技術特征：

技術總結
本發明涉及一種定向生長的二氧化鈦納米簇陣列的制備方法，屬于納米材料制備技術領域，其特征在于可通過如下技術方案實現：利用雙光束或多光束激光干涉光路系統，對清洗過的FTO導電基底進行激光干涉光刻刻蝕，將預圖案化的FTO導電基底放進由去離子水、鈦酸四丁酯、濃硫酸組成的溶液中進行水熱反應，通過恒溫干燥箱加熱，制備出定向生長的二氧化鈦納米簇陣列。二氧化鈦納米簇陣列的生長周期可通過改變激光干涉光刻的參數，使其周期從納米級到微米級可調，二氧化鈦納米線的直徑和長度可通過改變水熱法的加熱時間和加熱溫度進行調節。

技術研發人員：王作斌;寧曉輝;丁然;孟慶玲;韓永路;周東陽;李理;曹亮;翁占坤;董莉彤;宋正勛
受保護的技術使用者：長春理工大學
技術研發日：2017.07.07
技術公布日：2017.09.08