技術總結
一種利用二氧化錫制備Si納米線多線陣列的方法，將摻氟氧化錫涂層導電玻璃作為襯底，并置于等離子體增強化學氣相沉積裝置的真空腔內的下極靶樣品臺上；抽至真空，同時加熱襯底；再通入Ar氣并電離成等離子體，同時采用流動的Ar氣調節真空腔內的壓強維持在10?100Pa；然后通入SiH4和H2，摻氟氧化錫涂層導電玻璃上的摻氟氧化錫涂層融化成直徑為0.5?0.8μm的液相SnO2球體；在真空下，進行沉積，得到Si納米線多線陣列。本發明創新性的利用摻氟氧化錫層導電玻璃上的摻氟氧化錫層來提供SnO2，并且SnO2作為催化劑生長硅納米線，達到原位生長效果。本發明工藝簡單，成本低，且能夠實現批量生產。

技術研發人員：秦毅;馬寧;朱建鋒;趙婷;張佩;王雷;方媛;侯小江
受保護的技術使用者：陜西科技大學
文檔號碼：201611140651
技術研發日：2016.12.12
技術公布日：2017.05.10