1.一種陣列基板，其特征在于，包括陣列排布的多個像素區域組，每個像素區域組包括第一像素區域和第二像素區域，所述第一像素區域中設置有第一像素，所述第二像素區域中設置有第一場效應晶體管、第二場效應晶體管和第二像素，所述第一像素的面積與所述第二像素的面積不相同，所述第一像素與所述第一場效應晶體管連接，所述第二像素與所述第二場效應晶體管連接，通過調節所述第一場效應晶體管的柵極/源極電容或柵極/漏極電容，以使所述第一像素的饋通電壓與所述第二像素的饋通電壓的電壓差減小。
2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，通過增加所述第一場效應晶體管的柵極/源極電容或柵極/漏極電容，以使所述第一像素的饋通電壓與所述第二像素的饋通電壓的電壓差減小。
3.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，通過增加所述第一場效應晶體管的源極或漏極的面積，以增加所述第一場效應晶體管的源極或漏極與柵極的交疊面積，從而增加所述第一場效應晶體管的柵極/源極電容或柵極/漏極電容。
4.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，通過增加所述第一場效應晶體管的柵極的面積，以增加所述第一場效應晶體管的源極或漏極與柵極的交疊面積，從而增加所述第一場效應晶體管的柵極/源極電容或柵極/漏極電容。
5.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，每個像素區域組還包括位于所述第一像素區域之上的第三像素區域以及位于所述第二像素區域之上的第四像素區域，所述第三像素區域中設置有第三像素，所述第四像素區域中設置有第四像素，所述第一像素、所述第三像素以及所述第四像素的面積相同，所述第二像素區域中還設置有第三場效應晶體管和第四場效應晶體管，所述第三像素與所述第三場效應晶體管連接，所述第四像素與所述第四場效應晶體管連接，通過分別調節所述第三場效應晶體管和所述第四場效應晶體管的柵極/源極電容或柵極/漏極電容，以使所述第三像素的饋通電壓和所述第四像素的饋通電壓分別與所述第二像素的饋通電壓的電壓差減小。
6.根據權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，通過增加所述第三場效應晶體管的柵極/源極電容或柵極/漏極電容，以使所述第三像素的饋通電壓與所述第二像素的饋通電壓的電壓差減小，并且通過增加所述第四場效應晶體管的柵極/源極電容或柵極/漏極電容，以使所述第四像素的饋通電壓與所述第二像素的饋通電壓的電壓差減小。
7.根據權利要求6所述的陣列基板，其特征在于，通過增加所述第三場效應晶體管的源極或漏極的面積，以增加所述第三場效應晶體管的源極或漏極與柵極的交疊面積，從而增加所述第三場效應晶體管的柵極/源極電容或柵極/漏極電容；并且通過增加所述第四場效應晶體管的源極或漏極的面積，以增加所述第四場效應晶體管的源極或漏極與柵極的交疊面積，從而增加所述第四場效應晶體管的柵極/源極電容或柵極/漏極電容。
8.根據權利要求6所述的陣列基板，其特征在于，通過增加所述第三場效應晶體管的柵極的面積，以增加所述第三場效應晶體管的源極或漏極與柵極的交疊面積，從而增加所述第三場效應晶體管的柵極/源極電容或柵極/漏極電容；并且通過增加所述第四場效應晶體管的柵極的面積，以增加所述第四場效應晶體管的源極或漏極與柵極的交疊面積，從而增加所述第四場效應晶體管的柵極/源極電容或柵極/漏極電容。
9.根據權利要求5至8中任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述第二像素為白色像素，所述第一像素選自紅色像素、綠色像素和藍色像素中的任一種，所述第三像素選自紅色像素、綠色像素和藍色像素中的任一種，所述第四像素選自紅色像素、綠色像素和藍色像素中的任一種，并且所述第一像素、所述第三像素和所述第四像素的像素顏色各不相同。
10.一種顯示面板，其特征在于，包括權利要求1至9中任一項所述的陣列基板。