本技術屬于夾具，尤其涉及一種磁控濺射鍍膜托盤。

背景技術：

1、釹鐵硼永磁體應用越來越廣泛，對性能的要求也越來越高。目前采用磁控濺射鍍膜再進行晶界擴散的方式來提高產品性能。磁控濺射工藝中常用的夾具是活動夾具，通過推動夾頭夾持鍍件，當鍍件規格偏小或者偏大時都會導致某個區域排列的鍍件松動，導致因夾持不穩定導致鍍件灑落在設備內部造成損失的情況。其次是裝放鍍件時需要手扶穩定，裝放十分不便。因此需要一款能夠適應不同尺寸，夾持穩定的鍍膜托盤。

2、公告號為cn210001921u的專利文件公開了一種用于稀土永磁磁控濺射鍍膜的托盤，包括：托板；擋板，所述擋板設于所述托板的一側的周壁上；加強板，所述加強板設于所述托板的另一側，所述加強板上設有若干通孔。但該托盤不適用于軸線旋轉鍍膜工藝。

技術實現思路

1、為解決上述技術問題，本實用新型提供了一種磁控濺射鍍膜托盤。

2、本實用新型通過以下技術方案得以實現。

3、本實用新型提供的一種磁控濺射鍍膜托盤，包括底盤、固定盤和頂盤，所述固定盤兩側分別與頂盤連接，所述底盤與固定盤一側的頂盤連接，所述底盤與固定盤和頂盤通過螺絲連接，底盤包括外圓和內圓a，所述外圓和內圓a通過連接桿a連接。

4、優選地，所述內圓a上設置通孔a，所述通孔a呈半圓形，所述連接桿a上設置螺孔。

5、優選地，所述固定盤包括連接桿a、內圓b和外環，所述內圓b與連接桿a連接，所述連接桿a通過連接桿b與外環連接。

6、優選地，所述頂盤包括外圓和內圓b，所述外圓和內圓b通過連接桿a連接，連接桿a呈十字分布設置在頂盤上。

7、優選地，所述連接桿a呈十字分布設置在底盤上。

8、優選地，所述內圓b上設置通孔b。

9、優選地，所述連接桿a呈十字分布設置在固定盤上。

10、優選地，所述外環的直徑大于外圓的直徑。

11、本實用新型的有益效果在于：

12、本實用新型可通過在螺絲上設置不同數量的墊片來調整底盤、固定盤和頂盤之間的距離，進而適應不同尺寸的鍍件；通過設置不同直徑的外環，以適應不同厚度的鍍件。托盤所用材料均為不銹鋼材料，具有耐腐蝕，耐高溫的優點，且連接桿連接內、外圓的設置減輕了托盤的重量，降低了制作成本。

技術特征：

1.一種磁控濺射鍍膜托盤，其特征在于：包括底盤(1)、固定盤(2)和頂盤(3)，所述固定盤(2)兩側分別與頂盤(3)連接，所述底盤(1)與固定盤(2)一側的頂盤(3)連接，所述底盤(1)與固定盤(2)和頂盤(3)通過螺絲連接，底盤(1)包括外圓(4)和內圓a(11)，所述外圓(4)和內圓a(11)通過連接桿a(5)連接。

2.如權利要求1所述的一種磁控濺射鍍膜托盤，其特征在于：所述內圓a(11)上設置通孔a(12)，所述通孔a(12)呈半圓形，所述連接桿a(5)上設置螺孔(6)。

3.如權利要求1所述的一種磁控濺射鍍膜托盤，其特征在于：所述固定盤(2)包括連接桿a(5)、內圓b(7)和外環(8)，所述內圓b(7)與連接桿a(5)連接，所述連接桿a(5)通過連接桿b(9)與外環(8)連接。

4.如權利要求1所述的一種磁控濺射鍍膜托盤，其特征在于：所述頂盤(3)包括外圓(4)和內圓b(7)，所述外圓(4)和內圓b(7)通過連接桿a(5)連接，連接桿a(5)呈十字分布設置在頂盤(3)上。

5.如權利要求1所述的一種磁控濺射鍍膜托盤，其特征在于：所述連接桿a(5)呈十字分布設置在底盤(1)上。

6.如權利要求3或4所述的一種磁控濺射鍍膜托盤，其特征在于：所述內圓b(7)上設置通孔b(71)。

7.如權利要求3所述的一種磁控濺射鍍膜托盤，其特征在于：所述連接桿a(5)呈十字分布設置在固定盤(2)上。

8.如權利要求3所述的一種磁控濺射鍍膜托盤，其特征在于：所述外環(8)的直徑大于外圓(4)的直徑。

技術總結
本技術公開了一種磁控濺射鍍膜托盤，包括底盤、固定盤和頂盤，所述固定盤兩側分別與頂盤連接，所述底盤與固定盤一側的頂盤連接，所述底盤與固定盤和頂盤通過螺絲連接，底盤包括外圓和內圓A，所述外圓和內圓A通過連接桿A連接。本技術可通過在螺絲上設置不同數量的墊片來調整底盤、固定盤和頂盤之間的距離，進而適應不同尺寸的鍍件；通過設置不同直徑的外環，以適應不同厚度的鍍件。托盤所用材料均為不銹鋼材料，具有耐腐蝕，耐高溫的優點，且連接桿連接內、外圓的設置減輕了托盤的重量，降低了制作成本。

技術研發人員：莫志林,雷軍,羅昭偉,梁華智,周洋,謝覺
受保護的技術使用者：中稀(廣西)金源稀土新材料有限公司
技術研發日：20240424
技術公布日：2025/4/28