本發明實施例涉及觸控技術領域，尤其涉及一種陣列基板、液晶顯示面板及觸控顯示裝置。

背景技術：

目前，觸控顯示裝置中的觸控走線需要與觸控電極層對應的觸控電極塊電連接，一般利用像素電極層將觸控走線與對應的觸控電極塊進行跨橋連接，具體實現方式是利用利用像素電極層形成跨橋結構，跨橋結構通過延伸至觸控電極層的淺孔和延伸至觸控走線層的深孔，將每個觸控電極塊與觸控走線層對應的觸控走線電連接。一般對應每個觸控電極塊，同一跨橋結構對應的深孔與淺孔均位于相鄰兩行像素電極之間。

但是，對應每個觸控電極塊，將同一跨橋結構對應的深孔與淺孔設置在相鄰兩行像素電極之間，其且跨橋結構與像素電極均位于像素電極層，這樣就會使得用于制作跨橋結構的空間十分有限，導致像素電極層同層的像素電極與跨橋結構之間存在短路的風險。具體的，像素電極層的跨橋結構以及像素電極的制作工藝一般包括曝光工藝以形成相應的圖案，像素電極和跨橋結構之間的間距過小會導致曝光量不足，光刻膠因反應不充分而殘留，使得像素電極層的像素電極和跨橋結構之間出現粘連的問題，極易導致跨橋結構與像素電極之間短路，進而影響液晶顯示面板的良率。此外，隨著液晶顯示面板向高分辨率的發展，像素電極之間的間距逐漸減小，更加增加了跨橋結構與像素電極之間短路的風險。

技術實現要素：

本發明提供一種陣列基板、液晶顯示面板及觸控顯示裝置，以解決像素電極層的跨橋結構與像素電極之間短路的問題，實現降低像素電極層的跨橋結構與像素電極之間短路的風險的同時，提高液晶顯示面板制作的良率。

第一方面，本發明實施例提供了一種陣列基板，包括：

襯底基板；

位于所述襯底基板上依次設置的觸控走線層、第一絕緣層、觸控電極層、第二絕緣層和像素電極層；

所述像素電極層包括矩陣排列的多個像素電極和跨橋結構；

所述觸控電極層包括矩陣排列的多個觸控電極塊；

所述觸控走線層包括多條觸控走線；

所述觸控走線通過所述跨橋結構與對應的所述觸控電極塊電連接；

所述跨橋結構填充第一過孔和第二過孔，所述第一過孔貫穿所述第二絕緣層露出所述觸控電極塊，所述第二過孔貫穿所述第二絕緣層與所述第一絕緣層露出所述觸控走線；

所述跨橋結構位于相鄰兩列像素電極之間，且所述跨橋結構對應填充的所述第一過孔與所述第二過孔之間至少間隔一行所述像素電極。

第二方面，本發明實施例還提供了一種液晶顯示面板，包括第一方面所述的陣列基板。

第三方面，本發明實施例還提供了一種觸控顯示裝置，包括第二方面所述的液晶顯示面板。

本發明實施例提供了一種陣列基板、液晶顯示面板及觸控顯示裝置，通過在襯底基板上依次設置包括多條觸控走線的觸控走線層、第一絕緣層、包括矩陣排列的多個觸控電極塊的觸控電極層、第二絕緣層以及包括矩陣排列的多個像素電極和跨橋結構的像素電極層，設置跨橋結構位于相鄰兩列像素電極之間，填充貫穿第二絕緣層露出觸控電極塊的第一過孔以及貫穿第二絕緣層與第一絕緣層露出觸控走線的第二過孔，使得觸控走線通過跨橋結構與對應的觸控電極塊電連接，同時設置跨橋結構對應填充的第一過孔與第二過孔之間至少間隔一行像素電極，相對于現有技術大大增加了同一跨橋結構對應填充的第一過孔與第二過孔之間的距離，也就增加了像素電極層的跨橋結構與像素電極之間的距離，降低了像素電極層的跨橋結構與像素電極之間短路的風險，提高了液晶顯示面板制作的良率。另一方面，本發明實施例通過設置跨橋結構位于相鄰兩列像素電極之間，且跨橋結構對應填充的第一過孔與第二過孔之間至少間隔一行像素電極，減小了位于跨橋結構兩側相鄰像素電極之間的電性干擾，提高了液晶顯示面板的顯示質量。

附圖說明

通過閱讀參照以下附圖所作的對非限制性實施例所作的詳細描述，本申請的其它特征、目的和優點將會變得更明顯：

圖1為本發明實施例提供的一種陣列基板的俯視結構示意圖；

圖2為沿圖1中AA’方向的剖面結構示意圖；

圖3為本發明實施例提供的一種液晶顯示面板的結構示意圖；

圖4為本發明實施例提供的一種觸控顯示裝置的結構示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖和實施例對本發明作進一步的詳細說明。可以理解的是，此處所描述的具體實施例僅僅用于解釋本發明，而非對本發明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發明相關的部分而非全部結構。貫穿本說明書中，相同或相似的附圖標號代表相同或相似的結構、元件或流程。需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請中的實施例及實施例中的特征可以相互組合。

本發明實施例提供了一種陣列基板，包括襯底基板，位于襯底基板上依次設置的觸控走線層、第一絕緣層、觸控電極層、第二絕緣層和像素電極層，像素電極層包括矩陣排列的多個像素電極和跨橋結構，觸控電極層包括矩陣排列的多個觸控電極塊，觸控走線層包括多條觸控走線，觸控走線通過跨橋結構與對應的觸控電極塊電連接，跨橋結構填充第一過孔和第二過孔，第一過孔貫穿第二絕緣層露出觸控電極塊，第二過孔貫穿第二絕緣層與第一絕緣層露出觸控走線，跨橋結構位于相鄰兩列像素電極之間，且跨橋結構對應填充的第一過孔與第二過孔之間至少間隔一行像素電極。

連接液晶顯示面板中觸控電極層的每個觸控電極塊與對應觸控走線的跨橋結構，若其填充的延伸至觸控電極層的淺孔和延伸至觸控走線層的深孔位于相鄰兩行像素電極之間，會使得用于制作跨橋結構的空間十分有限，使用曝光工藝對像素電極層中的跨橋結構與像素電極進行制作時，跨橋結構與像素電極之間的間距較小，會導致曝光量不足，光刻膠因反應不充分而殘留，導致像素電極層的跨橋結構與像素電極之間存在短路的風險，進而影響液晶顯示面板的良率。此外，液晶顯示面板的分辨率越高，像素電極層的跨橋結構和像素電極之間的間距越小，跨橋結構與像素電極之間出現短路的風向也就越大。

本發明實施例提供了一種陣列基板，通過在襯底基板上依次設置包括多條觸控走線的觸控走線層、第一絕緣層、包括矩陣排列的多個觸控電極塊的觸控電極層、第二絕緣層以及包括矩陣排列的多個像素電極和跨橋結構的像素電極層，設置跨橋結構位于相鄰兩列像素電極之間，填充貫穿第二絕緣層露出觸控電極塊的第一過孔以及貫穿第二絕緣層與第一絕緣層露出觸控走線的第二過孔，使得觸控走線通過跨橋結構與對應的觸控電極塊電連接，同時設置跨橋結構對應填充的第一過孔與第二過孔之間至少間隔一行像素電極，相對于現有技術將第一過孔和第二過孔設置在兩行像素電極之間，設置跨橋結構對應填充的第一過孔和第二過孔之間間隔至少一行像素電極，大大增加了跨橋結構對應填充的第一過孔與第二過孔之間的距離，也就增加了像素電極層的跨橋結構與像素電極之間的距離，避免了使用曝光工藝制作像素電極層的跨橋結構與像素電極時的短路問題，降低了像素電極層的跨橋結構與像素電極之間短路的風險，提高了液晶顯示面板制作的良率。另一方面，本發明實施例通過設置跨橋結構位于相鄰兩列像素電極之間，且跨橋結構對應填充的第一過孔與第二過孔之間至少間隔一行像素電極，跨橋結構能夠使位于跨橋結構兩側相鄰像素電極之間的電場截止，進而減小了位于跨橋結構兩側相鄰像素電極之間的電性干擾，提高了液晶顯示面板的顯示質量。

以上是本發明的核心思想，下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下，所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。

圖1為本發明實施例提供的一種陣列基板的俯視結構示意圖，圖2為沿圖1中AA’的剖面結構示意圖。結合圖1和圖2，陣列基板包括襯底基板10，位于襯底基板10上依次設置的觸控走線層11、第一絕緣層12、觸控電極層13、第二絕緣層14和像素電極層15，像素電極層15包括矩陣排列的多個像素電極151和跨橋結構152，觸控電極層13包括矩陣排列的多個觸控電極塊131，觸控走線層11包括多條觸控走線，觸控走線通過跨橋結構152與對應的觸控電極塊131電連接，跨橋結構152填充第一過孔161和第二過孔162，第一過孔161貫穿第二絕緣層14露出觸控電極層13的觸控電極塊131，第二過孔162貫穿第二絕緣層14與第一絕緣層12露出觸控走線層11的觸控走線，跨橋結構152位于相鄰兩列像素電極151之間，且跨橋結構152對應填充的第一過孔161與第二過孔162之間至少間隔一行像素電極151。

可選的，同一跨橋結構152對應填充的第一過孔161與第二過孔162之間的距離范圍可以是[40μm-160μm]。示例性的，可以使用曝光工藝制作像素電極151和跨橋結構152，由于像素電極層15包括矩陣排列的多個像素電極151和跨橋結構152，若同一跨橋結構152對應填充的第一過孔161與第二過孔162之間的距離過小，可能導致曝光能量不足，光刻膠因反應不充分而殘留，使得像素電極層15的像素電極151和跨橋結構152之間出現粘連的問題，極易導致像素電極層15的跨橋結構152與像素電極151之間出現短路的情況，影響液晶顯示面板的良率。

可選的，觸控電極塊131可以復用為公共電極。當該陣列基板所在的液晶顯示面板進行顯示時，觸控電極塊131復用為公共電極，與像素電極151共同控制液晶分子的偏轉，進而控制該陣列基板所在的液晶顯示面板的顯示。當對該陣列基板所在的液晶顯示面板進行觸摸操作時，公共電極也可以復用為觸控電極塊131，觸控電極塊131與觸控走線層11的觸控走線一一對應設置，并可以通過過孔與觸控走線一一電連接。

可選的，第一過孔161和第二過孔162的直徑范圍可以是[2μm-4μm]。具體的，若第一過孔161的直徑過小，可能會導致跨橋結構152無法通過貫穿第二絕緣層14的第一過孔161與觸控電極層13的觸控電極塊131之間良好接觸；同樣的，若第二過孔162的直徑過小，可能會導致跨橋結構152無法通過貫穿第一絕緣層12和第二絕緣層14的第二過孔162與觸控走線層11的觸控走線的良好接觸，也就無法保證觸控電極塊131與觸控電極層13的觸控走線一一電連接。若跨橋結構152對應填充的第一過孔161或第二過孔162的直徑過大，可能會導致第一過孔161或第二過孔162存在裸露的部分，同樣會使得跨橋結構152無法與觸控電極塊131和觸控走線層11的觸控走線良好接觸，導致部分觸控電極塊131無法與觸控走線層11相應的觸控走線電連接。

可選的，觸控電極塊131設置有開槽結構17，跨橋結構152填充第二過孔162的部分，以及跨橋結構152位于第一過孔161和第二過孔162之間的部分，在觸控電極塊131上的正投影位于開槽結構17內。如圖1所示，所述開槽結構17包括對應跨橋結構152填充第二過孔162部分的開槽結構171，以及對應跨橋結構152填充第一過孔161與第二過孔162之間部分的開槽結構172。開槽結構171能夠實現跨橋結構152通過第二過孔162與位于觸控電極塊131下方的觸控走線層11接觸，開槽結構172能夠有效減小觸控電極塊131與跨橋結構152之間的耦合電容，提高該陣列基板所在的液晶顯示面板的顯示質量。

可選的，與跨橋結構152位于第一過孔161與第二過孔162之間的部分對應的開槽結構172的寬度范圍可以是[2μm-4μm]。為保證能夠充分減小觸控電極塊131與跨橋結構152之間的耦合電容，需保證觸控電極塊131對應跨橋結構152填充第一過孔161與第二過孔162之間部分設置的開槽結構172的寬度不能過小。同時，由于跨橋結構152位于相鄰兩列像素電極151之間，觸控電極塊131對應跨橋結構152填充第一過孔161與第二過孔162之間部分設置的開槽結構172同樣位于相鄰兩列像素電極151之間，因此觸控電極塊131對應跨橋結構152填充第一過孔161與第二過孔162之間部分設置的開槽結構172的寬度不能過大，避免覆蓋左右相鄰的像素電極151，影響該陣列基板所在的液晶顯示面板的正常顯示。

可選的，跨橋結構152與觸控電極層13的接觸電阻的范圍可以是[100Ω-1000Ω]，跨橋結構152與觸控走線層11的接觸電阻的范圍可以是[100Ω-1000Ω]。相對于現有技術中將跨橋結構152對應填充的第一過孔161與第二過孔162設置在相鄰兩行像素電極151之間，使跨橋結構152對應填充的第一過孔161與第二過孔162之間至少間隔一行像素電極151，在增加像素電極層15的跨橋結構152與像素電極151之間的距離之外，還可以增加第一過孔161與第二過孔162的直徑，進而增加跨橋結構152與觸控電極層13的觸控電極塊131和觸控走線層11的接觸面積，以減小跨橋結構152通過第一過孔161與觸控電極塊131之間的接觸電阻，以及跨橋結構152通過第二過孔162與觸控走線層11之間的接觸電阻。若跨橋結構152與觸控電極層13的觸控電極塊131和觸控走線層11之間的接觸電阻過大，會間接導致觸控電極塊131與觸控走線層11的對應觸控走線之間的接觸電阻過大，進而使得觸控走線提供給對應觸控電極塊131的觸控信號增大，使得液晶顯示面板的功耗增加，同時過大的接觸電阻還會影響觸控信號的穩定性。

可選的，跨橋結構152的電阻范圍是[300Ω-500Ω]。觸控走線層11的觸控走線需要通過填充第一過孔161與第二過孔162之間的跨橋結構152連接對應的觸控電極塊131，如果跨橋結構152的電阻過大，可能會造成觸控走線傳送的觸控信號存在較大的延遲，甚至導致觸控信號存在失真的情況，影響液晶顯示面板的顯示質量。

可選的，觸控走線層11靠近襯底基板10的一側還可以包括數據走線層，數據走線層包括多條數據走線，每條數據走線可以通過過孔19連接對應的像素電極151，用于給像素電極151提供相應的數據信號，為了實現像素電極151與數據走線層中對應數據走線的電連接，觸控電極塊131上對應像素電極151與對應數據走線電連接的位置設置有開槽結構18。需要說明的是，由于開槽結構171和開槽結構18處于同一延伸方向上，圖1只是示例性的將開槽結構171和開槽結構18合并設置，也可以獨立設置，本發明實施例對此不作限定。

需要說明的是，本發明實施例示附圖只是示例性的表示各元件的大小以及各膜層的厚度，并不代表顯示面板中各元件以及各膜層實際尺寸。

本發明實施例提供了一種陣列基板，通過在襯底基板10上依次設置包括多條觸控走線的觸控走線層11、第一絕緣層12、包括矩陣排列的多個觸控電極塊131的觸控電極層13、第二絕緣層14以及包括矩陣排列的多個像素電極151和跨橋結構152的像素電極層15，設置跨橋結構152位于相鄰兩列像素電極151之間，填充貫穿第二絕緣層14露出觸控電極層13的觸控電極塊131的第一過孔161以及貫穿第二絕緣層14與第一絕緣層12露出觸控走線層11的觸控走線的第二過孔162，使得觸控走線通過跨橋結構152與對應的觸控電極塊131電連接，同時設置跨橋結構152對應填充的第一過孔161與第二過孔162之間至少間隔一行像素電極151，相對于現有技術大大增加了跨橋結構152對應填充的第一過孔161與第二過孔162之間的距離，也就增加了像素電極層15圖案之間的距離，降低了跨橋結構152與像素電極151之間短路的風險，提高了該陣列基板所在液晶顯示面板制作的良率。另一方面，本發明實施例通過設置跨橋結構152位于相鄰兩列像素電極151之間，且跨橋結構152對應填充的第一過孔161與第二過孔162之間至少間隔一行像素電極151，減小了位于跨橋結構152兩側相鄰像素電極151之間的電性干擾，提高了該陣列基板所在液晶顯示面板的顯示質量。

本發明實施例還提供的一種液晶顯示面板，圖3為本發明實施例提供的一種液晶顯示面板的結構示意圖。如圖3所示，液晶顯示面板20包括上述實施例中的陣列基板201，因此本發明實施例提供的液晶顯示面板20也具備上述實施例中所描述的有益效果，此處不再贅述。

本發明實施例還提供了一種觸控顯示裝置，圖4為本發明實施例提供的一種觸控顯示裝置的結構示意圖。如圖4所示，觸控顯示裝置包括上述實施例中的液晶顯示面板20，因此本發明實施例提供的觸控顯示裝置也具備上述實施例中所描述的有益效果，此處不再贅述。

注意，上述僅為本發明的較佳實施例及所運用技術原理。本領域技術人員會理解，本發明不限于這里所述的特定實施例，對本領域技術人員來說能夠進行各種明顯的變化、重新調整和替代而不會脫離本發明的保護范圍。因此，雖然通過以上實施例對本發明進行了較為詳細的說明，但是本發明不僅僅限于以上實施例，在不脫離本發明構思的情況下，還可以包括更多其他等效實施例，而本發明的范圍由所附的權利要求范圍決定。