分體式射頻同軸轉接器的制造方法
【專利摘要】本發明公開了一種分體式射頻同軸轉接器，包括螺母、外殼體、外導體、內導體，所述外殼體包括插頭端和插座端，所述外導體設置于所述外殼體內且與所述外殼體過盈配合，所述內導體設置于所述外導體內，所述螺母設置于所述外殼體插頭端；所述內導體包括內導體一和內導體二，所述內導體一兩端分別設置有插銷一和插孔一，所述內導體二兩端分別設置有插銷二和插孔二，所述插銷一位于所述外殼體的插頭端，所述插銷二位于所述插孔一內，所述插孔二位于所述外殼體的插座端。簡化了射頻電纜轉接器的加工工藝，提高了生產效率并降低了生產成本，具體地如分體式1.85mm射頻同軸轉接器，其電壓駐波比在DC~65GHz下，不大于1.45。
【專利說明】分體式射頻同軸轉接器
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種分體式射頻同軸轉接器，屬于電連接器【技術領域】。
【背景技術】
[0002]1.85mm連接器轉接器可以工作到65GHz，工作頻帶寬，體積小，可以應用于微波毫米波同軸信號傳輸，因工作于毫米波段的緣故，設計及加工難度極大，在國內1.85mm連接器尚處于試用階段，高可靠性的1.85_轉接器更是空白。
[0003]現有技術中的1.85mm射頻同軸轉接器，內導體通常為一體結構，雖然便于加工，但電氣性能存在不足；外導體的材質選擇也需要完善，選擇強度較高的材質通常難以實現低介電常數，選擇低介電常數的材質則難以證了射頻電纜轉接器的連接可靠性，對于兼顧連接可靠性和電氣性能的外導體材質則會導致射頻電纜轉接器的成本較高，性價比難以符合市場需求。此外，現有的射頻電纜轉接器的連接可靠性和同軸度還存在不足，導致射頻電纜轉接器無法滿足實際使用要求。

【發明內容】

[0004]本發明正是針對現有技術存在的不足，提供一種分體式射頻同軸轉接器，滿足實際使用要求。
[0005]為解決上述問題，本發明所采取的技術方案如下:
一種分體式射頻同軸轉接器，包括:螺母、外殼體、外導體、內導體、介質體，所述外殼體包括插頭端和插座端，所述外導體設置于所述外殼體內且與所述外殼體過盈配合，所述內導體設置于所述外導體內，所述螺母設置于所述外殼體插頭端，所述介質體設置于所述外導體內且與所述外導體過盈配合，所述內導體設置于所述介質體內且與所述介質體過盈配合；所述內導體包括內導體一和內導體二，所述內導體一兩端分別設置有插銷一和插孔一，所述內導體二兩端分別設置有插銷二和插孔二，所述插銷一位于所述外殼體的插頭端，所述插銷二位于所述插孔一內，所述插孔二位于所述外殼體的插座端。
[0006]作為上述技術方案的改進，所述外導體包括外導體一和外導體二，所述介質體包括介質體一和介質體二 ；所述外導體一位于所述外殼體的插頭端內且與所述外殼體過盈配合，所述外導體二位于所述外殼體的插座端內且與所述外殼體過盈配合，所述介質體一設置于所述外導體一內且與所述外導體一過盈配合，所述介質體二設置于所述外導體二內且與所述外導體二過盈配合，所述內導體一設置于所述介質體一內且與所述介質體一過盈配合，所述內導體二設置于所述介質體二內且與所述介質體二過盈配合。
[0007]作為上述技術方案的改進，所述外殼體內壁中部設置有環狀隔離壁，所述外導體一和所述外導體二分別位于所述隔離壁兩側，所述介質體一和所述介質體二分別緊貼所述隔離壁兩側，所述外導體一和所述外導體二分別設置有限位槽一和限位槽二，所述介質體一和所述介質體二分別位于所述限位槽一和所述限位槽二內。
[0008]作為上述技術方案的改進，所述介質體二內徑大于等于所述插銷二的外徑，且小于所述內導體一和所述內導體二的外徑。
[0009]作為上述技術方案的改進，所述外導體一材質為聚醚醚酮樹脂，即PEEK。
[0010]作為上述技術方案的改進，所述外導體二材質為聚三氟氯乙烯，即PCTFE。
[0011]作為上述技術方案的改進，所述螺母通過卡環設置于所述外殼體插頭端。
[0012]本發明與現有技術相比較，本發明的實施效果如下:
本發明所述的分體式射頻同軸轉接器，內導體為兩體壓接，電氣性能好，外導體一和外導體二的材質分別采用強度較高的聚醚醚酮樹脂(即PEEK)和低介電常數的聚三氟氯乙烯(即PCTFE)，既保證了射頻電纜轉接器的連接可靠性，同時提高了射頻電纜轉接器的電氣性能；此外，整體雙介質體結構，進一步提高了射頻電纜轉接器的連接可靠性和同軸度。外殼體的隔離壁結構和介質體二內徑大于等于所述插銷二的外徑，且小于所述內導體一和所述內導體二的外徑的結構，使得內導體無需在表面設置限位凹槽也可實現內導體的限位作用，從而簡化了射頻電纜轉接器的加工工藝，提高了生產效率并降低了生產成本。本發明所述的分體式射頻同軸轉接器，具體地如分體式1.85_射頻同軸轉接器，其電壓駐波比在DC?65GHz下，不大于1.45。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0013]圖1為本發明所述的分體式射頻同軸轉接器結構示意圖。
【具體實施方式】
[0014]下面將結合具體的實施例來說明本發明的內容。
[0015]如圖1所示，為本發明所述的分體式射頻同軸轉接器結構示意圖。本實施例提供一種具體的分體式射頻同軸轉接器，即分體式1.85_射頻同軸轉接器，包括:螺母10、外殼體20、外導體、內導體、介質體，所述外殼體20包括插頭端21和插座端22，所述外導體設置于所述外殼體20內且與所述外殼體20過盈配合，所述內導體設置于所述外導體內，所述螺母10設置于所述外殼體20插頭端21，所述介質體設置于所述外導體內且與所述外導體過盈配合，所述內導體設置于所述介質體內且與所述介質體過盈配合，所述內導體包括內導體一 31和內導體二 32，所述內導體一 31兩端分別設置有插銷一 33和插孔一 34，所述內導體二 32兩端分別設置有插銷二 35和插孔二 36，所述插銷一 33位于所述外殼體20的插頭端21，所述插銷二 35位于所述插孔一 34內，所述插孔二 36位于所述外殼體20的插座端
22。內導體為兩體壓接，電氣性能好。
[0016]進一步的，所述外導體包括外導體一 41和外導體二 42，所述介質體包括介質體一51和介質體二 52 ;所述外導體一 41位于所述外殼體20的插頭端21內且與所述外殼體20過盈配合，所述外導體二 42位于所述外殼體20的插座端22內且與所述外殼體20過盈配合，所述介質體一 51設置于所述外導體一 41內且與所述外導體一 41過盈配合，所述介質體二 52設置于所述外導體二 42內且與所述外導體二 42過盈配合，所述內導體一 31設置于所述介質體一 51內且與所述介質體一 51過盈配合，所述內導體二 32設置于所述介質體二 52內且與所述介質體二 52過盈配合。整體雙介質體結構，提高了射頻電纜轉接器的連接可靠性和同軸度。
[0017]所述外殼體20內壁中部設置有環狀隔離壁23,所述外導體一 41和所述外導體二42分別位于所述隔離壁23兩側，所述介質體一 51和所述介質體二 52分別緊貼所述隔離壁23兩側，所述外導體一 41和所述外導體二 42分別設置有限位槽一 43和限位槽二 44，所述介質體一 51和所述介質體二 52分別位于所述限位槽一 43和所述限位槽二 44內。所述結構提高了射頻電纜轉接器的連接可靠性，防止在拔插使用中內導體發生相對位移影響射頻電纜轉接器的電氣性能。
[0018]所述介質體二 52內徑大于等于所述插銷二 35的外徑，且小于所述內導體一 31和所述內導體二 32的外徑。所述結構能夠對內導體一 31向插座端22方向形成位阻，且能夠對內導體二 32向插頭端21方向形成位阻，使得內導體無需在表面設置限位凹槽也可實現內導體的限位作用，從而簡化了射頻電纜轉接器的加工工藝，提高了生產效率并降低了生產成本。所述外導體一 41材質為聚醚醚酮樹脂。所述外導體二 42材質為聚三氟氯乙烯。外導體一和外導體二的材質分別采用強度較高的聚醚醚酮樹脂(即PEEK)和低介電常數的聚三氟氯乙烯(即PCTFE)，既保證了射頻電纜轉接器的連接可靠性，同時提高了射頻電纜轉接器的電氣性能。所述螺母10通過卡環11設置于所述外殼體20插頭端21。本發明所述的分體式射頻同軸轉接器電壓駐波比在D(T65GHz下，最大為1.45。產品通過試驗和實際使用驗證，滿足使用要求，性能提升顯著。
[0019]以上內容是結合具體的實施例對本發明所作的詳細說明，不能認定本發明具體實施僅限于這些說明，例如本實施例提供的分體式1.85_射頻同軸轉接器其技術特征顯然也可適用于其他規格的分體式射頻同軸轉接器，且能夠取得相類似的技術效果。對于本發明所屬【技術領域】的技術人員來說，在不脫離本發明構思的前提下，還可以做出若干簡單推演或替換，都應當視為屬于本發明保護的范圍。
【權利要求】
1.一種分體式射頻同軸轉接器，包括:螺母(10)、外殼體(20)、外導體、內導體、介質體，所述外殼體(20)包括插頭端(21)和插座端(22)，所述外導體設置于所述外殼體(20)內且與所述外殼體(20)過盈配合，所述內導體設置于所述外導體內，所述螺母(10)設置于所述外殼體(20)插頭端(21)，所述介質體設置于所述外導體內且與所述外導體過盈配合，所述內導體設置于所述介質體內且與所述介質體過盈配合，其特征是，所述內導體包括內導體一(31)和內導體二(32),所述內導體一(31)兩端分別設置有插銷一(33)和插孔一(34),所述內導體二(32)兩端分別設置有插銷二(35)和插孔二(36)，所述插銷一(33)位于所述外殼體(20 )的插頭端(21)，所述插銷二( 35 )位于所述插孔一(34 )內，所述插孔二( 36 )位于所述外殼體(20)的插座端(22)。
2.如權利要求2所述的分體式射頻同軸轉接器，其特征是，所述外導體包括外導體一(41)和外導體二(42),所述介質體包括介質體一(51)和介質體二(52);所述外導體一(41)位于所述外殼體(20)的插頭端(21)內且與所述外殼體(20)過盈配合，所述外導體二(42)位于所述外殼體(20)的插座端(22)內且與所述外殼體(20)過盈配合，所述介質體一(51)設置于所述外導體一(41)內且與所述外導體一(41)過盈配合，所述介質體二(52)設置于所述外導體二(42)內且與所述外導體二(42)過盈配合，所述內導體一(31)設置于所述介質體一(51)內且與所述介質體一(51)過盈配合，所述內導體二( 32 )設置于所述介質體二(52)內且與所述介質體二(52)過盈配合。
3.如權利要求3所述的分體式射頻同軸轉接器，其特征是，所述外殼體(20)內壁中部設置有環狀隔離壁(23)，所述外導體一(41)和所述外導體二(42)分別位于所述隔離壁(23)兩側，所述介質體一(51)和所述介質體二(52)分別緊貼所述隔離壁(23)兩側，所述外導體一(41)和所述外導體二(42)分別設置有限位槽一(43)和限位槽二(44)，所述介質體一(51)和所述介質體二(52)分別位于所述限位槽一(43)和所述限位槽二(44)內。
4.如權利要求4所述的分體式射頻同軸轉接器，其特征是，所述介質體二(52)內徑大于等于所述插銷二(35)的外徑，且小于所述內導體一(31)和所述內導體二(32)的外徑。
5.如權利要求3所述的分體式射頻同軸轉接器，其特征是，所述外導體一(41)材質為聚醚醚酮樹脂。
6.如權利要求3所述的分體式射頻同軸轉接器，其特征是，所述外導體二(42)材質為聚三氟氯乙烯。
7.如權利要求1-5任一所述的分體式射頻同軸轉接器，其特征是，所述螺母(10)通過卡環(11)設置于所述外殼體(20 )插頭端(21)。
【文檔編號】H01R13/03GK103457066SQ201310367649
【公開日】2013年12月18日 申請日期:2013年8月22日 優先權日:2013年8月22日
【發明者】胡汝剛 申請人:合肥市半山閣電子科技有限公司