以在陶瓷本體10的表面施加導電漿料以形成外電極31和32。
最后，可以從陶瓷本體10上的形成有外電極31和32的表面去除所述有機涂層薄膜，因此，在有機涂層薄膜上流動并粘附于其上的用于形成外電極的導電漿料能夠從陶瓷主體10上被去除。
圖5是根據本發明的第三種和第四種實施方式的圖2中“A”部分的放大圖。
參照圖5，根據本發明的第三種實施方式的多層陶瓷電子部件包括:陶瓷本體10 ；多個內電極21，該多個內電極21在所述陶瓷本體內層壓；以及外電極31和32，該外電極31和32形成在陶瓷本體10的外表面上并與內電極21電連接。外電極31和32的平均厚度可以為 ο μ m或更小，當外電極31和32在沿陶瓷本體10的寬度方向的中心部位處的厚度為Tc、外電極31和32在內電極21的印刷面區域的側緣處的厚度為Tl且從陶瓷本體10的寬度方向的中心部位到內電極21的印刷面區域的側緣的距離為L時，可以滿足I Tc-Tl I /L 彡 0.02。
當外電極31和32在陶瓷本體10的拐角處的最薄部分的厚度為T2時，可以滿足0.2 ^ T2/Tc ( 1.0。
外電極31和32可以包含占外電極31和32上的漿料的總重的60wt%或更少的導電金屬。
所述導電金屬可以包括從銅(Cu)、鎳(Ni)、銀(Ag)和銀-鈀(Ag-Pd)構成的組中選取的一種或多種金屬。
根據本發明的第三種實施方式的多層陶瓷電子部件中的與根據本發明的第一種和第二種實施方式的多層陶瓷電子部件的相同特征的描述將被省略。
參照圖5，根據本發明的第四種實施方式的多層陶瓷電子部件包括:陶瓷本體10 ；多個內電極21，該多個內電極21在所述陶瓷本體內層壓；以及外電極31和32，該外電極31和32形成在陶瓷本體10的外表面上并與內電極21電連接。外電極31和32的平均厚度可以為10 μ m或更小，當外電極31和32在沿陶瓷本體10的寬度方向的中心部位處的厚度為Tc、外電極31和32在內電極21的印刷面區域的側緣處的厚度為Tl、外電極31和32在陶瓷本體10的拐角處的最薄部分的厚度為T2且從陶瓷本體10的寬度方向的中心部位到內電極21的印刷面區域的側緣的距離為L時，可以滿足0.5≤Tl/Tc≤1.0、0.2≤T2/Tc < 1.0 且 I Tc-Tl I/L ( 0.02。
外電極31和32可以包含占外電極31和32上的漿料的總重的60wt%或更少的導電金屬。
所述導電金屬可以包括從銅(Cu)、鎳(Ni)、銀(Ag)和銀-鈀(Ag-Pd)構成的組中選取的至少一種金屬。
圖6顯示了根據本發明的第五種實施方式的多層陶瓷電容器的制造工藝。
參見圖6，根據本發明的第五種實施方式的多層陶瓷電子部件的制造方法包括:配制陶瓷本體,該陶瓷本體包括電介質層和多個內電極,該多個內電極彼此相對地設置，同時將電介質層插入內電極之間；配制用于外電極的導電漿料，該導電漿料包含導電金屬；將用于外電極的導電漿料施加在陶瓷本體的端部以與內電極電連接；以及燒結陶瓷本體以形成外電極。外電極的平均厚度可以為IOym或更小，且當外電極在沿陶瓷本體10的寬度方向的中心部位處的厚度為Tc，且外電極在內電極的印刷面區域的側緣處的厚度為Tl時，可以滿足 0.5 ( Tl/Tc ( 1.0。
在根據制造根據本發明的第五種實施方式的多層陶瓷電子部件的方法所制造的多層陶瓷電子部件中，外電極的平均厚度可以為ΙΟμπι或更小，并且當外電極在沿陶瓷本體10的寬度方向的中心部位處的厚度為Tc，且外電極在內電極的印刷面區域的側緣處的厚度為Tl時，可以滿足0.5≤Tl/Tc ≤ 1.0。
因此，能夠縮小外電極厚度之間的偏差，并且甚至在外電極很薄的情況下，也能夠實現多層陶瓷部件良好的可靠性。
根據本發明的第五種實施方式的多層陶瓷電子部件的特征除上述特征以外與根據本發明的第一種至第四種實施方式的多層陶瓷電子部件的特征相同，且制造根據本發明的第五種實施方式的多層陶瓷電子部件的方法與常規的制造方法相同，所以省略了對它們詳細的描述。
本發明將通過實施例描述得更加詳細；但本發明不限于這些實施例。
為了根據外電極各自位置的厚度Tc、Tl和T2與數值I Tc-Tl I/L之間的關系來測試高溫加速老化和可靠性強化，提供了包括具有平均厚度為10 μ m或更小的外電極的多層陶瓷電容器的實施例。
根據所述實施例的多層陶瓷電容器通過以下操作制造。
首先，將包含例如鈦酸鋇(BaTiO3)或類似物的粉末的漿體施加在載體薄膜上然后將其干燥以配制多個陶瓷基板，以此形成電介質層。
接著，配制包含具有平均尺寸為0.05至0.2 μ m的鎳顆粒的用于內電極的導電漿料。
為了形成內電極，通過絲網印刷法將用于內電極的導電漿料施加在多個陶瓷基板上，然后層壓具有內電極的五十個板以形成層壓材料。
之后，壓緊并切割所述層壓材料以生成具有0603標準尺寸的薄片，并在1050°C至1200°C的溫度范圍內，在降低了 0.1%或更少的氫氣的大氣環境下燒結所述薄片。
然后，使用用于外電極的導電漿料來形成外電極，該導電漿料包含具有60重量份數的導電金屬和玻璃熔塊，然后，經歷電鍍工藝或者類似工藝以制造多層陶瓷電容器。
同時，作為對比例，提供了一種常規的多層陶瓷電容器，除了外電極各自位置的厚度Tc、Tl和T2的比值和數值I Tc-Tl I/L超出了本發明的實施例限定的數值范圍外，使用相同的方法制造該多層陶瓷電容器，在下述表I中，根據多層陶瓷電容器的外電極的平均厚度，可靠性得到了比較。在溫度為85°C、濕度為85%、電壓為1.5伏的條件下進行一個小時的測試來確定可靠性。O表示可接受的可靠性，X表示可靠性不足。表I
權利要求
1.一種多層陶瓷電子部件，該多層陶瓷電子部件包括: 陶瓷本體； 多個內電極，該多個內電極在所述陶瓷本體內層壓；以及 外電極，該外電極形成在所述陶瓷本體的外表面上并與所述內電極電連接； 其中，所述外電極的平均厚度為ΙΟμπι或更小，并且 當所述外電極在沿所述陶瓷本體的寬度方向的中心部位處的厚度為Tc，且外電極在所述內電極的印刷面區域的側緣處的厚度為Tl時，滿足0.5彡Tl/Tc ( 1.0。
2.根據權利要求1所述的多層陶瓷電子部件，其中，當從所述陶瓷本體的寬度方向的中心部位到所述內電極的印刷面區域的側緣的距離為L時，滿足ITc-Tl I/L ( 0.02。
3.根據權利要求1所述的多層陶瓷電子部件，其中，當外電極在陶瓷本體的拐角處的最薄部分的厚度為T2時，滿足0.2 < T2/Tc <1.0。
4.根據權利要求1所述的多層陶瓷電子部件，其中，所述外電極包含占所述外電極上的漿料的總重的60wt%或更少的導電金屬。
5.根據權利要求4所述的多層陶瓷電子部件，其中，所述導電金屬包括從銅、鎳、銀和銀-鈀構成的組中選取的至少一種金屬。
6.一種多層陶瓷電子部件，該多層陶瓷電子部件包括: 陶瓷本體； 多個內電極，該多個內電極在所述陶瓷本體內層壓；以及 外電極，該外電極形成在所述陶瓷本體的外表面上并與所述內電極電連接； 其中，所述外電極的平均厚度為ΙΟμπι或更小，并且 當所述外電極在沿所述陶瓷本體的寬度方向的中心部位處的厚度為Tc，外電極在所述內電極的印刷面區域的側緣處的厚度為Tl且從所述陶瓷本體的寬度方向的中心部位到所述內電極的印刷面區域的側緣的距離為L時，滿足I Tc-Tl I/L彡0.02。
7.根據權利要求6所述的多層陶瓷電子部件，其中，當外電極在陶瓷本體的拐角處的最薄部分的厚度為Τ2時，滿足0.2 < T2/Tc <1.0。
8.根據權利要求6所述的多層陶瓷電子部件，其中，所述外電極包含占所述外電極上的漿料的總重的60wt%或更 少的導電金屬。
9.根據權利要求8所述的多層陶瓷電子部件，其中，所述導電金屬包括從銅、鎳、銀和銀-鈀構成的組中選取的至少一種金屬。
10.一種多層陶瓷電子部件，該多層陶瓷電子部件包括: 陶瓷本體； 多個內電極，該多個內電極在所述陶瓷本體內層壓；以及 外電極，該外電極形成在所述陶瓷本體的外表面上并與所述內電極電連接； 其中，所述外電極的平均厚度為ΙΟμπι或更小，并且 當所述外電極在沿所述陶瓷本體的寬度方向的中心部位處的厚度為Tc，外電極在所述內電極的印刷面區域的側緣處的厚度為Tl，外電極在陶瓷本體的拐角處的最薄部分的厚度為Τ2，且從所述陶瓷本體的寬度方向的中心部位到所述內電極的印刷面區域的側緣的距離為 L 時，滿足 0.5 彡 Tl/Tc ( 1.0、0.2 ( T2/Tc 彡 1.0 和 Tc-Tl |/L ( 0.02。
11.根據權利要求10所述的多層陶瓷電子部件，其中，所述外電極包含占所述外電極上的漿料的總重的60wt%或更少的導電金屬。
12.根據權利要求10所述的多層陶瓷電子部件，其中，所述導電金屬包括從銅(Cu)、鎳(Ni)、銀(Ag)和銀-1fi(Ag-Pd)構成的組中選取的至少一種金屬。
13.—種制造多層陶瓷電子部件的方法，該方法包括: 配制陶瓷本體,該陶瓷本體包括電介質層和多個內電極,該多個內電極彼此相對地設置，同時將所述電介質層插入所述內電極之間； 配制導電漿料，該導電漿料用于外電極且包含導電金屬； 將用于所述外電極的所述導電漿料施加在所述陶瓷本體的端部，以與所述內電極電連接；以及 燒結所述陶瓷本體以形成所述外電極； 其中所述外電極的平均厚度為ΙΟμπι或更??；并且 當所述外電極在沿所述陶瓷本體的寬度方向的中心部位處的厚度為Tc，且外電極在所述內電極的印刷面區域的側緣處的厚度為Tl時，滿足0.5彡Tl/Tc彡1.0。
14.根據權利要求13所述的方法，其中，當從所述陶瓷本體的寬度方向的中心部位到所述內電極的印刷面區域的側緣的距離為L時，滿足ITc-Tl I/L ( 0.02。
15.根據權利要求13所述的方法，其中，當外電極在陶瓷本體的拐角處的最薄部分的厚度為T2時，滿足0.2≤T2/Tc ( 1.0。
16.根據權利要求13所述的方法，其中，所述導電金屬包括從銅、鎳、銀和銀-鈀構成的組中選取的至少一種金屬。
17.根據權利要求13所述的方法，其中，所述外電極包含占所述導電漿料的總重的60wt%或更 少的導電金屬。
全文摘要
一種多層陶瓷電子部件，該多層陶瓷電子部件包括陶瓷本體；多個內電極，該多個內電極在所述陶瓷本體內層壓；以及外電極，該外電極形成在所述陶瓷本體的外表面上并與所述內電極電連接；其中，所述外電極的平均厚度為10μm或更小，并且當所述外電極在沿所述陶瓷本體的寬度方向的中心部位處的厚度為Tc，且外電極在所述內電極的印刷面區域的側緣處的厚度為T1時，滿足0.5≤|T1/Tc|≤1.0。
文檔編號H01G4/30GK103219150SQ20121036182
公開日2013年7月24日 申請日期2012年9月25日 優先權日2012年1月18日
發明者全炳俊, 李圭夏, 具賢熙, 金昶勛, 樸明俊 申請人:三星電機株式會社