1.一種利用二氧化錫制備Si納米線多線陣列的方法，其特征在于，包括以下步驟：
1)催化生長硅納米線的金屬氧化物SnO2的制備：
將摻氟氧化錫涂層導電玻璃作為襯底，并置于等離子體增強化學氣相沉積裝置的真空腔內的下極靶樣品臺上；抽至真空，同時加熱襯底；再通入Ar氣并電離成等離子體，同時采用流動的Ar氣調節真空腔內的壓強維持在10-100Pa；然后通入SiH4和H2，摻氟氧化錫涂層導電玻璃上的摻氟氧化錫涂層融化成直徑大于0.5μm且小于等于0.8μm的液相SnO2球體；
2)根據固-液-氣生長原理催化生長硅納米線：
在真空下，加熱到沉積溫度450-750℃，并以沉積功率為10-75W、沉積壓強為80-140Pa、沉積時間為50-90min、靶間距離為2.5-3cm進行沉積，得到Si納米線多線陣列。
2.根據權利要求1所述的一種利用二氧化錫制備Si納米線多線陣列的方法，其特征在于，摻氟氧化錫涂層導電玻璃上摻氟氧化錫涂層的厚度大于0.4μm且小于等于0.6μm。
3.根據權利要求1所述的一種利用二氧化錫制備Si納米線多線陣列的方法，其特征在于，加熱襯底的溫度為200-350℃，加熱的時間為3-8分鐘。
4.根據權利要求1所述的一種利用二氧化錫制備Si納米線多線陣列的方法，其特征在于，SiH4的流量為2-20Sccm，H2的流量為10-100Sccm。
5.根據權利要求1所述的一種利用二氧化錫制備Si納米線多線陣列的方法，其特征在于，步驟1)和步驟2)中的真空度均為1×10-4Pa。
6.根據權利要求1所述的一種利用二氧化錫制備Si納米線多線陣列的方法，其特征在于，進行步驟1)前，將摻氟氧化錫導電玻璃于室溫下置于無水乙醇中超聲波震蕩去除摻氟氧化錫導電玻璃表面的污漬。