半導體裝置制造方法
【專利摘要】一種半導體裝置，具備半導體基板、形成在上述半導體基板內的元件部、以及形成在上述半導體基板內且具有包圍上述元件部的環形狀的結末端部。進而，上述結末端部包括第1導電型的多個第1半導體區域和第2導電型的多個第2半導體區域。進而，上述多個第1半導體區域在上述結末端部的環形狀的周向上相互鄰接，寬度隨著向遠離上述元件部的方向前進而減小。進而，上述多個第2半導體區域配置在上述第1半導體區域之間，寬度隨著向遠離上述元件部的方向前進而增加。
【專利說明】半導體裝置
[0001]相關申請的交叉引用
[0002]本申請享受以日本專利申請2012-206073號(申請日:2012年9月19日)為基礎申請的優先權。本申請通過參照該基礎申請，包含基礎申請的全部內容。
【技術領域】
[0003]本發明的實施方式涉及半導體裝置。
【背景技術】
[0004]在設計電力用半導體裝置時，用于確保主耐壓的結末端部的構造較為重要。例如，在具備IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor:絕緣柵雙極型晶體管)等MOS類電力用晶體管的電力用半導體裝置中，通過降低表面電場(resurf)、保護環(guard ring)、場板(field plate)等的構造來確保主耐壓。但是,這些構造中，若隨著電路的微細化、使結末端部的寬度變窄或使結末端部內的擴散層的深度變淺來縮小結末端部的尺寸，則存在難以確保主耐壓的問題。

【發明內容】

[0005]本發明的實施方式提供一種即使結末端部的尺寸變小也能夠確保充分的耐壓的半導體裝置。
[0006]根據實施方式，半導體裝置具備半導體基板、形成在上述半導體基板內的元件部、以及形成在上述半導體基板內、具有包圍上述元件部的環形狀的結末端部。進而，上述結末端部包括第I導電型的多個第I半導體區域和第2導電型的多個第2半導體區域。進而，上述多個第I半導體區域在上述結末端部的環形狀的周向上相互鄰接，寬度隨著向遠離上述元件部的方向前進而減小。進而，上述多個第2半導體區域配置在上述第I半導體區域之間，寬度隨著向遠離上述元件部的方向前進而增加。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]圖1是表示第I實施方式的半導體裝置的構造的俯視圖以及剖視圖。
[0008]圖2是表示第I實施方式的結末端部的構造的俯視圖以及剖視圖。
[0009]圖3是表示第I實施方式的變形例的結末端部的構造的剖視圖。
[0010]圖4是表示第I實施方式的其他變形例的結末端部的構造的剖視圖。
[0011]圖5是表示第2實施方式的結末端部的構造的俯視圖以及剖視圖。
[0012]圖6是表示第2實施方式的變形例的結末端部的構造的剖視圖。
[0013]圖7是表示第2實施方式的其他變形例的結末端部的構造的剖視圖。
[0014]圖8是表示第3實施方式的結末端部的構造的俯視圖以及剖視圖。
[0015]圖9是表示第4實施方式的結末端部的構造的俯視圖以及剖視圖。【具體實施方式】
[0016](第I實施方式)
[0017]圖1是表示第I實施方式的半導體裝置的構造的俯視圖以及剖視圖。圖1 (a)是概略地表示半導體裝置的構造的俯視圖，圖1 (b)是沿著圖1 (a)的1-1’線的剖視圖。
[0018]本實施方式的半導體裝置具備半導體基板11、形成在半導體基板11內且具有電力用晶體管(例如，IGBT)的元件部1、以及形成在半導體基板11內且具有包圍元件部I的環形狀的結末端部2。
[0019]半導體基板11例如是娃基板。符號SpS2分別表不半導體基板11的第一主面(表面)和第2主面(背面)。圖1中示出了與半導體基板11的主面平行且相互垂直的X方向及Y方向、以及與半導體基板11的主面垂直的Z方向。
[0020]半導體基板11具備N_型的第I基極(base)層21、P+型的第2基極層22、N+型的源極層(發射極層)23、P+型的漏極層(集電極層)24、以及N型的緩沖層25。
[0021]第I基極層21是半導體基板11內的高電阻層。第2基極層22在元件部I內形成于第I基極層21的第一主面S1側的表面。源極層23在元件部I內形成于第2基極層22的表面。漏極層24形成于第I基極層21的第2主面S2側的表面。緩沖層25形成在第I基極層21與漏極層24之間。
[0022]此外，本實施方式的半導體裝置具備柵極絕緣膜31、柵極電極32、源極電極(發射極電極)33、以及漏極電極(集電極電極)34。
[0023]柵極絕緣膜31形成于在半導體基板11的第一主面S1上形成的溝槽的側面以及底面。柵極絕緣膜31例如是硅氧化膜。此外，柵極電極32在該溝槽內隔著柵極絕緣膜31而形成。柵極電極32例如是多晶硅層。此外，源極電極33、漏極電極34分別形成于半導體基板11的第1、第2主面Sp S2。另外，源極電極33的一部分在結末端部2內，隔著絕緣膜埋入到形成在半導體基板11的第一主面S1上的溝槽內。
[0024]( I)第I實施方式的結末端部2的構造
[0025]接著，參照圖2對第I實施方式的結末端部2的構造進行說明。
[0026]圖2是表示第I實施方式的結末端部2的構造的俯視圖以及剖視圖。圖2 (a)是表示圖1 (a)的1-1’線附近的結末端部2的構造的俯視圖，圖2 (b)是沿著圖2 Ca)的A-A’線的剖視圖。
[0027]如圖2所示，結末端部2具備:形成在半導體基板11內的P型擴散層41、N型擴散層42及N+型擴散層43 ;與柵極絕緣膜31、柵極電極32相同構造的溝槽絕緣膜44、溝槽電極45 ;絕緣膜46 ;相當于源極電極33的第I電極47 ;以及與漏極電極34為同電位的第2電極48。
[0028]P型擴散層41具有:向遠離元件部I的方向(這里為+X方向)延伸且相互在結末端部2的環形狀的周向(這里+Y方向或-Y方向)上鄰接的多個P型帶狀區域41a、以及將P型帶狀區域41a彼此連接的P型連接區域41b。各P型帶狀區域41a具有三角形的平面形狀，隨著向+X方向前進而Y方向的寬度減小。P型帶狀區域41a、P型連接區域41b分別是本公開的第I半導體區域、第I連接區域的示例，P導電型是本公開的第I導電型的示例。
[0029]N型擴散層42具有向遠離元件部I的方向(+X方向)延伸且配置在P型帶狀區域41a之間的多個N型帶狀區域42a、以及將N型帶狀區域42a彼此連接的N型連接區域42b。各N型帶狀區域42a與P型帶狀區域41a同樣具有三角形的平面形狀，但與P型帶狀區域41a不同，隨著向+X方向前進而Y方向的寬度增加。N型帶狀區域42a、N型連接區域42b分別是本公開的第2半導體區域、第2連接區域的示例，N導電型是本公開的第2導電型的示例。
[0030]N+型擴散層43配置在N型擴散層42的+X方向側。此外，溝槽絕緣膜44形成于以貫通P型連接區域41b的方式形成的溝槽的側面以及底面。此外，溝槽電極45在該溝槽內隔著溝槽絕緣膜44而形成。
[0031]絕緣膜46形成在P型擴散層41、N型擴散層42、N+型擴散層43以及溝槽電極45上。此外，第I電極47形成在絕緣膜46以及P型連接區域41b上。此外，第2電極48形成在絕緣膜46以及N+型擴散層43上。
[0032]本實施方式中，如圖2 (b)所示，N型擴散層42的N型雜質擴散至比P型擴散層41的P型雜質更深，N型擴散層42的底面位于比P型擴散層41的底面更深的位置。此外，N型擴散層42的N型雜質擴散至比N+型擴散層43的N型雜質更深，N型擴散層42的底面位于比N+型擴散層43的底面更深的位置。本實施方式中，N型擴散層42擴散至P型擴散層41及N+型擴散層43的下方的區域，與P型擴散層41、N+型擴散層43的底面接觸。
[0033]此外，本實施方式中，溝槽電極45的底面位于比P型擴散層41的底面更深的位置，并且位于與N型擴散層42的底面大致相同的深度。
[0034]本實施方式中，P型擴散層41的Z方向的厚度例如設定為2 μ m。此外，P型帶狀區域41a、N型帶狀區域42a的X方向的長度例如設定為90 μ m。此外，溝槽電極45的X方向的長度例如設定為5 μ m。`
[0035]這里，將P型擴散層41內的P型雜質的劑量(dose)表示為Cp [I / cm2]，將N型擴散層42內的N型雜質的劑量表示為Cn [I / cm2]。劑量Cp、Cn分別相當于導入到半導體基板11的主面的每單位面積中的P型雜質原子、N型雜質原子的個數。另外，P型擴散層41的下方的N型擴散層42內的N型雜質的劑量設為將該P型擴散層41內的N型雜質也包括在內的劑量。
[0036]本實施方式中，劑量Cp、Cn都均勻，在P型擴散層41、N型擴散層42內大致一定。此外，本實施方式中，劑量Cp比劑量Cn多(Cp > Cn)。例如，劑量Cp設定為劑量Cn的2倍~4 倍(2XCn ^ Cp ^ 4XCn)。
[0037]下面，接著參照圖2對如以上那樣構成結末端部2的效果進行說明。
[0038]如以上那樣，本實施方式的結末端部2具備沿著圖2的Y方向交替配置的多個P型帶狀區域41a以及多個N型帶狀區域42a。即，本實施方式的結末端部2具有所謂的超結(Super junction)構造。這樣的構造具有如下優點:即使使結末端部2的X方向的寬度變窄或使擴散層41~43的Z方向的深度變淺而縮小結末端部2的尺寸，也容易確保充分的主耐壓。
[0039]此外，本實施方式中，P型帶狀區域41a的寬度隨著向遠離元件部I的方向前進而減小，N型帶狀區域42a的寬度隨著向遠離元件部I的方向前進而增加。
[0040]因此，本實施方式的結末端部2中，在P型、N型帶狀區域41a、42a整體中將劑量平均來考慮的情況下，P型雜質的平均劑量隨著遠離元件部I而逐漸減小，N型雜質的平均劑量隨著遠離元件部I而逐漸增加。即，本實施方式的結末端部2中，實現了 P型雜質和N型雜質的劑量變化的分級。
[0041]這樣的構造具有能夠使耗盡層向遠離元件部I的方向均等地延伸的優點。因此，根據本實施方式，即使縮小結末端部2的尺寸，也更容易確保充分的主耐壓。
[0042]此外，本實施方式中，P型、N型帶狀區域41a、42a的寬度分別隨著遠離元件部I而減小、增加，因此即使將劑量Cp、Cn均勻地設定，也能夠實現如上所述的分級。因此，本實施方式中，不需要形成劑量Cp、Cn發生變化的復雜的P型、N型擴散層41、42，通過形成劑量Cp、Cn均勻的P型、N型擴散層41、42的簡單的擴散層形成處理，能夠實現如上所述的分級。
[0043]另外，本實施方式中，劑量Cp比劑量Cn多，具體而言，劑量Cp設定為劑量Cn的2倍?4倍。本實施方式中，考慮到電子和空穴的移動度的差異、及使耗盡層從P型擴散層41一側向N型擴散層42 —側延伸而進行這樣的設定。
[0044](2)第I實施方式的變形例的結末端部2的構造
[0045]接著，參照圖3和圖4對第I實施方式的變形例的結末端部2的構造進行說明。
[0046]圖3是表示第I實施方式的變形例的結末端部2的構造的剖視圖。圖3是沿著圖
2Ca)的A-A’線的剖視圖。
[0047]上述的圖2中，N型擴散層42的N型雜質擴散至比P型擴散層41的P型雜質更深，N型擴散層42的底面位于比P型擴散層41的底面更深的位置。相對于此，圖3中，N型擴散層42的底面位于與P型擴散層41的底面大致相同的深度。本實施方式中，也可以代替圖2的構造而采用圖3的構造。
[0048]另外，如圖3所示，在P型擴散層41的底面與N型擴散層42的底面位于大致相同的深度的情況下，P型擴散層41內的P型雜質的峰值濃度(I / cm3)優選設定為N型擴散層42內的N型雜質的峰值濃度(I / cm3)的2倍?4倍。
[0049]圖4是表示第I實施方式的其他變形例的結末端部2的構造的剖視圖。圖4(a)、圖4 (b)分別是沿著圖2 (a)的A-A’線，B-B’線的剖視圖。
[0050]圖4的結末端部2不具備N型擴散層42。取而代之，圖4的結末端部2中，N+型擴散層43具有:向遠離元件部I的方向(+X方向)延伸且配置在P型帶狀區域41a之間的多個N+型帶狀區域43a、以及將N+型帶狀區域43a彼此連接的N+型連接區域43b。圖4的N+型帶狀區域43a、N+型連接區域43b分別是本公開的第2半導體區域、第2連接區域的示例。
[0051 ] 圖4的N+型擴散層43的構造與圖2、圖3的N型擴散層42的構造相同。但是，圖4中，P型擴散層41的P型雜質擴散至比N+型擴散層43的N型雜質更深，P型擴散層41的底面位于比N+型擴散層43的底面更深的位置。此外，圖4中，P型擴散層41部分地擴散至N+型擴散層43的下方的區域，與N+型擴散層43的底面接觸。本實施方式中，也可以代替圖2的構造而采用圖4的構造。
[0052](3)第I實施方式的效果
[0053]最后，對第I實施方式的效果進行說明。
[0054]如以上那樣，本實施方式的結末端部2具備在結末端部2的環形狀的周向上交替配置的多個P型帶狀區域41a以及多個N型帶狀區域42a。此外，本實施方式中，P型帶狀區域41a的寬度隨著向遠離元件部I的方向前進而減小，N型帶狀區域42a的寬度隨著向遠離元件部I的方向前進而增加。[0055]因此，根據本實施方式，例如通過將結末端部2形成為P型雜質、N型雜質的平均劑量隨著遠離元件部I而逐漸變化，能夠以尺寸小的結末端部2確保充分的耐壓。
[0056]另外，本實施方式中，若P型、N型帶狀區域41a、42a的寬度分別隨著遠離元件部I而減小、增加，則P型、N型帶狀區域41a、42a的平面形狀也可以是三角形以外的形狀。例如，P型、N型帶狀區域41a、42a的平面形狀也可以分別是隨著遠離元件部I而寬度以階梯狀減小、增加的形狀。
[0057](第2實施方式)
[0058]圖5是表示第2實施方式的結末端部2的構造的俯視圖以及剖視圖。圖5 (a)是表示圖1 (a)的1-1’線附近的結末端部2的構造的俯視圖，圖5 (b)是沿著圖5 Ca)的A-A’線的剖視圖。
[0059]圖5的結末端部2具有與圖2的結末端部2相同的構造，但不具備溝槽絕緣膜44以及溝槽電極45。像這樣多個P型帶狀區域41a和多個N型帶狀區域42a交替配置的構造不僅適用于溝槽型的結末端部2，而且還能夠適用于非溝槽型的結末端部2。
[0060]圖6和圖7是表示第2實施方式的變形例的結末端部2的構造的剖視圖。
[0061]圖6、圖7的結末端部2分別除了溝槽絕緣膜44以及溝槽電極45以外，具有與圖
3、圖4的結末端部2相同的構造。像這樣，圖2?圖4的構造不僅適用于溝槽型的結末端部2，而且還能夠適用于非溝槽型的結末端部2。
[0062]根據本實施方式，與第I實施方式同樣能夠以尺寸小的結末端部2確保充分的耐壓。
[0063](第3實施方式)
[0064]圖8是表示第3實施方式的結末端部2的構造的俯視圖以及剖視圖。圖8 (a)是表示圖1 (a)的1-1’線附近的結末端部2的構造的俯視圖，圖8 (b)、圖8 (c)分別是沿著圖8 (a)的A-A’線、B-B’線的剖視圖。
[0065]圖8的結末端部2中，P型、N型帶狀區域41a、42a分別具有四角形的平面形狀，P型、N型帶狀區域41a、42a的Y方向的寬度都為一定。
[0066]此外，圖8的結末端部2中，在Y方向上相互鄰接的P型帶狀區域41a彼此之間的區域包括:在X方向上相互斷開的2個以上(這里為3個)的N型帶狀區域42a、以及埋入到這些斷開的N型帶狀區域42a彼此之間的I個以上(這里為2個)的溝槽電極52。溝槽電極52還埋入到N型帶狀區域42a與N+型擴散層43之間。這些溝槽電極52隔著溝槽絕緣膜51埋入到在半導體基板11的第一主面S1上形成的溝槽內。
[0067]另外，本實施方式中，溝槽電極52的X方向的寬度設定為比斷開的N型帶狀區域42a的X方向的寬度更短。此外，本實施方式中，溝槽電極52的底面位于比P型擴散層41、N型擴散層42的底面更深的位置，并且位于與溝槽電極45的底面大致相同的深度。但是，P型擴散層41和N型擴散層42的底面的深度也可以如在第I及第2實施方式中說明那樣，相互不同。
[0068]此外，本實施方式中，與第I及第2實施方式同樣，劑量Cp、Cn都均勻，劑量Cp比劑量Cn多，例如設定為劑量Cn的2倍?4倍。這在后述的第4實施方式中也同樣。
[0069]本實施方式的溝槽電極52用于對P型擴散層41、N型擴散層42以及N+型擴散層43內的電場、電位進行控制。此外，本實施方式的結末端部2如圖8 (b)所示，具有將由多個P型層和多個N型層構成的保護環替換為由多個溝槽電極52和多個N型帶狀區域42a構成的偽保護環的構造。因此，根據本實施方式，能夠通過這些溝槽電極52和N型帶狀區域42a，實現與保護環相同的作用，確保主耐壓。
[0070]如以上那樣，本實施方式的結末端部2具有由P型帶狀區域41a和N型帶狀區域42a形成的超結構造。此外，本實施方式的結末端部2具有由N型帶狀區域42a和溝槽電極52形成的偽保護環構造。因此，根據本實施方式，能夠通過這些構造，以尺寸小的結末端部2確保充分的耐壓。
[0071]另外，本實施方式中，P型、N型帶狀區域41a、42a的平面形狀也可以是四角形以外的形狀。
[0072](第4實施方式)
[0073]圖9是表示第4實施方式的結末端部2的構造的俯視圖以及剖視圖。圖9 (a)是表示圖1 (a)的1-1’線附近的結末端部2的構造的俯視圖，圖9 (b)、圖9 (c)分別是沿著圖9 (a)的A-A’線、B-B’線的剖視圖。
[0074]第I至第3實施方式的結末端部2中，多個P型帶狀區域41a與多個N型帶狀區域42a在水平方向上鄰接。另一方面，第4實施方式的結末端部2中，具有I個P型帶狀區域41a的P型擴散層41與具有2個以上(這里為3個)的N型帶狀區域42a的N型擴散層42在上下方向上鄰接。
[0075]具體而言，圖9的P型帶狀區域41a在半導體基板11內形成在半導體基板11的第一主面S1附近。此外，圖9的N型帶狀區域42a在半導體基板11內在Z方向(半導體基板11的深度方向)上與P型帶狀區域41a鄰接而形成，并且在X方向上相互斷開。
[0076]此外，圖9的結末端部2具備多個以貫通P型帶狀區域41a且夾持在斷開的N型帶狀區域42a彼此之間的方式配置的溝槽電極52、和配置在P型、N型擴散層41、42與N+型擴散層43之間的溝槽電極52。這些溝槽電極52隔著溝槽絕緣膜51埋入到在半導體基板11的第一主面S1上形成的溝槽內，用于對P型擴散層41、N型擴散層42以及N+型擴散層43內的電場、電位進行控制。
[0077]本實施方式的結末端部2具有由P型帶狀區域41a和N型帶狀區域42a形成的PN結構造。此外，本實施方式的結末端部2與第3實施方式同樣，具有由N型帶狀區域42a和溝槽電極52形成的偽保護環構造。因此，根據本實施方式，能夠通過這些構造，以尺寸小的結末端部2確保充分的耐壓。
[0078]對本發明的若干個實施方式進行了說明，但這些實施方式是作為示例來提示的，并不是要限定發明的范圍。這些新的實施方式能夠以其他各種形態實施，在不脫離發明的主旨的范圍能夠能夠進行各種省略、置換、變更。這些實施方式及其變形包含于發明的范圍及主旨，并且包含于權利要求所記載的發明及與其等效的范圍內。
【權利要求】
1.一種半導體裝置，具備: 半導體基板； 元件部，形成在上述半導體基板內；以及 結末端部，形成在上述半導體基板內，具有包圍上述元件部的環形狀， 上述結末端部包括第I導電型的多個第I半導體區域、以及第2導電型的多個第2半導體區域， 上述多個第I半導體區域在上述結末端部的環形狀的周向上相互鄰接，寬度隨著向遠離上述元件部的方向前進而減小， 上述多個第2半導體區域配置在上述第I半導體區域之間，寬度隨著向遠離上述元件部的方向前進而增加。
2.如權利要求1記載的半導體裝置， 上述第I半導體區域內的上述第I導電型的雜質的劑量和上述第2半導體區域內的上述第2導電型的雜質的劑量都是均勻的。
3.如權利要求1記載的半導體裝置， 上述第I半導體區域內的上述第I導電型的雜質的劑量比上述第2半導體區域內的上述第2導電型的雜質的劑量多。
4.如權利要求3記載的半導體裝置， 上述第I半導體區域內的上述第I導電型的雜質的劑量是上述第2半導體區域內的上述第2導電型的雜質的劑量的2倍`~4倍。
5.如權利要求1記載的半導體裝置， 上述第2半導體區域的底面的深度比上述第I半導體區域的底面的深度深。
6.如權利要求5記載的半導體裝置， 上述第2半導體區域與上述第I半導體區域的底面接觸。
7.如權利要求1記載的半導體裝置， 上述第I半導體區域的底面的深度比上述第2半導體區域的底面的深度深。
8.如權利要求7記載的半導體裝置， 上述第I半導體區域與上述第2半導體區域的底面接觸。
9.如權利要求1記載的半導體裝置， 上述第I半導體區域及上述第2半導體區域的平面形狀是三角形。
10.如權利要求1記載的半導體裝置， 上述結末端部還具備: 上述第I導電型的第I連接區域，連接上述第I半導體區域彼此； 上述第2導電型的第2連接區域，連接上述第2半導體區域彼此；以及 溝槽電極，隔著溝槽絕緣膜形成在以貫通上述第I連接區域的方式形成的溝槽內。
11.一種半導體裝置，具備: 半導體基板； 元件部，形成在上述半導體基板內；以及 結末端部，形成在上述半導體基板內，具有包圍上述元件部的環形狀， 上述結末端部包括第I導電型的多個第I半導體區域和第2導電型的多個第2半導體區域， 上述多個第I半導體區域在上述結末端部的環形狀的周向上相互鄰接， 上述多個第2半導體區域配置在上述第I半導體區域之間， 相互鄰接的上述第I半導體區域彼此之間的區域包括: 2個以上的上述第2半導體區域，在從上述元件部離開的方向上相互斷開；以及 1個以上的電極，埋入到斷開的上述第2半導體區域彼此之間。
12.如權利要求11記載的半導體裝置， 上述第I半導體區域內的上述第I導電型的雜質的劑量和上述第2半導體區域內的上述第2導電型的雜質的劑量都是均勻的。
13.如權利要求11記載的半導體裝置， 上述第I半導體區域內的上述第I導電型的雜質的劑量比上述第2半導體區域內的上述第2導電型的雜質的劑量多。
14.如權利要求11記載的半導體裝置， 上述第I半導體區域及上述第2半導體區域的上述周向的寬度為一定。
15.如權利要求11記載的半導體裝置， 上述電極的底面的深度比上述第2半導體區域的底面的深度深。
16.如權利要求11記載的半導體裝置， 上述電極的寬度比上述第2半導體區域的寬度小。
17.一種半導體裝置，具備: 半導體基板； 元件部，形成在上述半導體基板內；以及 結末端部，形成在上述半導體基板內，具有包圍上述元件部的環形狀， 上述結末端部包括第I導電型的第I半導體區域、第2導電型的2個以上的第2半導體區域、和I個以上的電極， 上述第I半導體區域在上述半導體基板內形成在上述半導體基板的表面附近， 上述2個以上的第2半導體區域在上述半導體基板內，在上述半導體基板的深度方向上與上述第I半導體區域鄰接而形成，在從上述元件部離開的方向上相互斷開， 上述I個以上的電極被配置成貫通上述第I半導體區域、且夾持在斷開的上述第2半導體區域彼此之間。
18.如權利要求17記載的半導體裝置， 上述第I半導體區域內的上述第I導電型的雜質的劑量和上述第2半導體區域內的上述第2導電型的雜質的劑量都是均勻的。
19.如權利要求17記載的半導體裝置， 上述第I半導體區域內的上述第I導電型的雜質的劑量比上述第2半導體區域內的上述第2導電型的雜質的劑量多。
20.如權利要求17記載的半導體裝置， 上述電極的底面的深度比上述第2半導體區域的底面的深度深。
【文檔編號】H01L29/06GK103681785SQ201310367482
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2013年8月21日 優先權日:2012年9月19日
【發明者】北川光彥 申請人:株式會社東芝