技術特征：

1.一種碳化硅硬質膜的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供襯底；以及

將所述襯底置于磁控濺射設備腔體內，真空條件下，以含有碳原子數為1～4的有機氣體為反應氣體，以含有氬氣的氣體為工藝氣體，采用硅靶作為濺射靶材，控制反應溫度為100℃～300℃，在所述襯底上磁控濺射沉積碳化硅硬質膜。

2.根據權利要求1所述的碳化硅硬質膜的制備方法，其特征在于，所述反應氣體與所述工藝氣體的體積比為0.4～4:1。

3.根據權利要求1所述的碳化硅硬質膜的制備方法，其特征在于，所述碳原子數為1～4的有機氣體選自甲烷和乙炔中的至少一種。

4.根據權利要求1或3所述的碳化硅硬質膜的制備方法，其特征在于，所述反應氣體為甲烷或者乙炔，所述工藝氣體為氬氣，所述甲烷或者乙炔占所述工藝氣體和所述反應氣體總體積百分含量的30％～80％。

5.根據權利要求1所述的碳化硅硬質膜的制備方法，其特征在于，所述硅靶中硅的百分含量為99％以上。

6.根據權利要求1所述的碳化硅硬質膜的制備方法，其特征在于，所述在所述襯底上磁控濺射沉積碳化硅硬質膜的操作中，濺射功率為2kW～5kW。

7.根據權利要求1所述的碳化硅硬質膜的制備方法，其特征在于，所述真空條件的真空度為1×10^-3mbar～5×10^-3mbar。

8.根據權利要求1所述的碳化硅硬質膜的制備方法，其特征在于，所述碳化硅硬質膜的厚度為以下。

9.根據權利要求1所述的碳化硅硬質膜的制備方法，其特征在于，所述襯底為玻璃基板。

10.一種玻璃，其特征在于，包括玻璃基板以及層疊在所述玻璃基板上的碳化硅硬質膜，其中，所述碳化硅硬質膜采用如權利要求1～9任一項所述的碳化硅硬質膜的制備方法制備得到。