本公開涉及壓力傳感器，具體地涉及對不期望刺激具有改善的抑制的mems(“微機電系統”)類型的壓力傳感器。

背景技術：

1、已知mems壓力傳感器具有被配置為根據待測量的外部壓力而變形的膜。通過例如通過壓電電阻器檢測膜的變形，可以獲得外部壓力的測量值。

2、然而，如已知的，mems壓力傳感器受到不期望的機械刺激，該機械刺激可能引起膜的寄生(spurious)的、不期望的變形。這引起mems壓力傳感器的低檢測精確度。

3、不期望的機械刺激可以被劃分成：外部刺激，例如，其上安裝有壓力傳感器的pcb的彎曲、壓力傳感器封裝的熱膨脹、濕度等；以及內部刺激，例如，形成壓力傳感器的材料的熱膨脹和遵循溫度變化的殘余機械應力的滯后。

4、根據一種方法，膜被形成為相對于壓力傳感器的本體懸置的結構。這允許膜與外部機械刺激去耦合。然而，在該方法中，膜仍對內部機械刺激敏感。

5、根據不同的方法，mems壓力傳感器包括另一膜，該另一膜被配置為不根據外部壓力而變形。該另一膜可以被用作抵消由內部機械刺激引起的變形貢獻的參考。然而，該另一膜不根據待測量的壓力而變形的事實使得壓力傳感器具有低靈敏度和高面積占用。

技術實現思路

1、根據本公開，因此提供了一種壓力傳感器。該壓力傳感器具有：本體，具有第一室和第二室，第二室與第一室氣密性分離；第一檢測結構，布置在第一室中，具有第一可變形元件和在第一檢測結構內的第一掩埋腔，其中第一可變形元件被配置為根據第一室與第一掩埋腔之間的壓力差而經歷變形。該傳感器還具有第二檢測結構，第二檢測結構布置在第二室中，具有第二可變形元件和在第二檢測結構內的第二掩埋腔，其中第二可變形元件被配置為根據第二室與第二掩埋腔之間的壓力差而經歷變形。該傳感器還具有：第一通道，延伸到本體中并且被配置為將第一掩埋腔與第二室流體耦合；以及第二通道，延伸到本體中并且被配置為將第二掩埋腔流體耦合到第一室。

技術特征：

1.一種壓力傳感器，包括：

2.根據權利要求1所述的壓力傳感器，其中所述第一可變形元件具有面向所述第一掩埋腔的第一面以及與所述第一面相對并且面向所述第一室的第二面，并且其中所述第二可變形元件具有面向所述第二掩埋腔的第一面以及與所述第一面相對并且面向所述第二室的第二面。

3.根據權利要求1所述的壓力傳感器，其中所述第一檢測結構是懸置在所述第一室中的結構。

4.根據權利要求3所述的壓力傳感器，其中所述第二檢測結構是懸置在所述第二室中的結構。

5.根據權利要求1所述的壓力傳感器，包括延伸穿過所述本體的至少一個開口，所述至少一個開口將所述第一室和所述第二室中的一者與外部壓力耦合。

6.根據權利要求5所述的壓力傳感器，還包括第二開口，所述第二開口延伸穿過所述本體并且將所述第二室與第二外部壓力流體耦合，并且其中所述至少一個開口是將所述第一室與所述外部壓力流體耦合的第一開口。

7.根據權利要求1所述的壓力傳感器，其中所述本體包括下襯底、上襯底、以及將所述上襯底與所述下襯底氣密性耦合的鍵合區域。

8.根據權利要求1所述的壓力傳感器，還包括至少一個第一換能元件和至少一個第二換能元件，所述至少一個第一換能元件被配置為在操作中檢測所述第一可變形元件的變形，所述至少一個第二換能元件被配置為在操作中檢測所述第二可變形元件的變形。

9.根據權利要求8所述的壓力傳感器，其中所述至少一個第一換能元件對所述第一可變形元件的變形方向敏感，并且所述至少一個第二換能元件對所述第二可變形元件的變形方向敏感。

10.根據權利要求8所述的壓力傳感器，其中所述至少一個第一換能元件是壓電電阻器。

11.根據權利要求10所述的壓力傳感器，其中所述至少一個第二換能元件是壓電電阻器。

12.根據權利要求1所述的壓力傳感器，還包括檢測電路，所述檢測電路被配置為在操作中執行所述第一可變形元件的變形和所述第二可變形元件的變形的差動讀取。

13.一種壓力傳感器，包括：

14.根據權利要求13所述的壓力傳感器，還包括第三開口，所述第三開口延伸穿過所述第二襯底并且流體耦合到所述第一室。

15.根據權利要求14所述的壓力傳感器，還包括第四開口，所述第四開口延伸穿過所述第二襯底并且流體耦合到所述第二室。

16.根據權利要求13所述的壓力傳感器，還包括第三開口，所述第三開口延伸穿過所述第一襯底并且流體耦合到所述第一室。

17.根據權利要求14所述的壓力傳感器，還包括第四開口，所述第四開口延伸穿過所述第一襯底并且流體耦合到所述第二室。

18.一種壓力傳感器，包括：

19.根據權利要求18所述的壓力傳感器，其中所述第一襯底包括第二室，所述第二室由所述壁部與所述第一室間隔開，并且所述壁部部分地界定所述第二室，并且所述壓力傳感器還包括：

20.根據權利要求19所述的壓力傳感器，還包括：

技術總結
本公開涉及對不期望刺激具有改善的抑制的壓力傳感器。壓力傳感器具有：本體，具有第一室和第二室，第二室與第一室氣密性分離；第一檢測結構，布置在第一室中，具有第一可變形元件和在第一檢測結構內的第一掩埋腔，第一可變形元件配置為根據第一室與第一掩埋腔之間的壓力差而經歷變形。傳感器還具有布置在第二室中的第二檢測結構，其具有第二可變形元件和在第二檢測結構內的第二掩埋腔，第二可變形元件配置為根據第二室與第二掩埋腔之間的壓力差而經歷變形。傳感器還具有：第一通道，延伸到本體中并配置為將第一掩埋腔與第二室流體耦合；以及第二通道，延伸到本體中并配置為將第二掩埋腔流體耦合到第一室。

技術研發人員：F·丹尼爾,E·杜奇,L·巴爾多
受保護的技術使用者：意法半導體國際公司
技術研發日：
技術公布日：2025/4/24