本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法。

背景技術(shù)：

1、在半導(dǎo)體裝置的制造工藝中，為了抑制柵極絕緣層的帶電，形成使電荷逃逸至半導(dǎo)體基板的非晶碳膜(例如，參照日本特開平7-245390號(hào)公報(bào))。通過形成這樣的非晶碳膜，從而在半導(dǎo)體裝置的制造工藝中，在離子注入時(shí)抑制充電。

2、但是，上述這樣的非晶碳膜在離子注入后被去除。因此，在離子注入后的工序中，擔(dān)憂柵極絕緣層帶電，柵極絕緣層劣化。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明就是為了解決上述這樣的課題而提出的，本發(fā)明的目的在于，提供抑制了柵極絕緣層的劣化的半導(dǎo)體裝置。

2、本發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置具有半導(dǎo)體基板、柵極絕緣膜、柵極電極、第1電氣配線和半導(dǎo)電性絕緣層。柵極絕緣膜形成于半導(dǎo)體基板之上。柵極電極隔著柵極絕緣膜而形成于半導(dǎo)體基板之上。第1電氣配線與柵極電極連接。半導(dǎo)電性絕緣層與柵極電極及第1電氣配線的至少任一者連接。

3、本發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法具有以下工序：準(zhǔn)備半導(dǎo)體基板；在半導(dǎo)體基板之上形成第1半導(dǎo)電性絕緣層；以及在形成第1半導(dǎo)電性絕緣層的工序之后，使半導(dǎo)體基板旋轉(zhuǎn)。

4、通過結(jié)合附圖進(jìn)行理解的、與本發(fā)明相關(guān)的以下的詳細(xì)說明，使本發(fā)明的上述及其它目的、特征、方案及優(yōu)點(diǎn)變得明確。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體裝置，其具有：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

11.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其具有以下工序：

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法。提供抑制了柵極絕緣層的劣化的半導(dǎo)體裝置。半導(dǎo)體裝置(100a)具有半導(dǎo)體基板(1)、柵極絕緣膜(2a)、柵極電極(2b)、第1電氣配線(5a)和半導(dǎo)電性絕緣層(3)。柵極絕緣膜(2a)形成于半導(dǎo)體基板(1)之上。柵極電極(2b)隔著柵極絕緣膜(2a)而形成于半導(dǎo)體基板(1)之上。第1電氣配線(5a)與柵極電極(2b)連接。半導(dǎo)電性絕緣層(3)與柵極電極(2b)及第1電氣配線(5a)的至少任一者連接。

技術(shù)研發(fā)人員：松山明日,藪押法之,油谷明榮
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三菱電機(jī)株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/4/28