1.一種多晶金剛石復(fù)合感壓薄膜，其特征在于：所述復(fù)合感壓薄膜由襯底及襯底單側(cè)表面分布的多晶金剛石薄膜組成；
襯底為硅片、鋁片、鈦片或不銹鋼片，多晶金剛石薄膜通過微波等離子體化學(xué)氣相沉積法在襯底上生長得到。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多晶金剛石復(fù)合感壓薄膜，其特征在于：所述復(fù)合感壓薄膜為圓形，直徑為50mm～70mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種多晶金剛石復(fù)合感壓薄膜，其特征在于：襯底厚度為100μm以下；多晶金剛石薄膜厚度為20μm以下。
4.一種如權(quán)利要求1～3任一項所述的多晶金剛石復(fù)合感壓薄膜的制備方法，其特征在于：所述方法步驟如下：
步驟一、使用金剛石粉對襯底單側(cè)表面進行研磨，磨出均勻劃痕，使襯底表面變得粗糙，得到預(yù)處理后襯底；
步驟二、將潔凈的預(yù)處理后襯底放置于壓力為0.1Pa～0.01Pa的真空環(huán)境下，然后預(yù)熱至200℃～300℃，通入氫氣，當(dāng)壓力達(dá)到10000Pa～13000Pa，加入微波激發(fā)氫氣起輝，再通入甲烷和氮氣，調(diào)節(jié)微波功率為1800W～2000W，加熱至700℃～900℃進行多晶金剛石薄膜的沉積，得到所述的一種多晶金剛石復(fù)合感壓薄膜；
其中，氫氣、甲烷和氮氣的流量比為(450～500):(5～10):(0.8～1)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種多晶金剛石復(fù)合感壓薄膜的制備方法，其特征在于：金剛石粉的平均粒度小于等于1μm；粗糙度小于等于0.5μm；加入功率為100W～200W的微波激發(fā)氫氣起輝。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種多晶金剛石復(fù)合感壓薄膜的制備方法，其特征在于：通過將預(yù)處理后襯底用無水乙醇擦干，超聲清洗得到潔凈的預(yù)處理后襯底。
7.一種電容薄膜真空規(guī)，其特征在于：所述電容薄膜真空規(guī)中，復(fù)合感壓膜片為如權(quán)利要求1～3任一項所述的一種多晶金剛石復(fù)合感壓薄膜。
8.一種電容薄膜真空規(guī)，所述電容薄膜真空規(guī)為專利號為“201210451437”，發(fā)明名稱為“抗熱變形的電容薄膜式壓力傳感器”中所述的電容薄膜式壓力傳感器，其特征在于：復(fù)合感壓膜片(3)為如權(quán)利要求1～3任一項所述的一種多晶金剛石復(fù)合感壓薄膜。