技術總結
本發明涉及一種多晶金剛石復合感壓薄膜、其制備方法及電容薄膜真空規，屬于真空測量技術領域。所述復合感壓薄膜由襯底及襯底單側表面分布的多晶金剛石薄膜組成；襯底為硅片、鋁片、鈦片或不銹鋼片，多晶金剛石薄膜通過MPCVD在襯底上生長得到。通過用金剛石粉對襯底表面研磨粗糙后，真空下預熱，通氫氣，調真空度，微波激發氫氣起輝，通甲烷和氮氣，調整微波功率，加熱進行多晶金剛石薄膜沉積，得到所述復合感壓薄膜。可實現不同基底上生長多晶金剛石薄膜作為復合感壓薄膜，耐受各種溫度下氧化性酸及腐蝕性氣體，克服了傳統感壓薄膜膜片變形導致的測量誤差，多晶金剛石薄膜機械性能好，有助于擴展電容薄膜真空規測量范圍及靈敏度。

技術研發人員：裴曉強;馮焱;孫雯君;郭美如;袁征難;馬亞芳;丁棟;楊利
受保護的技術使用者：蘭州空間技術物理研究所
文檔號碼：201610796592
技術研發日：2016.08.31
技術公布日：2017.02.15